特長
·低壓力工藝比以往低約1位數(shù)的壓力可以維持放電。
·即使使用與良好的膜厚分布基板尺寸相同直徑的目標,也可以獲得非常好的膜厚分布。
·采用穩(wěn)定的低速率控制LFS陰極,可以控制nm級的膜厚。
·小型裝置布局1在Chamber中收納多個陰極,且設(shè)計緊湊??蛇M行斜射布局,co-sputer/多層疊層膜。
用途
·研究開發(fā)、實驗裝置、低損傷成膜。同時成膜。多層成膜。飛濺粒子能量控制。低速率控制。極薄膜成膜。低溫飛濺。氧化物、金屬成膜。
規(guī)格
| MPS-8000-C8 |
陰極搭載數(shù) | 最多8座 |
均勻磁場施加機構(gòu) | 選項 |
到達壓力 | 7x10Pa以下-7 |
基板尺寸 | Max.直徑200mm |
氣體導入量 | Ar : 50sccm |
目標大小 | 直徑50mm |
操作 | PC(GPCS系列)控制 |
準備室 | 標準裝備 |
成膜室排氣系統(tǒng) | 渦輪分子泵 |
裝置尺寸W×D×H | 3700mm x 4700mm x 2500mm |