1、 降低孔隙率,晶核的形成速度大于成長(zhǎng)速度,促使晶核細(xì)化。
2、 改善結(jié)合力,使鈍化膜擊穿,有利于基體與鍍層之間牢固的結(jié)合。
3、 改善覆蓋能力和分散能力,高的陰極負(fù)電位使普通電鍍中鈍化的部位也能沉積,減緩形態(tài)復(fù)雜零件的突出部位由于沉積離子過(guò)度消耗而帶來(lái)的“燒焦”“樹(shù)枝狀”沉積的缺陷,對(duì)于獲得一個(gè)給定特性鍍層（如顏色、無(wú)孔隙等）的厚度可減少到原來(lái)1/3~1/2,節(jié)省原材料。
4、 降低鍍層的內(nèi)應(yīng)力,改善晶格缺陷、雜質(zhì)、空洞、瘤子等,容易得到無(wú)裂紋的鍍層,減少添加劑。
5、 有利于獲得成份穩(wěn)定的合金鍍層。
6、 改善陽(yáng)極的溶解,不需陽(yáng)極活化劑。
7、 改進(jìn)鍍層的機(jī)械物理性能,如提高密度降低表面電阻和體電阻,提高韌性、耐磨性、抗蝕性而且可以控制鍍層硬度。
傳統(tǒng)的電鍍抑制副作用的產(chǎn)生、改善電流分布、調(diào)節(jié)液相傳質(zhì)過(guò)程、控制結(jié)晶取向顯得毫無(wú)作用,面對(duì)絡(luò)合劑和添加劑的研究成了電鍍工藝研究的主要方向。納米開(kāi)關(guān)電源解決了傳統(tǒng)整流器存在的缺陷。

8、提高產(chǎn)品成品率、產(chǎn)品質(zhì)量。

 本產(chǎn)品以優(yōu)質(zhì)進(jìn)口IGBT作為主功率器件，以超微晶（又稱納米晶）軟磁合金材料為主變壓器鐵芯,主控制系統(tǒng)采用了多環(huán)控制技術(shù),結(jié)構(gòu)上采取了防鹽霧酸化措施。電源產(chǎn)品結(jié)構(gòu)合理，可靠性強(qiáng)。該電源以其體積小、重量輕、高效率、高可靠的*性能成為可控硅電源的更新?lián)Q代產(chǎn)品。適用于實(shí)驗(yàn)、氧化、電解、鍍鋅、鍍鎳、鍍錫、鍍鉻、光電、冶煉、化成、腐蝕等各種精密表面處理場(chǎng)所。在陽(yáng)極氧化、真空鍍膜、電解、電泳、水處理、電子產(chǎn)品老化、電加熱、電化學(xué)等方面也得到用戶*好評(píng)。特別是在PCB、電鍍、電解行業(yè)領(lǐng)域,成為眾多客戶的*電源產(chǎn)品。

 

 

1、體積小、重量輕：

體積與重量為可控硅鍍鋅電源的1/5-1/10，便于您規(guī)劃、擴(kuò)建、移動(dòng)、維護(hù)和安裝。

2、節(jié)能效果好：

開(kāi)關(guān)電源由于采用了高頻變壓器，轉(zhuǎn)換效率大大提高，正常情況下較可控硅設(shè)備提高效率10%以上，負(fù)載率達(dá)70%以下時(shí)較可控硅設(shè)備提高效率30%以上。

3、輸出穩(wěn)定性高：

由于系統(tǒng)反應(yīng)速度快（微秒級(jí)），對(duì)于網(wǎng)電及負(fù)載變化具有*的適應(yīng)性，輸出精度可優(yōu)于1%。開(kāi)關(guān)電源的工作效率高、所以控制精度高，有利于提高產(chǎn)品質(zhì)量。

4、輸出波形易于調(diào)制：

由于工作頻率高，其輸出波形調(diào)整相對(duì)處理成本較低，可以較方便的按照用戶工藝要求改變輸出波形。這樣對(duì)于工作現(xiàn)場(chǎng)提高工效，改善加工產(chǎn)品質(zhì)量有較強(qiáng)作用。

 

 

 

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（電流10A～20000A,電壓3V～600V）,生產(chǎn)周期一周左右。

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主要產(chǎn)品規(guī)格：