SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角，形成三維結(jié)構(gòu)分析的鏡筒布局

 融合高亮度冷場(chǎng)發(fā)射電子槍與高靈敏度檢測(cè)系統(tǒng)，從磁性材料到生物組織——支持分析各種樣品

 通過選配口碑良好的Micro-sampling®系統(tǒng)*和Triple Beam®系統(tǒng)*，可支持制作高品質(zhì)TEM及原子探針樣品

◆ 垂直入射截面SEM觀察可忠實(shí)反映原始樣品結(jié)構(gòu)

SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角，實(shí)現(xiàn)FIB加工截面的垂直入射SEM觀察。

舊型FIB-SEM采用傾斜截面觀察方式，必定導(dǎo)致截面SEM圖像變形及采集連續(xù)圖像時(shí)偏離視野，直角型結(jié)構(gòu)可避免出現(xiàn)此類問題。

通過穩(wěn)定獲得忠實(shí)反映原始結(jié)構(gòu)的圖像，實(shí)現(xiàn)高精度三維結(jié)構(gòu)分析。

同時(shí)，F(xiàn)IB加工截面（SEM觀察截面）與樣品表面平行，有利于與光學(xué)顯微鏡圖像等數(shù)據(jù)建立鏈接。

樣品：小白鼠腦神經(jīng)細(xì)胞

樣品來源：自然科學(xué)研究機(jī)構(gòu)/生理學(xué)研究所 窪田芳之 先生

◆ Cut&See/3D-EDS*1/3D-EBSD*1可支持各種材料

Cut&See

從生物組織及半導(dǎo)體到鋼鐵及鎳等磁性材料——支持低加速電壓下的高分辨率和高對(duì)比度觀察。

FIB加工與SEM觀察之間切換時(shí)，不需要重新設(shè)定條件，可高效率的采集截面的連續(xù)圖像。

提取截面圖像?三維重構(gòu)圖像

樣品：鎳

SEM加速電壓：1 kV

加工間距：20 nm

重復(fù)次數(shù)：675次

3D-EDS*1

不僅支持截面SEM圖像，也支持連續(xù)采集一系列截面的元素分布圖像。

通過選配硅漂移式大立體角EDS檢測(cè)器*1，可縮短測(cè)定時(shí)間以及可在低加速電壓下采集元素分布圖像。

樣品：燃料電池電極

SEM加速電壓：5 kV

加工間距：100 nm

重復(fù)次數(shù)：212次

樣品來源：東京大學(xué) 生產(chǎn)技術(shù)研究所 鹿園直毅 教授

3D-EBSD*1

以的方式配置SEM/FIB/EBSD檢測(cè)器*1，在FIB加工與EBSD分析之間無需移動(dòng)樣品臺(tái)即可實(shí)現(xiàn)3D-EBSD。因?yàn)闊o需移動(dòng)樣品臺(tái)，所以可大幅提高三維晶體取向分析的精度和效率。

樣品：鎳

SEM加速電壓：20 kV

加工間距：150 nm

重復(fù)次數(shù)：150次

*1：選配

*2：根據(jù)樣品座不同，行程不同