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clpt一級(jí)制冷高分辨率短波紅外芯片

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱西安立鼎光電科技有限公司
品牌
型號(hào)PFA-640×51
所在地西安市
廠商性質(zhì)代理商
更新時(shí)間2016/11/7 16:48:38
訪問次數(shù)1391

產(chǎn)品標(biāo)簽:

中華立鼎 CLPT 銦鎵砷紅外探測(cè)器

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

全波段點(diǎn)元/面陣光電探測(cè)器，中國臺(tái)灣CLPT、美國JUDSON、波蘭VIGO、德國IFW、美國InfraRed、美國GPD、美國AGI、美國EOS、美國ALP、美國Voxtel、西班牙NIT、美國Goodrich、法國Sofradir/Ulis、英國Raptor、以色列Opgal、美國Flir、法國NIT、美國SEKAI、美國COHU、美國FASTVISION、美國SVSI、美國Macken、美國Coherent、加拿大Gentec-EO、美國ISDC、波蘭INFRAMET、英國Image、美國Ocean Optics、美國Princetel等30多個(gè)公司。

產(chǎn)品覆蓋：全波段點(diǎn)元/面陣光電探測(cè)器（0.2-26um）、短波紅外相機(jī)(0.9-1.7um/1.2-2.2um)、紅外熱像儀、夜視儀、**手探測(cè)儀、熱成像機(jī)芯(0.9-1.7um/3-5um/8-14um)、EMCCD/ICCD/CMOS/ICMOS相機(jī)、高速相機(jī)、光功率計(jì)、光能量計(jì)、光纖滑環(huán)、光譜分析儀、光電類*/通用測(cè)試設(shè)備、激光器、激光測(cè)距機(jī)等十多個(gè)光電產(chǎn)品。廣泛應(yīng)用于：航空、航天、兵器、船舶、電子、中科院、高校、工業(yè)、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域。

公司始終秉承“**技術(shù)、誠實(shí)服務(wù)、合作共贏”的發(fā)展理念，真誠與國內(nèi)外廣大用戶、合作伙伴及同行攜手合作，共創(chuàng)光電事業(yè)美好明天！

展開顯示更多內(nèi)容

光電探測(cè)器，紅外相機(jī)，中國臺(tái)灣clpt，波蘭vigo、德國ifw，美國infrared，英國raptor，德國ircam

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

中國臺(tái)灣中華立鼎光電是一家研發(fā)、生產(chǎn)高品質(zhì)InGaAs短波探測(cè)器的公司，其產(chǎn)品從點(diǎn)元探測(cè)器到面陣探測(cè)器，質(zhì)量可靠，價(jià)格合理，得到世界客戶的廣泛認(rèn)可和應(yīng)用。在大陸地區(qū)的*合作伙伴-西安立鼎光電負(fù)責(zé)大陸地區(qū)的該公司全線產(chǎn)品的市場(chǎng)推廣和。clpt一級(jí)制冷高分辨率短波紅外芯片

clpt一級(jí)制冷高分辨率短波紅外芯片產(chǎn)品信息

FPA-640*512 InGaAs Imager（0.9um-1.7um）

此InGaAs焦平面陣列是應(yīng)用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術(shù)，尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案，CLPT的核心技術(shù)是實(shí)現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列，CLCC封裝也便于CCD與CMOS數(shù)碼相機(jī)銷售商的機(jī)械設(shè)計(jì)。靈敏度可以通過使用嵌入式TEC進(jìn)一步提高，高可靠性可以通過密封金屬封裝來實(shí)現(xiàn)。

Features（特點(diǎn)）

640*512陣列格式

25um 象元間距

Kovar metal一級(jí)制冷

低暗電流

高量子效率

高可操作性

Applications（應(yīng)用）

近紅外成像

超光譜

秘密監(jiān)察

半導(dǎo)體檢測(cè)

天文學(xué)和科學(xué)

工業(yè)熱成像

FPA-640*512說明

參數(shù)	單位	zui小值	zui大值
工作溫度范圍	℃	-20	+85
儲(chǔ)存溫度范圍	℃	-40	+85
功耗	mW	---	325
TEC 電流	A	---	1.8
TEC 電壓	V	---	15.4

FPA Characteristics（FPA特性）

參數(shù)	典型值	條件
光譜響應(yīng)	0.9-1.7um	---
zui小像素的可操作性	>99%	636*508內(nèi)的中心地區(qū)
暗電流	<0.2PA	25℃,0.1V探測(cè)器偏壓
量子效率	>70%	λ=1.0um-1.6um
探測(cè)率	≥5*10¹¹ jones	25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益
響應(yīng)非均勻性	<10%	飽和度低于50%,25℃
非線性(zui大偏差)	<2%	超過15%-85%全阱容量，低增益
zui大像素率	10MHz	---
增益	High:32.3uV/e^- Low:1.2 uV/e^-	25℃
TEC 制冷	ΔT>70℃	無需加載