1.000.000小時(shí)以上

●符合RoSH環(huán)保 有 ●兼容性 ATAPI-5和Ture IDE ●閃存技術(shù) NAND型SLC Flash ●樣式 標(biāo)準(zhǔn)的2.5英寸IDE硬盤 ◆連接 44針 ●設(shè)置主盤/從盤跳線 有 ●系統(tǒng)性能 ◆數(shù)據(jù)傳輸方式 PIO-4或者UDMA-4 ◆數(shù)據(jù)傳輸速率 66.6MB/sec在UDMA-4方式下測(cè)試速度 ◆連續(xù)讀 24.0MB/sec ◆連續(xù)寫 10.0MB/sec ◆平均訪問(wèn)時(shí)間 0.7ms(估計(jì)) ●環(huán)境指標(biāo) ◆工作溫度 -40℃~+85℃ ◆非工作溫度 -50℃~+95℃ ◆濕度 5%~95%(無(wú)凝結(jié)) ◆噪聲 0db ◆抗震動(dòng) 16G,符合美軍準(zhǔn)MIL-STD-810F ◆抗沖擊 1.500G,符合美軍準(zhǔn)MIL-STD-810F ◆高度 80.000M ●功耗 ◆電壓要求 +3.3V±10% ; +5V±10% ◆讀電流 31.0 mA(Max.);34.0 mA(Max.) ◆寫電流 44.0 mA(Max.);47.0 mA(Max.) ◆休眠模式電流 14.1 mA(Max.); 15.9 mA(Max.) ●可靠性 ◆MTBF(*工作時(shí)間) |
工作溫度 | -40℃~+85℃ | ||
封裝類型 | 采用金屬封裝 | ||
傳輸方式 | PIO-4 | UDMA-4 | |
32M | WR2IFD032S-EISI-P | WR2IFD032S-EISI-U | |
64M | WR2IFD064S-EISI-P | WR2IFD064S-EISI-U | |
128M | WR2IFD128S-EISI-P | WR2IFD128S-EISI-U | |
256M | WR2IFD256S-EISI-P | WR2IFD256S-EISI-U | |
512M | WR2IFD512S-EISI-P | WR2IFD512S-EISI-U | |
1GB | WR2IFD01GS-EISI-P | WR2IFD01GS-EISI-U | |
2GB | WR2IFD02GS-EISI-P | WR2IFD02GS-EISI-U | |
4GB | WR2IFD04GS-EISI-P | WR2IFD04GS-EISI-U | |
8GB | WR2IFD08GS-EISI-P | WR2IFD08GS-EISI-U | |
16GB | SR2IFD16GS-EISI-P | WR2IFD16GS-EISI-U |