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探測(cè)器
-- SDD硅漂移探測(cè)器（電制冷，只需要通電即可）
--典型分辨率：123ev,133ev（50000CPS）.
--輸入計(jì)數(shù)率：100KCPS，遠(yuǎn)大于Si-Pin與Si-Li（是其10倍左右）
--峰背比：>20000
--鈹窗厚度：8um Dura Be（一般的探測(cè)器在25um,對(duì)輕元素有更好的透過(guò)率，*的Dura技術(shù)
Be窗可以耐酸，堿的腐蝕）
--處理器：數(shù)字電路，放大倍數(shù)，時(shí)間常數(shù)可任意設(shè)置。
--高壽命，借助于其*的Dura Be技術(shù)，探測(cè)器在幾年的時(shí)間內(nèi)探測(cè)器的真空不會(huì)變壞，晶體不會(huì)損傷，無(wú)需擔(dān)心后期的維護(hù)費(fèi)用
2. X射線管
--高壓：0-50Kv連續(xù)可調(diào)
--電流：0-1000uA連續(xù)可調(diào)（0-2500uA可選，大電流對(duì)Na-K有更好的激發(fā)效果）
--功率：50W
--穩(wěn)定性：8小時(shí)0.2%
--高壽命，正確操作的情況下壽命可以達(dá)到50000小時(shí)
3. 高壓發(fā)生器
--輸入電壓：24VDC
--輸入電流：4A
--輸出電壓：50Kv，1mA（2.5mA可選，適配2500mA光管）
--zui大功率：50W
--穩(wěn)定性：8小時(shí)0.05%
4.精密結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
--垂直倒角設(shè)計(jì)，精密的控制保證優(yōu)異的重復(fù)性，上照式設(shè)計(jì)可以*避免灰塵的污染，使得儀器可以做到真正的免維護(hù)
5.冷卻散熱系統(tǒng)
--良好的多級(jí)溫控自反饋電路，室溫在5-25度，儀器結(jié)果不會(huì)有影響。
6.自動(dòng)進(jìn)樣系統(tǒng)
--8樣品自動(dòng)進(jìn)樣
二、 光譜分析系統(tǒng)控制和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)
--12位模/數(shù)轉(zhuǎn)換器
--17英寸顯示器
-- PentiumE5200計(jì)算機(jī)
--250G以上硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)
--多功能標(biāo)準(zhǔn)鍵盤(pán)
--打印機(jī)
三、 分析軟件
| --元素測(cè)量范圍：Na-U --可對(duì)RoHS指令中的五種有害元素進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)試 --可以測(cè)量鍍層厚度 --標(biāo)準(zhǔn)曲線法，理論系數(shù)法，基本參數(shù)法，多元比例法使您輕松應(yīng)對(duì)各種樣品的分析 --開(kāi)放式軟件設(shè)計(jì)，您可以自己開(kāi)發(fā)新的工作曲線 |
--內(nèi)置式參數(shù)設(shè)計(jì)，您在自己制作工作曲線時(shí)，各種干擾自動(dòng)扣除。
四、尺寸規(guī)格
--長(zhǎng)900mm寬550mm高680mm
五、 重量
重量約100kg
六、電源要求
--220V±10% 50Hz
七、工作環(huán)境
--溫度范圍：5—30℃。
--相對(duì)濕度小于等于80%
