有效直徑 | 200um |
帶寬 | >600MHz |
暗電流 | <150nA |
增益 | 10 |
響應(yīng) | >9.3 A/W |
溫度系數(shù) | 0.14/<0.20 V/°C |
波長范圍 | 1100nm-1700nm |
擊穿電壓 | 40V-70V |
峰值波長靈敏度 | 1.6um |
電容 | 2.5pF |
封裝 | TO-18 |
VOP范圍 | 40V-65V |
產(chǎn)品簡介
InGaAs雪崩光電二極管可以實(shí)現(xiàn)從1100nm到1700nm的高量子效率探測,并且在該波段內(nèi)可以保持高增益、高量子效率和高帶寬,光敏面尺寸可高達(dá)200μm。窗口和光敏面之間距離較短以便于連接光學(xué)系統(tǒng)。
產(chǎn)品特性
■ InGaAs的APD為80μm
■ TO-18的封裝
■ 光譜響應(yīng)1100nm-1700nm
■ 低噪聲和黑暗電流
■ 高增益
■ 高量子效率
■ 2.5GHz帶寬
應(yīng)用領(lǐng)域:
■ 激光測距
■ 視頻掃描成像儀
■ 光通訊
■ 自由空間通訊
■ 分光光度計(jì)