系統(tǒng)規(guī)格:
波長范圍:350~850nm
入射角:30°~ 90°
解析度:±0.01°
待測樣品尺寸:up to 200mm
精度:1200A SiO2標準片
厚度:(Tks):±6A
折射率(N):±0.01 at 632.8nm
重復(fù)性:1200A SiO2標準片
厚度(Tks):±2.5A
折射率(N):±0.005 at 632.8nm (5 times)
尺寸:140cm×50cm×60cm
應(yīng)用:
太陽能電池
SiNx減反膜工藝
TiO2減反膜工藝
復(fù)合SiNx減反膜工藝
SiO2鈍化工藝
復(fù)合SiNx/ SiO2減反膜工藝
SiO2掩膜工藝
TFT-LCD
SIOx,SiNx,a-Si:H,N+a-Si…
SEMI
High-k:AL2O3,SiO2,Si3N4,SiNx…
LOW-k:SiOC,SiOF,SOG,BPSG…
OLED
AlQ3,CuPc…
軟件特征:
整合量測、分析、計算 操作模式安全化 同步原始數(shù)據(jù)呈現(xiàn)
硬件特征:
高穩(wěn)定性氙燈光源
高解析度光柵式單色儀
波長范圍:350~850nm
波長解析度:1nm,精度:0.5nm
三格林泰勒棱鏡偏振系統(tǒng)
波長:260~1800nm
消化比:>105
發(fā)散角:≤3mrad
真空吸附載物臺
自動連續(xù)入射角(零度校正)
高分辨率光電倍增管探測器
波長范圍:185nm~900nm
暗電流:≤25 nA
自動電壓增益控制系統(tǒng)(Vmax:1100v)