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						北京京誠宏泰科技有限公司
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      可控硅模塊在使用中，有哪些注意事項2024/05/28
      
					
      
				簡介：是一種半導體器件，具有控制正半周或負半周的導電特性，被廣泛應用于電子設備中。其基本原理是利用PNPN結的瞬時性質，通過控制晶體管的控制電壓，使其導通或者阻斷。優(yōu)點1.高耐壓：可控硅模塊可以承受較高的電壓，因此適用于高壓電力系統(tǒng)。2.大電流：可控硅模塊可以承受較大的電流，因此適用于大功率電力系統(tǒng)。3.快速開關：可控硅模塊的開關速度較快，因此可以減少開關損耗，提高電力系統(tǒng)的效率。4.維護簡單：可控硅模塊的結構簡單，因此維護起來相對容易。使用注意事項：1、在選擇可控硅的額定電流時，除了要考慮通過
					
      
				
      
								
      
					
      ASC風電補償電容有哪些注意事項2024/05/28
      
					
      
				原理：1.儲存電能：當系統(tǒng)中的電力需求低于發(fā)電機的輸出功率時，電容器可儲存多余的電能，以備系統(tǒng)需要時釋放。2.釋放電能：當系統(tǒng)中的電力需求超過發(fā)電機輸出功率時，電容器可以快速釋放儲存的電能，以彌補系統(tǒng)能量缺陷，使電網電力平衡。3.保護風電機組：電容器可穩(wěn)定電源，保護風電機組免受電網波動的影響，使其在不受損害的情況下運行。使用注意事項：1、電容補償裝置具體操作時應注意以下事項：任何額定電壓的電容器組，均禁止帶電荷合閘;電容器組每次重新合閘，必須在其放電結束后進行;在補償裝置的開關上禁止裝設重合閘裝
					
      
				
      
								
      
					
      晶閘管并聯(lián)應用要點2024/05/16
      
					
      
				我們知道所有并聯(lián)最終我們有個重要目的，就是流過并聯(lián)支路的電流盡量都是相等的，特別是在負溫度系數(shù)的功率器件中更為關鍵，比如二極管和晶閘管應用中。對于整流二極管并聯(lián)，為了使電流均勻分布，對于并聯(lián)的二極管盡可能保證對稱性，包括連接點，線組長度、，從而保證回路阻抗盡可能相近。在晶閘管并聯(lián)中，從它被激發(fā)到整個導通過程中，電流的均勻分布是必要的?？傮w上，我們需要注意以下幾點：1、主電路阻抗的對稱性。這個就要求母排或功率銅排結構對稱，大小厚度一直，回路長度一直。這個比較容易理解，就是開通后要保證不因為外部電路
					
      
				
      
								
      
					
      聊聊西門子緩沖電阻2024/03/01
      
					
      
				簡介：緩沖電阻是一種阻值較大的電阻器，主要用于電路中的過渡性連接，作為電路中與電源的接口。緩沖電阻具有較高的電阻值和精度，能夠提供穩(wěn)定的電阻值，使電路能夠正常工作。作用：平衡電壓波動：變頻器控制系統(tǒng)的電源電壓可能波動，這會影響系統(tǒng)的工作穩(wěn)定性。緩沖電阻可以平滑這些電壓波動，確保變頻器及其他組件的正常運作。減少電流峰值：電機在啟動或運行過程中會產生較大的電流峰值，這可能導致電路短路或電機過載等問題。緩沖電阻有助于減少這種峰值電流的產生，從而維持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。保護電容：在變頻器中，電容用于存
					
      
				
      
								
      
					
      CM200DU-24H三菱IGBT模塊適用于哪些地方2016/06/27
      
					
      
				CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。CM200DU-24H三菱IGBT模塊非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源
					
      
				
      
								
      
					
      IGBT模塊驅動及保護技術2016/04/29
      
					
      
				1引言IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動的特點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，故在較高頻率的大、中功率應用中占據(jù)了主導地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μ*的漏電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容（幾千至上萬pF），在驅動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態(tài)
					
      
				
      
								
      
					
      IGBT模塊過流保護的兩種情況介紹2015/09/15
      
					
      
				生產廠家對IGBT模塊提供的安全工作區(qū)有嚴格的限制條件，且IGBT模塊承受過電流的時間僅為幾微秒，耐過流量小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過流保護。產生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接錯或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。對IGBT模塊的過流檢測保護分兩種情況：(1)、驅動電路中無保護功能。這時在主電路中要設置過流檢測器件。對于小容量變頻器，一般是把電阻R直接串接在主電路中，通過電阻兩端的電壓來反映電流的大
					
      
				
      
								
      
					
      可控硅與晶閘管的區(qū)別及發(fā)展應用2015/08/13
      
					
      
				可控硅模塊屬于功率器件領域，是一種功率半導體開關元件，又叫做晶閘管，可控硅是簡稱。按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅(SCR)和雙向可控硅(TRIAC)?？煽毓枰卜Q作晶閘管，它是由PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極、陽極A、陰極K和控制極G?？煽毓柙陔娐分心軌驅崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產生，且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影。可控硅分為單向的和雙向的，符號也不同。單向可控硅有三個PN結
					
      
				
      
								
      
					
      IGBT模塊的散熱技術發(fā)展2015/04/15
      
					
      
				IGBT模塊散熱技術散熱的過程1IGBT在結上發(fā)生功率損耗;2結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上;3IGBT模塊上的熱傳導散熱器上;4散熱器上的熱傳導到空氣中。散熱環(huán)節(jié)影響散熱程度影響因數(shù)解決辦法1總發(fā)熱功率zui主要因數(shù)運行電流電壓改變電壓電流開關頻率2結殼熱阻次要模塊工藝3殼到散熱器熱阻次要散熱器材料粘貼材料4散熱器到環(huán)境熱阻zui要散熱方式散熱材料散熱方式散熱材料如果IGBT模塊一定時，IGBT結殼之間的熱阻一定，IGBT殼與散熱器的熱阻與散熱器材料和接觸程度兩個方面有關，但此處熱阻較小，散
					
      
				
      
								
      
					
      簡單分析晶閘管損壞的原因2014/12/04
      
					
      
				晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上*晶閘管產品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示。晶閘管屬于硅元件，很多人也稱它為“可控硅”。硅元件的普遍特性是過載能力差，因此在使用過程中經常會發(fā)生燒壞晶閘
					
      
				
      
								
      
					
      IGBT模塊的分類2014/10/09
      
					
      
				研發(fā)進展IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應用。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進展。1、低功率IGBTIGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、S
					
      
				
      
								
      
					
      富士功率模塊選型簡介2014/07/16
      
					
      
				富士功率模塊選型簡介一、PIM模塊為了降低變頻駱的成本，并減少變頻器的尺寸。寓士電機和歐派克采用PIM模塊結構。包括三相全波整流和6—7個IGBT。即變頻器的主回路全部安裝在一個模塊上，在小功率變頻器內（11KW以下）均用PIM模塊較為合算。富士電機現(xiàn)正常供貨的是S系列7個單元IGBT。在中國市場上己用了幾年時間。應用技術亦比較成熟。而U系列的PIM模塊供貨現(xiàn)尚在努力之中．現(xiàn)主要推出S系列五種型號——面向小功率變頻器。二、U系列IGBT模塊U系列為富士電機第五代IGBT模塊。采用FS新技術，是針
					
      
				
      
								
      
					
      IGBT原理，作用，運用2013/10/31
      
					
      
				IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照
					
      
				
      
							
				
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