性能特點(diǎn)：
1、一體式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，隔爆型IIC級(jí)防爆等級(jí)，散熱性能好，防爆性能可靠；
2、用優(yōu)質(zhì)鋁合金材料壓鑄成型，外表面高科技圖噴處理，抗沖擊和防腐性能力強(qiáng)，可在戶外*使用；
3、選用綠色大功率LED固態(tài)光源，光效高、壽命長(zhǎng)，可實(shí)現(xiàn)*免維護(hù)，光線柔和均勻、無(wú)眩光，耗電量?jī)H為同光白織燈的20％， 經(jīng)濟(jì)環(huán)保；
4、透明件經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì)處理，選用進(jìn)口防彈膠材料，透光率高，抗沖擊性能好，能使燈具在各種惡劣環(huán)境下正常工作
5、全套電器采用進(jìn)口牌，功率因數(shù)高達(dá)0.9以上。功耗和溫升低、工作性能
6、帶裝用電纜引入裝置，密封性能良好，可直接鋼管或電纜布線。
7、可采用座式、壁掛式、吸頂式等多種安裝方式，安裝簡(jiǎn)單方便。

適用范圍：BFE8126LED防爆燈；100W芯片LED防爆照明燈
1、爆炸性氣體混合物危險(xiǎn)場(chǎng)所：1區(qū)、2區(qū)
2、爆炸性氣體混合物： ⅡA、ⅡB、IIC
3、溫度組別：T1-T6
4、海拔高度不超過2000米
5、環(huán)境溫度25℃時(shí)，相對(duì)濕度95％以下
6、工作環(huán)境溫度-20℃～+40℃之間
7、適用于石油開采、煉油、化工、*、航天等危險(xiǎn)環(huán)境及海洋石油平臺(tái)、油輪等場(chǎng)所照明之用

技術(shù)參數(shù)：BFE8126LED防爆燈；100W芯片LED防爆照明燈
隔爆標(biāo)志：Exd IIC T6
防護(hù)等級(jí)：IP65
工作環(huán)境：-20℃～40℃～60℃
額定電壓：AC220V  50Hz
額定功率： 10W、20、30W、40W、50W、60W、70W、80W
光通量；4800-5280-8600
照度：＞100Lx（4.5米處測(cè)試
色溫：4500～6500K
顯像指數(shù)：＞75
重量：≤3.9Kg-4.95 Kg
外形尺寸：Φ230x240 mm和280x240mm

LED防爆燈也有自己的“身份牌”
LED防爆燈的其中一個(gè)非常重要的防爆原理就是限制與爆炸性氣體、爆炸性粉塵接觸的外殼表面、零部件表面或電子元器件表面的溫度以及限制電氣接觸表面溫度低于其小點(diǎn)燃溫度或引燃溫度。其原理同防爆燈相同，只不過光源是LED光源，是指為了防止點(diǎn)燃周圍爆炸性混合物如爆炸性氣體環(huán)境、爆炸性粉塵環(huán)境、瓦斯氣體等而采取的各種特定措施的燈具。LED防爆燈是目前節(jié)能的防爆燈具，廣泛用于油田-電廠-化工廠-石油-*。
和人一樣，每一款LED防爆燈都有其各自的“身份牌”，這“身份牌”上標(biāo)注了以下信息：
1、防爆標(biāo)志。
2、基本標(biāo)志：包括產(chǎn)品名稱、型號(hào)、制造廠名、注冊(cè)商標(biāo)、出廠日期等。
3、性能安全標(biāo)志：包括額定電壓、電流、標(biāo)稱頻率、光源功率和數(shù)量、允許環(huán)境溫度(該范圍僅為-20～+40℃時(shí)可不標(biāo))、特定的適用環(huán)境標(biāo)志(如對(duì)僅適用某一種爆炸性氣體混合物的產(chǎn)品，須標(biāo)明可燃?xì)怏w的名稱或分子式)，防爆燈具的分類標(biāo)志(如"數(shù)字)等。
4、防爆合格證編號(hào)，證明產(chǎn)品已經(jīng)防爆檢驗(yàn)站正式檢驗(yàn)通過。有些產(chǎn)品防爆合格證編號(hào)后帶“x”符號(hào)，這表明該種產(chǎn)品只能在某種特殊的安全使用條件下使用，規(guī)定條件應(yīng)在燈具外殼或產(chǎn)品說明書中明確醒目地注明。

今日采摘：今年是我國(guó)啟動(dòng)“半導(dǎo)體照明工程”十周年。近日，中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任李晉閩向《中國(guó)科學(xué)報(bào)》記者介紹說，我國(guó)在基于GaN基LED的白光照明技術(shù)方面已取得突飛猛進(jìn)的發(fā)展。在350毫安的工作電流下，白光LED的發(fā)光效率從2004年的20流明/瓦提高到2013年的150流明/瓦。
據(jù)了解，半導(dǎo)體照明的能源消耗只有普通白熾燈的1/10，但其壽命可達(dá)10萬(wàn)小時(shí)以上。據(jù)估算，如果半導(dǎo)體照明能占領(lǐng)我國(guó)1/3的照明市場(chǎng)，每年可節(jié)電2000億度，相當(dāng)于兩個(gè)多三峽電站的發(fā)電量。2003年，在時(shí)任半導(dǎo)體所所長(zhǎng)李晉閩的建議下，*經(jīng)過深入調(diào)研和組織，正式啟動(dòng)“國(guó)家半導(dǎo)體照明工程”。2004年，數(shù)十家企業(yè)和科研單位聯(lián)合開展半導(dǎo)體照明關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。2006年，經(jīng)過兩年的籌備后，中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心正式成立。中心在深紫外LED研究方面結(jié)出了累累碩果。2008年，中心成功制備*支發(fā)光波長(zhǎng)在300納米以下的深紫外LED器件，實(shí)現(xiàn)了器件的毫瓦級(jí)功率輸出。“十二五”以來，在“863”項(xiàng)目支持下，由中科院半導(dǎo)體所牽頭、國(guó)內(nèi)優(yōu)勢(shì)單位參與，目前已成功將深紫外LED的輸出功率提高到接近4毫瓦（20毫安電流下）。
同時(shí)，研發(fā)中心在LED產(chǎn)業(yè)的核心——MOCVD裝備核心技術(shù)開發(fā)方面進(jìn)展順利，初步研制出48片生產(chǎn)型MOCVD設(shè)備，為實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化開創(chuàng)了良好局面；研發(fā)出HVPE生長(zhǎng)系統(tǒng)，并在推廣型立式HVPE系統(tǒng)上開發(fā)出HVPEGaN自支撐襯底的生長(zhǎng)技術(shù)。