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      瑞士LEMSYS 替代品 易恩IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀

      參考價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      • 公司名稱西安易恩電氣科技有限公司
      • 品       牌
      • 型       號EN-2020A
      • 所  在  地西安市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時間2018/8/7 10:41:54
      • 訪問次數(shù)643
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      西安易恩電氣坐落于西安渭北工業(yè)裝備區(qū),是陜西省政府重點支持的*。公司專注于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導體封裝、測試設備?,F(xiàn)已成為國內(nèi)電力電子行業(yè)的測試方案供應商。公司以自主研發(fā)生產(chǎn)的“軌道機車半導體測試系統(tǒng)”系列產(chǎn)品為主導,在此基礎上相繼推出全自動大功率IGBT參數(shù)測試系統(tǒng)、功率器件圖示系統(tǒng)、晶體管圖示儀、雪崩、浪涌、熱阻集成電路測試系統(tǒng)等系列產(chǎn)品。廣泛應用于科研院所、能源、電力電子、交通、船舶制造、高校等諸多領域。

          完善的基礎設施和優(yōu)秀的人才隊伍一直是企業(yè)強化建設的重點。公司設有測試實驗室,調(diào)試中心,產(chǎn)品研發(fā)中心,服務團隊等多個技研服務部門,以滿足不同客戶對測試解決方案的多層次需求。公司研發(fā)人員占總人數(shù)的40%,碩士學歷以上人員占75%,專業(yè)技術人員占比超過66%,成員大多來自半導體及微電子相關研究院所及電力電子行業(yè)內(nèi)的*人士。公司通過了質(zhì)量體系*及陜西省軟件企業(yè)認定,承擔國家*創(chuàng)新基金項目等,目前獲得發(fā)明4項,實用新型15項,軟件著作權3項。

      “專業(yè)專注,全心服務”是公司健康發(fā)展之基礎。面向未來,易恩將充分發(fā)揮自身的技術創(chuàng)新和服務優(yōu)勢,致力成為*的電力電子測試方案供應商。

      IGBT動靜態(tài)測試系統(tǒng),晶體管圖示儀?,?IPM測試系統(tǒng),功率循環(huán)?/?熱阻?,?雪崩能量?,?浪涌?,?柵電荷?測試系統(tǒng)
      EN-2020A半導體器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),該系統(tǒng)是針對IGBT器件的開關性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復特性而專門設計的一套全自動測試系統(tǒng),適用于電流不超過1500A和集電極電壓不超過3500V的IGBT器件開關時間測試以及正向電流不超過2000A的二極管反向恢復特性的測試。
      瑞士LEMSYS 替代品 易恩IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀 產(chǎn)品信息

      瑞士LEMSYS 替代品 易恩IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀

      EN-2020A半導體器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

       

      規(guī)    :1800×800×800(mm)

      質(zhì)    :155Kg

      環(huán)境溫度:15~40℃

      相對濕度:小于80%

      大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa

      電網(wǎng)電壓:AC220V±10%無嚴重諧波

      電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

       

      參數(shù)/條件

       

      IGBT開通特性測試

      IGBT關斷特性測試

      測試氣動夾具

      測試參數(shù)

      開通延遲 tdon

      10-1000ns±5%±10ns

      Tj=25和125

      關斷時間tdoff

      10-1000ns±5%±10ns

      Tj=25和125

      壓力:

      5000PA的品牌空壓機供氣。

      控溫范圍:

      25-200

      控溫精度:

      ±1.0±1%

      器件接觸:

      20個探針的接觸矩陣

       

      上升時間

      tr

      10-1000ns±5%±10ns

      Tj=25和125

      下降時間tf

      10-1000ns±5%±10ns

      Tj=25和125

      開通能量

      Eon

      10-1000ns±5%±10ns

      Tj=25和125

      關斷能量Eoff

      10-1000ns±5%±10ns

      Tj=25和125

      測試條件

      集電極電壓Vce

      50-3500V±5%

      根據(jù)用戶要求定制

      集電極電壓Vce

      50-3500V±5%

      根據(jù)用戶要求定制

      集電極電流Ice

      50-1500V±5%

      根據(jù)用戶要求定制

      集電極電流Ice

      50-1500V±5%

      根據(jù)用戶要求定制

      負載L

      20-1000uH

      L負載

      20-1000uH

      柵極電壓Vge

      ±15V±3%±0.2V

       

       

      短路測試Sct

      一次短路 / 脈寬10uS / 短路電流10KA

      二極管反向恢復測試Drr

      反向恢復電流 / 反向時間 / 反向di / dt

      關鍵詞:IGBT
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