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      高純多晶硅塊4N6N9N11N

      參考價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱北京環(huán)球金鼎科技有限公司
      • 品       牌
      • 型       號(hào)高純多晶硅
      • 所  在  地北京市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間2022/4/23 8:01:32
      • 訪問(wèn)次數(shù)309
      產(chǎn)品標(biāo)簽:

      高純多晶硅塊

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      北京*金鼎科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“金鼎科技”),成立于2015年。是一家專門(mén)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售高純金屬材料的甘心技術(shù)企業(yè),位于北京市海淀區(qū)。主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品包括:高純鋁、銅、鈦、鎳、錫、硅、鉍、銻、鉛、鍺、鉻、鐵、釩等多種高純、超高純金屬顆粒、塊體、板材、粉末;高純金屬合金;陶瓷以及化合物濺射靶材;高純貴金屬:金、鉑、鈀、銀顆粒、絲材、片材、粉末、靶材產(chǎn)品。憑借具有豐富經(jīng)驗(yàn)與強(qiáng)大技術(shù)的隊(duì)伍,金鼎科技在立足于北京輻射的戰(zhàn)略目標(biāo)下,專注于高純材料的制備。金鼎科技在高新材料行業(yè)聚集了人才與技術(shù),實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,不斷開(kāi)拓創(chuàng)新。金鼎科技的高純新材料通過(guò)ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證、SGS質(zhì)量誠(chéng)信認(rèn)證以及ISOI4001:2001環(huán)境體系認(rèn)證。目前,本公司設(shè)有高純材料研發(fā)部、高純材料技術(shù)服務(wù)部、高純材料銷售部、高純材料生產(chǎn)部。真正實(shí)現(xiàn)了高新材料的“四技”服務(wù)功能。高素質(zhì)的員工隊(duì)伍、專業(yè)化的生產(chǎn)技術(shù)和研發(fā)團(tuán)隊(duì),是金鼎科技提供優(yōu)良服務(wù)的堅(jiān)實(shí)保證。金鼎科技秉承“務(wù)實(shí)經(jīng)營(yíng)、追求*、尊重人才、注重技術(shù)”的經(jīng)營(yíng)理念,正努力把企業(yè)打造成的高新材料優(yōu)秀品牌。新的公司、新的理念、新的技術(shù)、新的服務(wù),才能真正實(shí)現(xiàn)“四新精神”。金鼎科技從業(yè)以來(lái)在高純材料行業(yè)獲得廣大客戶的認(rèn)可,堅(jiān)持“客戶*”的原則為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。歡迎洽談業(yè)務(wù)!北京*金鼎科技有限公司將與您攜手共創(chuàng)美好明天!

      有色金屬,貴金屬,小金屬,稀土金屬,有色金屬制品
      主元素硅
      英文名稱Silicon
      元素符號(hào)Si
      原子序數(shù)14
      密度2.33g/cm3
      物理性質(zhì)
      熔點(diǎn)1410℃
      沸點(diǎn)2355℃
      比熱容0.71(J /(kg·K)
      蒸發(fā)熱384.22(KJ/mol)
      熔化熱50.55(KJ/mol)
      導(dǎo)電率2.52E-12(106/cm)

      應(yīng)用領(lǐng)域
      多晶硅是重要的半導(dǎo)體材料,可以直接制作日光能干電池,也能夠作為原料出產(chǎn)單
      高純多晶硅塊4N6N9N11N 產(chǎn)品信息

      主元素

       

       

      英文名稱

      Silicon

       

       

      元素符號(hào)

      Si

       

       

      原子序數(shù)

      14

       

       

      密度

      2.33g/cm3

       

       

      物理性質(zhì)

      熔點(diǎn)

      1410℃

      沸點(diǎn)

      2355℃

      比熱容

      0.71(J /(kg·K)

      蒸發(fā)熱

      384.22(KJ/mol)

      熔化熱

      50.55(KJ/mol)

      導(dǎo)電率

      2.52E-12(106/cm)

       

      應(yīng)用領(lǐng)域

      多晶硅是重要的半導(dǎo)體材料,可以直接制作日光能干電池,也能夠作為原料出產(chǎn)單晶硅。90%以上的半導(dǎo)體器件是施用硅材料制成的,也就是用多晶硅為原料出產(chǎn)的單晶硅制成的。高純多晶硅是重要的電子信息根蒂根基材料,被視為“微電子大廈的基石”。多晶硅的用途很是廣泛。

      產(chǎn)品目錄

      高純多晶硅塊

      4N  6N  9N  11N

      高純單晶硅塊

      4N  6N  9N  11N 

       

      4N  6N  9N  11N

      主元素

       

       

      英文名稱

      Silicon

       

       

      元素符號(hào)

      Si

       

       

      原子序數(shù)

      14

       

       

      密度

      2.33g/cm3

       

       

      物理性質(zhì)

      熔點(diǎn)

      1410℃

      沸點(diǎn)

      2355℃

      比熱容

      0.71(J /(kg·K)

      蒸發(fā)熱

      384.22(KJ/mol)

      熔化熱

      50.55(KJ/mol)

      導(dǎo)電率

      2.52E-12(106/cm)

       

      應(yīng)用領(lǐng)域

      多晶硅是重要的半導(dǎo)體材料,可以直接制作日光能干電池,也能夠作為原料出產(chǎn)單晶硅。90%以上的半導(dǎo)體器件是施用硅材料制成的,也就是用多晶硅為原料出產(chǎn)的單晶硅制成的。高純多晶硅是重要的電子信息根蒂根基材料,被視為“微電子大廈的基石”。多晶硅的用途很是廣泛。

      產(chǎn)品目錄

      高純多晶硅塊

       

      高純單晶硅塊

      4N  6N  9N  11N 

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