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半導(dǎo)體功率器件I-V特性曲線分析儀器

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面議

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱上海九禮川貿(mào)易有限公司
品牌
型號STI5000C
所在地上海市
廠商性質(zhì)其他
更新時間2019/12/4 15:50:14
訪問次數(shù)5816

產(chǎn)品標(biāo)簽:

CURVE TRACER I-V特性曲線半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)

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公司介紹主營產(chǎn)品

美國STI公司全面的分立器件靜態(tài)參數(shù)解決方案供應(yīng)商；

美國科學(xué)測試儀器公司，全稱 Scientific Test, Inc.簡稱STI，總部位于美國德克薩斯州達(dá)拉斯市。STI自1981年成立至今，三十年如一日專注于分離器件的測試源及自動化測試設(shè)備的的開發(fā)；目前其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于美國軍工，半導(dǎo)體及電子制造工廠的QC/CP/FT/FA等部門。

STI公司的ST5300HX系列產(chǎn)品是一款先進(jìn)的功率器件測試儀，測試范圍廣覆蓋幾乎所有的二極管，三極管，功率管。該產(chǎn)品提供2000V高壓，1200A大電流的靜態(tài)測試的解決方案。

重要客戶：

•TI IR IXY diodes Onsemi 三星東芝

• ABB(瑞士) 霍尼韋爾艾默生愛立信

•Acme Electric U.S.A. American Reliability Labs U.S.A International Rectifier England

• 波音客機(jī) 休斯頓工業(yè)院 Testlab N.A. U.S.A. TRW U.S.A.等眾多軍工研究院及跨國公司。

技術(shù)優(yōu)勢：

•STI全面的分立器件靜態(tài)參數(shù)解決方案供應(yīng)商；

•測試范圍廣，CP/FT/FA LAB，測試種類包括96個大項，256個小項；

•CURVE TRACE (I-V曲線 )；

•快速智能測量，*智能控制自動測量；

•采用準(zhǔn)DC電源，寬電壓電流輸出2000V,1200A;

主要產(chǎn)品對應(yīng)參數(shù)：

ST1005HX 1000V 50A;

ST2005HX 2000V 50A;

ST2010HX 2000V 100A;

ST2050HX 2000V 500A;

ST2100HX 2000V 1000A;

ST2120HX 2000V 1200A;10V@1200A；

ST-1000LC 1pA漏電

完整的手自動測試夾具配套解決方案SCANNER；

TO-220/218,TO-72,TO-5/18,TO-92,TO-3/66,Axial (small and large),DP-4/5,

8 Pin DIP6 ,Pin TO-5,SOT-23, SOT-24, SOT-25, SOT-26,D-PAK,TO-252,SOT-89
TO-243,D2-PAK,SOT-223,TO-261,SMA,SMB,SMC,MELF

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美國STI半導(dǎo)體測試儀

產(chǎn)品簡介在線詢價

可自動生成功率器件的I-V曲線（標(biāo)準(zhǔn)特性曲線）。在失效分析中有廣泛的應(yīng)用。新稱呼為 STI5000C曲線追蹤儀。該產(chǎn)品性曲線目前已經(jīng)在眾多五的研發(fā)實驗室，來料檢驗中心，以及各大科研機(jī)構(gòu)，大學(xué)的實驗室投入使用，以其的準(zhǔn)確迅速的反應(yīng)力而聞名。目前使用的16bit的數(shù)模轉(zhuǎn)換，分辨率更加的提升，RDSON的分辨率為微歐級。新稱呼為 STI5000C曲線追蹤儀。該產(chǎn)品性曲線目前已經(jīng)在眾多五企

半導(dǎo)體功率器件I-V特性曲線分析儀器產(chǎn)品信息

STI-CURVE TRACE軟件配合ST5000測試主機(jī)使用，可自動生成功率器件的I-V曲線(標(biāo)準(zhǔn)特性曲線)。在失效分析中有廣泛的應(yīng)用。新稱呼為 STI5000C曲線追蹤儀。該產(chǎn)品性曲線目前已經(jīng)在眾多五的研發(fā)實驗室，來料檢驗中心，以及各大科研機(jī)構(gòu)，大學(xué)的實驗室投入使用，以其的準(zhǔn)確迅速的反應(yīng)力而聞名。目前使用的16bit的數(shù)模轉(zhuǎn)換，分辨率更加的提升，RDSON的分辨率為微歐級。

標(biāo)準(zhǔn)特性曲線:
Mosfet (N-Channel & P-Channel)
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
Transistor (NPN & PNP)
HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE(SAT) vs. IC
VBE(SAT) vs. IC
VBE(ON) vs. IC (use VBE test)
VCE(SAT) vs. IB at a range of IC
VF vs. IF