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      CVD碳化硅襯底單層石墨烯

      參考價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱長春海洋光電有限公司
      • 品       牌
      • 型       號(hào)CVD
      • 所  在  地長春市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間2022/2/6 18:04:53
      • 訪問次數(shù)1178
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      CVD碳化硅襯底單層石墨烯,CVD石墨烯
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      CVD碳化硅襯底單層石墨烯 產(chǎn)品信息

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      產(chǎn)品編號(hào):
      11110365316
      產(chǎn)品名稱:
      | CVD SiC襯底單層石墨烯
      規(guī) 格:
      產(chǎn)品備注:
      產(chǎn)品類別:
      石墨烯系列產(chǎn)品
       
         產(chǎn) 品 說 明
      通常,石墨烯大多是在金屬表面上用CVD技術(shù)生長的,在微電子或電子器件的應(yīng)用中不得不將其從導(dǎo)電的金屬上用化學(xué)方法剝離,將其置于分離的襯底上再應(yīng)用。這在器件的制備上存在很大的局限性,而在半絕緣(高阻)SiC襯底上生長的石墨烯可以直接用來制備電子器件,如高頻電子器件、光電子器件及量子器件等,尤其是在SiC襯底上用CVD技術(shù)生長的石墨烯與CMOS工藝兼容,因而無需進(jìn)行襯底轉(zhuǎn)移,即可應(yīng)用于電子器件研制。
      在4H和6H型SiC襯底上生長單層/雙層和三層石墨烯
      晶型
      晶體性質(zhì)
      石墨烯生長面
      石墨烯
      4H-SiC
      半絕緣型
      4H-SiC的Si面
      4H-SiC的C面
      P型或N型
      4H-SiC
      導(dǎo)電型
      4H-SiC的Si面
      4H-SiC的C面

      6H-SiC
      半絕緣型
      6H-SiC的Si面
      6H-SiC的C面
      P型或N型
      6H-SiC
      導(dǎo)電型
      6H-SiC的Si面
      6H-SiC的C面

      標(biāo)準(zhǔn)尺寸
      10mmx10mm,15mmx15mm,2英寸x 2英寸,4英寸x 4英寸
      標(biāo)準(zhǔn)尺寸
      φ2英寸,φ3英寸,φ4英寸,φ5英寸,φ6英寸
      定制尺寸
      根據(jù)客戶要求
       
      描述:
      ● 生長方法:CVD生長
      ● 覆蓋率:*
      ● 石墨烯層數(shù):1層,2層,3層
      ● 單層厚度:0.345 nm
      ● 載流子密度:N型5x1011-1.5x1013cm-2,P型1x1013-1.5x1013cm-2
      ● N型遷移率:3000 cm2/Vs
      ● P型遷移率:可達(dá)6500乃至8000 cm2/Vs(溫度:300K)
       
      應(yīng)用
      ● 高頻電子器件
      ● 光電子器件
      ● 量子器件
      ● 自旋電子學(xué)
      ● 光電探測器
      ● 新碳電子學(xué)
      ● 石墨烯半導(dǎo)體芯片
      ● 石墨烯計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器
      ● 生物技術(shù)
      ● 生物傳感器

      ● 氣體傳感器

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      名稱:     | CVD SiC襯底單層石墨烯
      名稱:     | CVD SiC襯底單層石墨烯
      名稱:    發(fā)光石墨烯量子點(diǎn)
      名稱:    石墨烯母粒
      名稱:    石墨烯和二維薄層材料檢測系統(tǒng)
      名稱:    磁性納米金剛石
      名稱:    氧化鐵磁性納米粒子
      名稱:    石墨烯懸浮液

       

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