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      倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測(cè)器

      參考價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱西安立鼎光電科技有限公司
      • 品       牌
      • 型       號(hào)PVMI系列
      • 所  在  地西安市
      • 廠商性質(zhì)代理商
      • 更新時(shí)間2023/8/18 8:06:29
      • 訪問次數(shù)2953
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      西安立鼎光電科技有限公司是一家專業(yè)從事紅外、激光類光電系統(tǒng)產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)、系統(tǒng)集成及專業(yè)代理銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司專注于為客戶提供從元件、組件、部件到全套光電系統(tǒng)產(chǎn)品的完整解決方案。公司總部位于中國(guó)古都西安,周圍有眾多高校、科研院所及高新技術(shù)企業(yè),科研創(chuàng)新氛圍濃厚,是公司人才引進(jìn)和技術(shù)創(chuàng)新的強(qiáng)大源泉。為了高效便捷地服務(wù)于國(guó)內(nèi)廣大客戶,公司在北京、深圳、上海、武漢、香港等地設(shè)有分公司或辦事處。

      立鼎光電自成立以來,就以“市場(chǎng)需求”為牽引,秉承“資源整合,自主創(chuàng)新”之思想,研發(fā)了各種光電制導(dǎo)使用的測(cè)試測(cè)量?jī)x器設(shè)備、激光對(duì)抗使用的短波紅外系統(tǒng)以及科研級(jí)EMCCD/ICCD/CMOS/

      ICMOS相機(jī)等國(guó)內(nèi)、*的產(chǎn)品。

      我們?cè)谘邪l(fā)產(chǎn)品的同時(shí),也一直致力于將國(guó)外的先進(jìn)產(chǎn)品和技術(shù)引進(jìn)到國(guó)內(nèi),為我國(guó)的國(guó)防事業(yè)和技術(shù)發(fā)展盡一份綿薄之力。經(jīng)過多年的發(fā)展,我司已與世界上二十多個(gè)業(yè)內(nèi)的廠家建立了緊密的合作關(guān)系,代理光電方向產(chǎn)品達(dá)二十多個(gè)(種)。立鼎團(tuán)隊(duì)一直專注于光電產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)的售前、售中及售后的優(yōu)質(zhì)技術(shù)服務(wù),也贏得了客戶的廣泛認(rèn)可??蛻舾采w了航空、航天、兵器、船舶、電子、核工業(yè)等集團(tuán)以及中科院、高校、鐵路和工農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域。

      立鼎人站在光電科技前沿,始終秉承“*技術(shù)、誠(chéng)實(shí)服務(wù)、合作共贏”的發(fā)展理念,真誠(chéng)與國(guó)內(nèi)外廣大用戶、合作伙伴及同行攜手合作,共創(chuàng)光電事業(yè)美好明天!


      光電探測(cè)器,科研級(jí)相機(jī),短波相機(jī),EMCCD相機(jī),激光測(cè)距
      倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測(cè)器特點(diǎn)
      室溫下工作;無需偏置;響應(yīng)時(shí)間短;無閃動(dòng)噪聲;從DC到高頻范圍工作;與快速邏輯元器件*兼容;動(dòng)態(tài)范圍寬;大面積裝置;低成本;可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。
      倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測(cè)器 產(chǎn)品信息

      倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測(cè)器

      PVMI-nn表示特性波長(zhǎng),單位是微米)系列的光電探測(cè)器是多重異質(zhì)結(jié)紅外光電探測(cè)器,使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )過半球透鏡(標(biāo)準(zhǔn))或者半球透鏡(可選)進(jìn)行光浸入。這些裝置工作在812微米的范圍內(nèi),特別用于大范圍探測(cè)。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來獲得??梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤(rùn)鏡頭、視窗和光濾波器。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測(cè)器(不帶視窗)封裝是改進(jìn)的TO-39BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。

      倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測(cè)器參數(shù):

      特性(@ 20ºC

      單位

      LD-PVMI-8

      LD-PVMI-10.6

      特性波長(zhǎng)λop

      μm

      8

      10.6

      探測(cè)率:

      at λpeak

      at λop

      cmHz1/2/W

       

      6 x 108

      3 x 108

       

      2 x 108

      1 x 108

      響應(yīng)度–at λop

      A*mm/W

      0.04

      0.01

      響應(yīng)時(shí)間τ

      ns

      4

      1.5

      電阻

      Ω

      50-300

      20-150

      光學(xué)面積(長(zhǎng) × 寬)

      mm× mm

      0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

      工作溫度

      K

      300

      視場(chǎng), F#

      deg

      36, 1.62

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