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在射頻通信、精密儀器及晶振研發(fā)領(lǐng)域,諧振參數(shù)的細(xì)微偏差將直接影響系統(tǒng)穩(wěn)定性。傳統(tǒng)測試設(shè)備普遍存在參數(shù)覆蓋不全、低頻段精度不足等痛點。GDS-80P晶振頻偏測試儀突破性實現(xiàn)10KHz-100MHz全頻段九大核心參數(shù)同步測量,以0.001ppm級分辨率重新定義晶振諧振特性檢測標(biāo)準(zhǔn)。
一、GDS-80P晶振頻偏測試儀核心技術(shù)突破
1. 多模態(tài)諧振分析技術(shù)
• 同步測量串聯(lián)諧振頻率(Fs)與負(fù)載諧振頻率(FL)
• 動態(tài)阻抗譜掃描(0.1Ω分辨率),精準(zhǔn)獲取等效電阻(ESR)、負(fù)載電阻(RL)
• 支持4-40pF負(fù)載電容(CL)連續(xù)可調(diào),步進精度達0.01pF
2. 寬頻段矢量網(wǎng)絡(luò)分析
• 10KHz-100MHz超寬頻覆蓋(可擴展至250MHz)
• 相位噪聲≤-150dBc/Hz@1kHz偏移
• 動態(tài)電感(Lm)/動態(tài)電容(Cm)測量誤差<±0.5%
3. 工業(yè)級智能補償系統(tǒng)
• 實時溫度補償(-55℃~125℃環(huán)境模擬)
• 自動修正探針接觸電阻(0-5Ω補償范圍)
• 智能消除夾具寄生電容(±0.2pF誤差抑制)
二、核心參數(shù)規(guī)格表
測試項目 | 技術(shù)指標(biāo) |
---|---|
頻率范圍 | 10KHz-100MHz(標(biāo)準(zhǔn)版) |
頻率分辨率 | 0.001ppm(0.1Hz@10MHz) |
串聯(lián)諧振頻率(Fs) | ±2ppm(典型值) |
負(fù)載諧振頻率(FL) | ±3ppm(CL=12pF時) |
等效電阻(ESR) | 0.1Ω-100kΩ(±0.5%+2mΩ) |
動態(tài)電容(Cm) | 1fF-10nF(±0.8%) |
動態(tài)電感(Lm) | 0.1μH-100H(±0.5%) |
品質(zhì)因數(shù)(Q) | 10-1,000,000(±1%讀數(shù)) |
頻率牽引靈敏度 | 0.1ppm/pF(CL調(diào)節(jié)步長0.01pF) |
數(shù)據(jù)刷新率 | 20次/秒(全參數(shù)同步輸出) |
三、五大核心應(yīng)用場景
? 5G基站濾波器校準(zhǔn)
精確測量76.8MHz/124MHz介質(zhì)諧振器的Fs與Q值,自動生成S11/S21參數(shù)矩陣,支持BAW/SAW濾波器產(chǎn)線快速調(diào)諧。
? 晶振生產(chǎn)全流程質(zhì)控
• 晶圓切割階段:檢測裸片ESR離散性(±5%篩選)
• 封裝過程:實時監(jiān)控鍵合線引入的Lm變化(靈敏度0.05μH)
• 成品測試:CL從8pF至20pF連續(xù)掃描,繪制頻率牽引特性曲線
? 汽車電子可靠性驗證
符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),在-40℃~150℃溫箱內(nèi)自動完成2000次冷熱沖擊測試,輸出Cm/Lm溫漂系數(shù)報告。
? 高精度OCXO研發(fā)
• 相位噪聲與Q值關(guān)聯(lián)分析(-170dBc/Hz@1kHz)
• 老化率預(yù)測:基于72小時加速測試數(shù)據(jù)推算年漂移量(誤差<±0.03ppm)
? 器件檢測
滿足MIL-PRF-55310標(biāo)準(zhǔn),配備EMP/EMI三重屏蔽艙,可檢測核磁脈沖環(huán)境下的頻偏異常。
四、智能化交互設(shè)計
• 八軸聯(lián)動夾具:自適應(yīng)0.4mm~20mm封裝尺寸,壓力閉環(huán)控制(5-200g±0.1g)
• 3D參數(shù)可視化:7英寸觸摸屏實時顯示阻抗圓圖/導(dǎo)納曲線/史密斯圓圖
• AI診斷系統(tǒng):自動識別晶振裂紋、電極氧化等12類物理缺陷(準(zhǔn)確率>99%)
• 云端協(xié)同:支持OPC UA協(xié)議,數(shù)據(jù)直傳MES/SPC系統(tǒng),生成CPK過程能力分析報表
五、服務(wù)與認(rèn)證保障
• 通過CNAS/ISO17025雙認(rèn)證實驗室校準(zhǔn)
• 整機24個月質(zhì)保,核心模塊終身維護
• 提供晶振參數(shù)數(shù)據(jù)庫(含2000+型號基準(zhǔn)值)
• 免費定制測試夾具(限首年)
• 7×24小時遠程技術(shù)支援