Vishay芯片電容器TR3
產(chǎn)品參數(shù):
溫度(最小攝氏度)100℃
最溫度(最Ts)150℃
從(最小Ts到最Ts)的時(shí)間(ts)60至120
時(shí)間(tp)在規(guī)定的5°C以內(nèi)
分級(jí)溫度(TC)20s 30s
25°C達(dá)到峰值溫度的時(shí)間最多6分鐘,最多8分鐘。
下降速率(Tp至TL)最6°C/s
電容 :范圍0.1μF至1000μF
電壓范圍:4 V至75 V
特征
增強(qiáng)電子的性能
電池(遠(yuǎn)程/無線)應(yīng)用的低DCL
關(guān)鍵電氣特性的測(cè)試規(guī)范更加嚴(yán)格
應(yīng)用程序
電子引爆系統(tǒng)
此外,TR3電容器的電容范圍從0.1μF至1000μF,覆蓋了從微小信號(hào)處理到大規(guī)模能量存儲(chǔ)的廣泛需求,而4V至75V的寬電壓范圍則使其能夠靈活應(yīng)用于多種電源環(huán)境中,無論是低電壓的微型傳感器還是高電壓的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),都能找到TR3的身影。
特別針對(duì)電池(遠(yuǎn)程/無線)應(yīng)用,TR3電容器以其極低的漏電流(DCL)特性脫穎而出,有效延長(zhǎng)了電池使用壽命,減少了不必要的能量損耗,這對(duì)于依賴電池供電的遠(yuǎn)程監(jiān)控、無線傳感器網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用來說,無疑是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。
Vishay芯片電容器TR3