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”和“TransFar創(chuàng)四方
”兩大自主品牌，產(chǎn)品覆蓋全國并遠銷海外。集團擁有占地面積80余畝，建筑面積40000m²的福建產(chǎn)業(yè)基地(位于福建省南平市武夷新區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi))。集團系中國電源學(xué)會理事單位，北京電源行業(yè)協(xié)會常務(wù)理事單位，中國電子質(zhì)量管理協(xié)會會員單位， 電車人產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事單位，ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證單位，中國電子行業(yè)用戶滿意企業(yè)、用戶滿意產(chǎn)品單位。 經(jīng)過多年發(fā)展，公司匯聚了一批高素質(zhì)的專業(yè)技術(shù)人才，在各類產(chǎn)品上都能實現(xiàn)有針對性的專業(yè)性設(shè)計和高品質(zhì)制造。所有產(chǎn)品都具有結(jié)構(gòu)布局合理、隔離耐壓高、散熱好、環(huán)境適應(yīng)能力強等顯著優(yōu)點，可廣泛應(yīng)用于新能源電動汽車、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電力智能化、鐵路、工業(yè)控制系統(tǒng)、電力電子裝置、智能儀器儀表、通用電器設(shè)備等不同行業(yè)復(fù)雜的使用環(huán)境中。 我公司的設(shè)計將以市場需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新，關(guān)注客戶并努力為客戶創(chuàng)造價值，與業(yè)界同仁攜手并進，共同為電子元器件市場和電力電子行業(yè)的繁榮與發(fā)展做出應(yīng)有的貢獻。 DRT系列IGBT驅(qū)動變壓器系我公司為驅(qū)動IGBT和MOSFET而專門研制的產(chǎn)品，以非晶合金和納米晶合金作為磁芯，可滿足多項應(yīng)用要求。
一．產(chǎn)品特點：
① 耦合電容低，使之具有很高的抗干擾能力；
② 漏感小，保證了更好的輸出脈沖波形；
③ 無開關(guān)延時、瞬時傳輸功率高；
④ 抗電強度高，安全可靠；
⑤ 全封閉，機械和耐環(huán)境性能好；
⑥ 體積小巧，結(jié)構(gòu)緊湊，外形美觀，針腳穿孔式安裝，使用方便。
二．使用條件：
① 環(huán)境溫度：-40℃~+85℃
② 相對濕度：溫度為40℃時不大于90%
③ 大氣壓力：860~1060mbar（約為650~800mmHg）
三．絕緣耐熱等級：F級（155℃）
四．安全特性：
① 絕緣電阻：常態(tài)時大于1000MΩ
② 阻燃性：符合UL94-V0級
五．各參數(shù)意義及外形圖、安裝尺寸、線圈圖和主要技術(shù)參數(shù)（典型值）
① 各參數(shù)的意義：
u—變比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。
VP—各繞組之間施加的抗電強度試驗電壓之有效值，持續(xù)時間60s。
∫udt—額定伏微秒積≈V1·tn（在一定頻率范圍內(nèi)其值基本不變）。
V1—輸入脈沖幅度（初級脈沖電壓）。
tn—在相應(yīng)的V1和FP下驅(qū)動變壓器的額定傳輸脈寬。
V2—輸出脈沖幅度（次級脈沖幅度）。
RL—IGBT模塊或MOSFET控制級等效電阻。
LP—線圈初級電感量 f=1000Hz V=0.3V
LS—漏感（將次級繞組短路后測量）f=1000Hz V=1V
CK—分布電容 f=1000Hz V=1V
② 外形圖、安裝尺寸、線圈圖及主要技術(shù)參數(shù)
| u | Vp （kV） | 初級電感 LP | 漏感 LS | 分布電容 CK | ∫udt （μV S） | V1 （V） | tn （μS） | V2 （V） | RL （Ω） | 使用頻率范圍 |
| 1:1:1 | 6.0 | 3.5mH | 4.5μH | 50pF | ≥1000 | 15 | 66.6 | 13 | 100 | 100Hz~50 kHz |
