探頭:
NaI(Tl)γ閃爍探測(cè)器 1.5" x 1.5" 晶體
該探測(cè)器是一款出色的通用探測(cè)器,它具有38 x 38毫米的晶體,與帶有積分分壓器的PMT耦合,鋁制外殼,以及鍍銀BNC連接器。 表面經(jīng)硬質(zhì)耐磨的陽(yáng)極氧化處理。
技術(shù)指標(biāo)
閃爍晶體: NaI(Tl)
PMT.......................: 10級(jí)
連接器..............: BNC (鍍銀)
本底 CPM...: ~950
660 keV時(shí)的分辨率:7-9%
電壓范圍 750V - 850V
伽瑪能量范圍: 25 to 2500 KeV
隨附1米BNC到BNC同軸電纜
1.5“ x 1.5” CeBr3晶體-高分辨率伽瑪閃爍探測(cè)器。
溴化鈰或CeBr3可提供優(yōu)于NaI(Tl)的分辨率,其分辨率優(yōu)于4.5%
并且可以提供伽馬分離,而NaI根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)這種分離。
構(gòu)造說(shuō)明
為了獲得分辨率,我們將直徑1.5英寸的CeBr3晶體安裝到2英寸的PMT上,并安裝在2英寸的鋁制外殼中,PMT具備電磁屏蔽。
技術(shù)指標(biāo)
封裝的CeBr3晶體
MU金屬電磁屏蔽
12兆歐分壓器
SHV連接器直接連接到陽(yáng)極
NaI(Tl)伽瑪閃爍探測(cè)器1.5“ x 2.5”晶體
該探測(cè)器是一款出色的通用檢測(cè)器,它具有38 x 63毫米的晶體,與帶有積分分壓器的PMT耦合,封裝于鋁制外殼中,表面經(jīng)過(guò)耐磨陽(yáng)極氧化處理。
技術(shù)指標(biāo)
閃爍晶體:NaI(Tl)
PMT.......................: 10級(jí)
連接器..............: BNC (鍍銀)
本底 CPM...: 217
660 keV時(shí)的分辨率:7-9%
電壓范圍 700V - 850V
伽瑪能量范圍:25至2500 KeV
隨附1米BNC到BNC同軸電纜
NaI(Tl)伽瑪閃爍探測(cè)器2.0“ x 2.0”晶體
該探測(cè)器是一款出色的通用檢測(cè)器,它具有51 x 51 mm晶體,并與帶有積分分壓器的PMT耦合,封裝于鋁制外殼中,表面經(jīng)過(guò)耐磨陽(yáng)極氧化處理。
技術(shù)指標(biāo)
閃爍晶體:NaI(Tl)
PMT.......................: 10級(jí)
分壓器.......:12 M歐姆
連接器..............: SHV
本底 CPM...: 10,300 @ 650V
660 keV時(shí)的分辨率:7-9%
電壓范圍 650V - 750V
伽瑪能量范圍:25至3000 KeV
0.75米 SHV到SHV或SHV到BNC同軸電纜
外型尺寸
CsI(Tl)伽瑪閃爍探測(cè)器2.0“ x 2.0”晶體
該探測(cè)器是一款出色的通用探測(cè)器,它具有51 x 51 mm碘化銫晶體,并與帶有積分分壓器的 PMT耦合,封裝在鋁制外殼中,表面經(jīng)過(guò)耐磨陽(yáng)極氧化處理。
技術(shù)指標(biāo)
閃爍晶體:CsI(Tl)
PMT...................: 8級(jí)
分壓器.......:18 M歐姆
連接器..............: SHV
本底 CPM...: @ 900V
660 keV時(shí)的分辨率:6.5%-7.5%
電壓范圍: 800- 900 V
伽瑪能量范圍:25至3000 KeV
隨附1米SHV到SHV電纜
3“ x 3” NaI探測(cè)器。
該探測(cè)器封裝有3 x 3"NaI晶體和3" PMT,配有固體Mu金屬屏蔽以防止電磁干擾。
與較小的探測(cè)器不同,3英寸封裝的晶體性地固定在MU防護(hù)罩上,不能輕易卸下。