46寸超窄邊DID液晶拼接屏技術參數表

型號 KB-FD460E-2

等級 Samsung 全新A規(guī)全無點DID屏

屏幕尺寸 1023.98MM×578.57MM× 46inch

圖像長寬比 16:9

拼縫 5.5mm（雙邊拼縫）

分辨率 1920(H)×1080(V)

點距 0.53025 (H)×0.53025 (V)

響應時間 8ms

色彩 8 bit，16.7m

亮度 450cd/㎡

對比度 4000:1

色溫 10000K

可視角度（H/V） 178/178度

顯示面積 1018.6MM×572.67MM

電源 AC 100V～240V，50/60Hz,Universal，±10%

功耗 210W（正常工作狀態(tài)）

電源管理 G:AC100V-240V 50/60Hz；G:5.0A(zui大)

使用壽命 60000 小時

*分辨率 1920×1080

重量 21Kg

背光 LED背光源

科技液晶拼接墻及控制器的特點；

拼接墻的主要功能特點:

1、具有多種任意畫面組合拼接模式，zui大可擴展到64路組合拼接，可對各單元進行任意切換組合（軟件提供8種拼接組合模式）。

2、具有三種信號輸入格式，即復合視頻/ 單路VGA/單路YPbPr格式；

3、具有強大的V12數字引擎功能，使得圖像更鮮艷、逼真、穩(wěn)定； 拼接控制器的主要功能特點: 1、控制器具有針對于LCD拼接具有屏幕補償（調整圖形重顯率）的特點。

4、控制器的高速視頻處廣州46寸DID窄/超窄邊液晶拼接電視墻廠家格

● 采用易傳科技第四代透霧、低照度圖像增強引擎提升功能

● 采用易傳科技第四代運動補償功能

● 采用三星DID的液晶面板 ● 采用O/S驅動控制電路技術

● 采用的色彩校正技術及*的寬視角處理技術

● 采用易傳科技第二代V12數字陣列高速圖像處理技術

● 采用3D高畫質圖像數字處理技術

● 采用RC智能自適應數字處理技術

● 采用H2S寬動態(tài)技術

● 采用智能自動消殘影技術 ● 高可靠、高穩(wěn)定，使用壽命長

深圳寬博科技有限公司專門從事平板顯示設備的研發(fā)、生產與銷售，產品面向整個亞太地區(qū)。公司始終以產品質量為核心，服務*為已任，以作為亞洲的平板顯示設備及應用解決方案的供應商，寬博始終站在液晶顯示行業(yè)發(fā)展的前沿，并*與，SAMSUNG、SHARP、LG等液晶品牌廠商保持良好的戰(zhàn)略合作伙伴關系。

寬博始終堅持自主創(chuàng)新的經營理念，旗下自主研發(fā)生產的產品有：液晶拼接屏,液晶拼接大屏， 三星液晶拼接屏， did液晶屏， 液晶拼接，液晶電視拼接墻， 液晶拼接墻，大屏拼接，多屏拼接， did 液晶拼接屏價格，液晶拼接屏，液晶拼接大屏， 三星液晶拼接屏,液晶租賃，液晶監(jiān)視器，液晶廣告機 ,液晶觸摸屏,紅外觸摸屏,光學觸摸屏,大尺寸觸摸一體機82寸DID顯示屏，82寸液晶監(jiān)視器，82寸觸摸一體機，55寸超窄邊拼接屏，三星55寸拼接屏，夏普108寸液晶電視，夏普108寸專業(yè)顯示器、多媒體矩陣切換器、液晶拼接處理器、紅外，光學觸摸一體機、液晶拼接單元、液晶商用顯示器、液晶監(jiān)視器等。其產品廣泛地應用于監(jiān)控、廣告?zhèn)髅?、廣電、電力、金融、交通、酒店等多個領域的不同行業(yè)。

“我們期望每一位客戶在選用KUANBO液晶顯示產品的同時，更得到優(yōu)質滿意的服務，并期望成為公司*的合作伙伴”，這是寬博對每位客戶作出的承諾，也是我們孜孜以求的目標和能力所長。

產品八大優(yōu)勢：

1. 質量保證：中國*品牌、華南地區(qū)，產品技術99%保證

2. 價格實惠：廠家直供無中間環(huán)節(jié)，質優(yōu)價廉，*：

3. 品質過硬：返修率低，產品使用壽命時間長

4. 證書正規(guī)：資質認證齊全，等級通過市場間都管理局認可

5. 服務到位：24小時，及時處理客戶問題，產品保修一年

6. 團隊專業(yè)：多年專業(yè)研發(fā)經驗，在電子元器件行業(yè)中無出其右

7. 供貨量足：款到當天即可發(fā)貨。

注意事項；

1、 防止明火、高溫和碰撞，請不要止于雨中或潮濕的地方。

2、 在調試和使用過程中，操作不當可能導致設備損壞。

3、 此設備可以連續(xù)使用。

4、 請勿在工作中頻繁開關機，嚴禁敲打設備，以上行為都可能使設備損壞和加速設備老化。

5、 做到輕拿輕放

安全使用說明

清潔——用軟布擦拭清潔，勿使用酒精等化學溶液。

電壓——該設備使用標準220V交流市電

能耗——本產品功耗根據所驅動液晶屏型號而定，總功率不大于300W。*不使用時請關閉電源或拔掉插頭。

環(huán)境——不要將本品暴露在潮濕、雨、沙地或溫度過高的地方存儲和使用

注意——該設備在工作時請將之置于通風干燥無強烈震動的地方

LED芯片原理分類基礎知識大全

一、LED歷史 50年前人們已經了解半導體材料可產生光線的基本知識,1962年,通用電氣 公司的尼 克何倫亞克(NickHolonyakJr.)開發(fā)出第

一種實際應用的可見光發(fā)光二極管。LED是英文light emitting diode(發(fā)光二極管)的縮寫,它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料, 置于一個有引線的架子上,然后四周用環(huán)氧樹脂密封,即固體封裝,所以能起到保護內部芯 線的作用,所以LED的抗震性能好。 zui初LED用作儀器儀表的指示光源,后來各種光色的LED在交通信 號燈和大面積顯 示屏中得到了廣泛應用,產生了很好的經濟效益和社會效益。以12英寸的紅色交通信號燈 為例,在美國本來是采用長壽命、低光效的140瓦白熾燈 作為光源,它產生2000流明的白 光。經紅色濾光片后,光損失90%,只剩下200流明的紅光。而在新設計的燈中,Lumileds 公司采用了18個紅色LED光源,包括電路損失在內,共耗電14瓦,即可產生同樣的光效。 汽車 信號燈也是LED光源應用的重要領域。

二、LED芯片的原理： LED(LightEmittingDiode),發(fā)光二極管,是一種固態(tài)的半導體器件,它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片,晶片的一端附在一個支架 上,一端是負極,另一端連接電源的正極,使整個晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成, 一部分是P型半導體,在它里面空穴占主導地位,另一端是N型半導體,在這邊主要是電 子。但這兩種半導體連接起來的時候,它們之間就形成一個“P-N結”。當電流通過導線作用 于這個晶片的時候,電子 就會被推向P區(qū),在P區(qū)里電子跟空穴復合,然后就會以光子的 形式發(fā)出能量,這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長也就是光的顏色,是由形成P-N結的 材料決定的。

三、LED芯片的分類：

芯片定義與特點 定義：lBonding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的產品。 特點： (1)采用高散熱系數的材料---Si作為襯底,散熱容易。 ThermalConductivity GaAs:46W/m-K GaP:77W/m-K Si:125～150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC:490W/m-K (2)通過金屬層來接合(waferbonding)磊晶層和襯底,同時反射光子,避免襯底的吸收。 (3)導電的Si襯底取代GaAs襯底,具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4倍),更適 應于高驅動電流領域。 (4)底部金屬反射層,有利于光度的提升及散熱。 (5)尺寸可加大,應用于Highpower領域,eg:42milMB。

芯片定義和特點 定義：GlueBonding(粘著結合)芯片;該芯片屬于UEC的產品。 特點： (1)透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底,其出光功率是傳統(tǒng)AS(Absorbable structure) 芯片的2倍以上,藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。 (2)芯片四面發(fā)光,具有出色的Pattern圖。 (3)亮度方面,其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。 (4)雙電極結構,其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。

芯片定義和特點 定義：transparentstructure(透明襯底)芯片,該芯片屬于HP的產品。 特點: (1)芯片工藝制作復雜,遠高于ASLED。 (2)信賴性。 (3)透明的GaP襯底,不吸收光,亮度高。 (4)應用廣泛。

芯片定義與特點 定義：Absorbablestructure(吸收襯底)芯片;經過近四十年的發(fā)展努力,中國臺灣LED光 電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)、生產、銷售 處于成熟的階段,各大公司在此方面的研發(fā)水平 基本處于同一水平,差距不大。 大陸芯片制造業(yè)起步較晚,其亮度及可靠度與中國臺灣業(yè)界還有一定的差距,在這里我們所 談的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR,709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。 特點： (1)四元芯片,采用MOVPE工藝制備,亮度相對于常規(guī)芯片要亮。 (2)信賴性優(yōu)良。 (3)應用廣泛。
四、發(fā)光二極管芯片材料磊晶種類 ：LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP ：VaporPhaseEpitaxy(氣相磊晶法)GaAsP/GaAs ：lOrganicVaporPhaseEpitaxy(有機金屬氣相磊晶法)AlGaInP、GaN ：GaAlAs/GaAsSingleHeterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs ：GaAlAs/GaAsDoubleHeterostructure(雙異型結構)GaAlAs/GaAs ：GaAlAs/GaAlAsDoubleHeterostructure(雙異型結構)GaAlAs/GaAlAs

五、LED芯片組成及發(fā)光 LED晶片的組成：主要有砷(AS)鋁(AL)鎵(Ga)銦(IN)磷(P)氮(N)鍶(Si)這幾種元素中的 若干種組成。

LED晶片的分類：

1、按發(fā)光亮度分： A、一般亮度：R、H、G、Y、E等 B、高亮度：VG、VY、SR等 C、超高亮度：UG、UY、UR、UYS、URF、UE等 D、不可見光(紅外線)：R、SIR、VIR、HIR E、紅外線接收管：PT F、光電管：PD

2、按組成元素分： A、二元晶片(磷、鎵)：H、G等 B、三元晶片(磷、鎵、砷)：SR、HR、UR等 C、四元晶片(磷、鋁、鎵、銦)：SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG

晶片特性表： LED晶片型號發(fā)光顏色組成元素波長(nm) SBI藍色lnGaN/sic430HY超亮黃色AlGalnP595 SBK較亮藍色lnGaN/sic468SE高亮桔色GaAsP/GaP610 DBK較亮藍色GaunN/Gan470HE超亮桔色AlGalnP620 SGL青綠色lnGaN/sic502UEzui亮桔色AlGalnP620 DGL較亮青綠色LnGaN/GaN505URFzui亮紅色AlGalnP630 DGM較亮青綠色lnGaN523E桔色GaAsP/GaP635 PG純綠GaP555R紅色GAaAsP655 SG標準綠GaP560SR較亮紅色GaA/AS660 G綠色GaP565HR超亮紅色GaAlAs660 VG較亮綠色GaP565URzui亮紅色GaAlAs660 UGzui亮綠色AIGalnP574H高紅GaP697 Y黃色GaAsP/GaP585HIR紅外線GaAlAs850 VY較亮黃色GaAsP/GaP585SIR紅外線GaAlAs880 UYSzui亮黃色AlGalnP587VIR紅外線GaAlAs940 UYzui亮黃色AlGalnP595IR紅外線GaAs940

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