10μm高精度檢測(cè)※,CMOS型微型激光位移傳感器HG-C誕生!
※HG-C1030(-P)的情況
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CE 、FDA 已取得。
CE : EMC指令(HG-C1050L(-P) 除外)
FDA : HG-C1050L(-P)除外
2016年6月 增加模擬電流輸出。
關(guān)于模擬輸出,“模擬電壓輸出”“模擬電流輸出”可任選其一。(HL-C1050L(-P)除外)
特點(diǎn)
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配備0~5V的模擬電壓輸出※2
用測(cè)距傳感器規(guī)定測(cè)定值
? 直線性:±0.1%F.S.※1
? 溫度特性:0.03%F.S./℃
※1 : HG-C1030/HG-C1050/HG-C1100的情況
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※2 :從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始,也可選擇模擬電流輸出選項(xiàng)。(HL-C1050L(-P)除外)
<緊湊>
形狀達(dá)到業(yè)內(nèi)小型級(jí)別※的CMOS激光傳感器 (※2015年5月,根據(jù)本公司調(diào)查)
設(shè)計(jì)出內(nèi)部安裝有鏡面的新型光學(xué)系統(tǒng) |
采用鋁鑄外殼,使機(jī)身免受變形和溫度的困擾 |
<占優(yōu)勢(shì)的穩(wěn)定檢測(cè)>
實(shí)現(xiàn)1/100mm的高精度檢測(cè)
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配備便利的功能
教導(dǎo)&窗口比較模式
存在檢測(cè)物體的狀態(tài)下,只需按下 “TEACH”鍵,即可簡(jiǎn)單地設(shè)定基準(zhǔn)值。
另外,在2個(gè)基準(zhǔn)值范圍內(nèi)即判為OK,超出范圍即判為NG,1個(gè)輸出即可做出判定。
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除教導(dǎo)&窗口比較模式外,還配備有[上升沿微分模式]、[下降沿微分模式]以及[通常檢測(cè)模式]。 在通常檢測(cè)模式下,可使用基本教導(dǎo)方法中的“2點(diǎn)教導(dǎo)”,存在微小物體和背景物體的情況下, 還可使用便捷的[限位教導(dǎo)]。 |
設(shè)定定時(shí)功能
可設(shè)定定時(shí)器的動(dòng)作:“OFF延遲定時(shí)器”、“ON延遲定時(shí)器”、“單觸式定時(shí)器”、“無(wú)定時(shí)器”。定時(shí)時(shí)間固定為5ms。
OFF延遲定時(shí)器 |
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峰值、谷值保持功能
配備有峰值保持功能或者谷值保持功能。
峰值保持功能:該功能有效時(shí),將會(huì)保持測(cè)量值的zui大值,顯示并輸出保持值。
谷值保持功能:該功能有效時(shí),將會(huì)保持測(cè)量值的zui小值,顯示并輸出保持值。
※不能同時(shí)設(shè)定峰值保持功能和谷值保持功能。
※設(shè)定峰值保持功能或者谷值保持功能時(shí),如執(zhí)行調(diào)零功能,則會(huì)使所保持的測(cè)量值復(fù)位。
基準(zhǔn)值微調(diào)功能
可在測(cè)量畫面中微調(diào)基準(zhǔn)值。教導(dǎo)后,也可對(duì)基準(zhǔn)值進(jìn)行微調(diào)。
按鍵鎖定功能
可使按鍵操作失效,以免錯(cuò)誤地更改已設(shè)定的條件。
※關(guān)于其他功能以及各功能的設(shè)定步驟,請(qǐng)參照「使用注意事項(xiàng) PRO模式設(shè)定」。
微晶石平整度檢測(cè)新利器[HG-C1050L]
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陶瓷行業(yè)特別*
方式,有效區(qū)分表層(透明)與底層(非透明)平面,準(zhǔn)確測(cè)量表層的平整度。
搭載CMOS,高精度&小尺寸兼顧
繼承HG-C1000搭載高精度CMOS及小尺寸的特性,在此基礎(chǔ)上追加微晶石檢測(cè)方式,實(shí)現(xiàn)光澤表面的精準(zhǔn)檢測(cè)。
雙重模擬輸出可切換
配備模擬電流4mA~20mA輸出,模擬電壓0V~5V輸出,兩種輸出方式可切換,用戶按需選擇。(默認(rèn):模擬電流輸出)
用途
真實(shí)傳達(dá)測(cè)量值
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小型?輕量
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長(zhǎng)距離測(cè)量
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的段差檢測(cè)性能
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種類
種類 | 形狀 | 測(cè)量中心距離 和測(cè)量范圍 | 重復(fù) 精度 | 光束直徑 (注1) | 型號(hào) | |
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NPN輸出 | PNP輸出 | |||||
檢測(cè)中心 30mm型 | ![]() | 30±5mm | 10μm | 約ø50μm | HG-C1030 | HG-C1030-P |
檢測(cè)中心 50mm型 | 50±15mm | 30μm | 約ø70μm | HG-C1050 | HG-C1050-P | |
檢測(cè)中心 50mm型 | 50±4mm | 20μm | 約ø150μm | ![]() HG-C1050L | ![]() HG-C1050L-P | |
檢測(cè)中心 100mm型 | 100±35mm | 70μm | 約ø120μm | HG-C1100 | HG-C1100-P | |
檢測(cè)中心 200mm型 | 200±80mm | 200μm | 約ø300μm | ![]() HG-C1200 | ![]() HG-C1200-P | |
檢測(cè)中心 400mm型 | 400±200mm | 300μm (檢測(cè)距離 200~400mm) 800μm (檢測(cè)距離 400~600mm) | 約ø500μm | ![]() HG-C1400 | ![]() HG-C1400-P |
(注1): | 測(cè)量中心距離處的值。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義這些值。 如果定義范圍外有漏光,并且檢測(cè)點(diǎn)范圍的反射率高于檢測(cè)點(diǎn)本身,則結(jié)果可能會(huì)受到影響。 |
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