1、              設備名稱與型號：自動溫控加熱板NHP-320

2、              設備外觀圖：（見圖）

3、              設備概要：本設備可以同時加熱30片2″wafer，片子通過PIN升降達到所有wafer加熱時間相同，克服因人工夾放wafer造成的工藝不穩(wěn)定問題。

4、              設備規(guī)格：

1）         基板尺寸：2″wafer；

2）         Through Put：30片/run；

3）         溫度范圍：20~150℃（Plate表面）；

4）         HP材質(zhì)：AL+SALW（陽極處理）+Silastic Heater；

5）         加熱面尺寸：（W×D×H） 510×430×12（mm）；

6）         溫度分布：90℃ ±1℃；120℃±1℃；

7）         溫度Sensor：PT100型熱電偶；

8）         溫度表示：溫度調(diào)整器Digital表示；

9）         控制方式：Digital溫度調(diào)整器+SSR（PID）；

10）    設備外面尺寸：（W×D×H） 566×486×170（mm）；

11）    設備凈重：30Kg；

5、             設備運作流程：

（1）.查看設備外觀無運輸破損后，將電源線插入~220V接線板插坐;插上供氣管

（2）.打開電源開關(guān)，設備自檢初始化，頂針（PIN）頂起

（3）.設置加熱溫度；設置工作時間

（4）.放上待加熱晶片

（5）.按開始鍵，頂針下落，晶片落下，貼緊加熱板，開始加熱，時間繼電器開始記時

（6）.時間到，頂針（PIN）同時頂起晶片，所有晶片同時離開熱板不再加熱，蜂鳴器響起提醒工作人員取下加熱均勻的晶片。

（7）.工作過程中，遇突發(fā)事件，可按停止按健，頂針立即頂起晶片，停止加熱，時間繼電器復位，方便隨時進行人工干預。

6、              廠務要求：

7、              產(chǎn)品優(yōu)勢：

a）       30片/run，產(chǎn)能優(yōu)勢；

b）    Silastic Heater溫度均勻性更高。