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      420v3300uf EPCOS電容B43456-S0338-M1

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      • 公司名稱北京京誠宏泰科技有限公司
      • 品       牌
      • 型       號(hào)偉肯電容
      • 所  在  地北京市
      • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
      • 更新時(shí)間2024/1/19 12:29:47
      • 訪問次數(shù)4562
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      B43456-S0338-M1EPCOS電容420v3300uf

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      北京京誠宏泰科技有限公司是一家集代理、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。專業(yè)銷售代理國內(nèi)外電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要代理及經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron、瑞士ABB, IXYS艾賽斯、Mitsubishi三菱、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、Sanken三肯、因達(dá)NIEC,美國IR,NELL尼爾;yaskawa安川;英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、美國BHC電解電容以及美國CDE無感電容;CONCEPT IGBT驅(qū)動(dòng)模塊、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動(dòng)板,操作面板及延長電纜等配件以及富士制動(dòng)單元

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      420v3300uf EPCOS電容B43456-S0338-M1
      Vacon偉肯變頻器電容B43456-S0338-M1
      420v3300uf電容B43456-S0338-M1
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      420v3300uf EPCOS電容B43456-S0338-M1

      Vacon偉肯變頻器電容B43456-S0338-M1

      EPCOS 420v3300uf 電容B43456-S0338-M1

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      EPCOS電容B43456-S0338-M1

      B43456-S0338-M1

      B43456-S9228-M1

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      B43456-A9478-M  

      B43456-S9608-M2

      鋁電解電容器選型要點(diǎn):

      1.容量和額定工作電壓:

      在電容選型中,對電流變化頻率高的地方要選用較大容量的電容,但并非容量越大越好,需要考慮容量增大,成本和體積可能會(huì)上升及電容越大充電電流就越大,充電時(shí)間也會(huì)越長等因素。     

      常用的固定電容工作電壓有6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、250V、400V、500V、630V。電容在電路中實(shí)際要承受的電壓不能超過它的耐壓值。在交流電路中,要注意所加的交流電壓zui大值不能超過電容的直流工作電壓值。

      在濾波電路中,電容的耐壓值不要小于交流有效值的1.42倍。其次需要考慮工作電壓裕量,一般來說要在15%以上。讓電容器的額定電壓具有較多的余裕,能降低內(nèi)阻、降低漏電流、降低損失角、增加壽命。

      2.介質(zhì)損耗:

      電容器在電場作用下消耗的能量,通常用損耗功率和電容器的無功功率之比,即損耗角的正切值表示(在電容器的等效電路中,串聯(lián)等效電阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比稱之為 Tan δ。 ESR 是在 120Hz 下計(jì)算獲得的值。顯然,Tan δ隨著測量頻率的增加而變大,隨測量溫度的下降而增大)。損耗角越大,電容器的損耗越大,損耗角大的電容不適于高頻情況下工作。

      散逸因數(shù)dissipationfactor(DF)會(huì)以損失角tanδ表示,愈低愈好。此參數(shù)與溫度、容量、電壓、頻率……都有關(guān)系;當(dāng)容量相同時(shí),耐壓愈高的DF值就愈低。此外隨溫度,頻率上升而升高。

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      3.ESR:

      電容器會(huì)因其構(gòu)造而產(chǎn)生各種阻抗、感抗。ESR(等效串聯(lián)電阻)及ESL(等效串聯(lián)電感)是容抗的基礎(chǔ)。一個(gè)等效串聯(lián)電阻(ESR)很小的電容相對較大容量的外部電容能很好地吸收快速轉(zhuǎn)換時(shí)的峰值(紋波)電流。用 ESR 大的電容并聯(lián)更具成本效益。

      4.紋波電流和紋波電壓:

      也稱作漣波電流和漣波電壓,即 ripple current,ripple voltage。含義是電容器所能耐受紋波電流/電壓值。紋波電壓等于紋波電流與ESR的乘積。

      散逸因數(shù)dissipationfactor(DF)會(huì)以損失角tanδ表示,愈低愈好。此參數(shù)與溫度、容量、電壓、頻率……都有關(guān)系;當(dāng)容量相同時(shí),耐壓愈高的DF值就愈低。此外隨溫度,頻率上升而升高。

      當(dāng)紋波電流增大的時(shí),即使在 ESR 保持不變的情況下,紋波電壓也會(huì)成倍提高。換言之,當(dāng)紋波電壓增大時(shí),紋波電流也隨之增大,這也是強(qiáng)調(diào)電容具備更低 ESR 值的原因。疊加入紋波電流后,由于電容內(nèi)部的等效串連電阻(ESR)引起發(fā)熱,從而影響到電容器的使用壽命。一般的,紋波電流與頻率成正比,因此低頻時(shí)紋波電流也比較低。

      額定紋波電流是在zui高工作溫度條件下定義的數(shù)值。而實(shí)際應(yīng)用中電容的紋波承受度還跟其使用環(huán)境溫度及電容自身溫度等級有關(guān)。

      5.漏電流:

      電容器的介質(zhì)對直流電流具有很大的阻礙作用。然而,由于鋁氧化膜介質(zhì)上浸有電解液,在施加電壓時(shí),重新形成的以及修復(fù)氧化膜的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生一種很小的稱之為漏電流的電流。通常,漏電流會(huì)隨著溫度和電壓的升高而增大。它的計(jì)算公式大致是:I=K×CV。漏電流I的單位是μA,K是常數(shù)。一般來說,電容器容量愈高,漏電流就愈大。從公式可得知額定電壓愈高,漏電流也愈大,因此降低工作電壓亦可降低漏電流。

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      6.壽命: 

      影響電容壽命的原因有很多,如過電壓,逆電壓,高溫,急速充放電等,正常使用的情況下,zui大的影響就是溫度,因?yàn)闇囟仍礁唠娊庖旱膿]發(fā)損耗越快。需要注意的是這里的溫度不是指環(huán)境或表面溫度,是指鋁箔工作溫度

      因電容的工作溫度每增高10℃壽命減半,所以要注意壽命的測試溫度。每個(gè)廠商都有溫度和壽命的計(jì)算公式,在設(shè)計(jì)電容時(shí)要參照實(shí)際數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算。需要了解的是要提高鋁電解電容的壽命,*要降低工作溫度,在PCB上遠(yuǎn)離熱源,第二考慮使用zui高工作溫度高的電容,當(dāng)然價(jià)格也會(huì)高。

      7.阻抗:

      在特定的頻率下,阻礙交流電流通過的電阻即為所謂的阻抗。它與電容等效電路中的電容值、電感值密切相關(guān),且與 ESR 也有關(guān)系。電容的容抗在低頻率隨著頻率的增加而減小,中頻時(shí)電抗降至ESR的值。當(dāng)頻率達(dá)到高頻時(shí)感抗變?yōu)橹鲗?dǎo),所以阻抗是隨著頻率的增加而增加。

      開關(guān)電源中的輸出濾波電解電容,其鋸齒波電壓頻率高達(dá)數(shù)十kHz,甚至是數(shù)十MHz,這時(shí)電容量并不是其主要指標(biāo),衡量高頻鋁電解電容優(yōu)劣的標(biāo)準(zhǔn)是“阻抗-頻率"特性,要求在開關(guān)電源的工作頻率內(nèi)要有較低的等效阻抗,同時(shí)對于半導(dǎo)體器件工作時(shí)產(chǎn)生的高頻尖峰信號(hào)具有良好的濾波作用。

      8.外型尺寸:

      外型尺寸與重量及接腳型態(tài)相關(guān)。single ended是徑向引線式,screw是鎖螺絲式,另外還有貼片鋁電解電容等。一般來說,直徑相同、容量相同的電容,高度低的可以代用高度大的電容,但是長度高的替代低的電容時(shí)就要考慮機(jī)構(gòu)干涉問題。

      散逸因數(shù)dissipationfactor(DF)會(huì)以損失角tanδ表示,愈低愈好。此參數(shù)與溫度、容量、電壓、頻率……都有關(guān)系;當(dāng)容量相同時(shí),耐壓愈高的DF值就愈低。此外隨溫度,頻率上升而升高。

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