技術(shù)性能指標(biāo)
(1)高純鍺探測(cè)器
- 類型:寬能型高純鍺探測(cè)器
- 探測(cè)器尺寸:面積52cm2,探測(cè)器厚度30mm
- 能量范圍:3keV-3MeV
- 垂直冷指設(shè)計(jì)
- 相對(duì)效率:≥48%
- 能量分辨率:
≤1.80keV@1332keV
≤0.45keV @ 5.9keV
≤0.70keV @ 122keV
- 探測(cè)器材料采用超低本底材料制成,其中鋁:99.999%純度,U、Th 含量低于1ppb;銅:99.99%純度;不銹鋼 Co-60含量低;復(fù)合碳纖維
- 前放與探測(cè)器分離,位于超低本底鉛室外部
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2)數(shù)字化多道分析器
- 電子學(xué)類型:一體化數(shù)字電子學(xué)
- 道數(shù):16k 道
- TCP/IP 協(xié)議通訊;內(nèi)置 WEB 服務(wù)器
- 測(cè)量模式:PHA(脈沖高度分析)
- 電子學(xué)內(nèi)置高壓,放大器,多道等
- 增益范圍 x1.6tox360
- 數(shù)字濾波器上升時(shí)間 0.4-30μ s,平頂時(shí)間 0-2.8μ s
- 積分非線性:在選擇范圍頂上 99%, ≤滿刻度的±0.025%;微分非線性:在包括來(lái)自積分非線性影響的頂上 99%的范圍上,≤±1%
- 系統(tǒng)增益段可選擇為:16 384, 8192 , 4096, 2048, 1024 或 512 道
- 脈沖對(duì)分辨率– 對(duì)選擇的NORM探測(cè)器類型,好于500 ns
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(3)原裝超低本底鉛室
- 鉛室類型:超低本底鉛室,一體化鑄造,配套環(huán)型鉛塞
- 外形及開(kāi)門方式:圓柱形,頂開(kāi)門
- 50-2000keV 范圍內(nèi)的本底計(jì)數(shù)率≤1CPS
- 外層 9.5mm 厚低碳鋼, 中層 15cm 厚鉛(其中 12.5cm 厚低本底鉛,內(nèi)層2.5cm含量低于25Bq/kg 的超低本底鉛);內(nèi)襯1mm厚的錫及1.6mm厚的銅
- 帶有通氣孔,可為測(cè)量室通入氮?dú)?,進(jìn)一步降低系統(tǒng)本底。
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(4)譜分析及獲取軟件
- 采用成熟的操作分析平臺(tái)
- 可進(jìn)行譜獲取,參數(shù)設(shè)定等功能
- 內(nèi)置可編輯核素庫(kù):預(yù)制庫(kù)文件包含核素大于 200 種
- 符合相加校正
- 包含能夠滿足軟件運(yùn)行要求的數(shù)據(jù)處理終端
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(5)無(wú)源效率刻度軟件
- 能對(duì)三通管、螺帽、螺栓等任何可編輯其形狀的不規(guī)則樣品進(jìn)行效率刻度
- 提供 3D 視覺(jué)高速創(chuàng)建幾何條件和錯(cuò)誤識(shí)別功能
- 支持真正的無(wú)源級(jí)聯(lián)符合求和校正-不需要基于源的 P/T 刻度
- 采用總效率算法,包括沉積校正
- 可以創(chuàng)建多個(gè)體源的復(fù)合效率
- 提供自動(dòng)刻度功能
- 刻度可以像用傳統(tǒng)技術(shù)產(chǎn)生的刻度一樣存儲(chǔ)、重新調(diào)出和使用
- 包括通常市場(chǎng)可提供的容器的庫(kù),常見(jiàn)吸收體材料庫(kù)和創(chuàng)立新材料類型工具
- 提供無(wú)源效率刻度對(duì)多種體源的驗(yàn)證及誤差分析的報(bào)告