單晶少子壽命測試儀 儀表

單晶少子壽命測試儀 儀表

LT-2型單晶少子壽命測試儀，該儀器用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
本儀器根據(jù)高頻光電導衰退法的原理，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。
技　術(shù)　指　標 ：
 測試單晶電阻率范圍  >2Ω.cm
 可測單晶少子壽命范圍  5μS～7000μS
 配備光源類型  波長：1.09μm；余輝<1 μS；
 閃光頻率為：20～30次／秒；
 高頻振蕩源  用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
 前置放大器  放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz
 儀器測量重復誤差  <±20％
 測量方式  采用對標準曲線讀數(shù)方式
 儀器消耗功率  <25W
 儀器工作條件  溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
 可測單晶尺寸  斷面豎測：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
 縱向臥測：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
 配用示波器  頻寬0—20MHz；
 電壓靈敏：10mV／cm；