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日立IGBT模塊MBN1500E33C

參考價	￥ 9999
訂貨量	≥1只

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱北京京誠宏泰科技有限公司
品牌其他品牌
型號MBL1000E33
所在地北京市
廠商性質經銷商
更新時間2025/2/19 10:51:52
訪問次數(shù)1174

產品標簽:

功率IGBT模塊 IGBT晶體管 IGBT開關管絕緣柵晶體管電源模塊

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北京京誠宏泰科技有限公司是一家集代理、分銷、經銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產業(yè)鏈供應商。專業(yè)銷售代理國內外電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要代理及經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron、瑞士ABB， IXYS艾賽斯、Mitsubishi三菱、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Fairchild飛兆半導體、Sanken三肯、因達NIEC，美國IR，NELL尼爾；yaskawa安川；英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、美國BHC電解電容以及美國CDE無感電容；CONCEPT IGBT驅動模塊、光耦、變頻器主控板、驅動板，操作面板及延長電纜等配件以及富士制動單元

銷售各大半導體功率器件工業(yè)備品配件：IGBT模塊；單管IGBT模塊；雙管半橋IGBT模塊；4單元H橋IGBT模塊；3單元IGBT模塊；6單元三相全橋IGBT模塊；
三電平IGBT模塊；6500V高壓IGBT模塊；3300V高壓IGBT模塊；4500V高壓IGBT模塊；IPM模塊；PIM模塊；PLC模塊；GTR達林頓模塊；GTO晶閘管；普通晶閘管；
快速晶閘管；二極管；快恢復二極管；整流橋；剎車整流器；單相整流橋；三相整流橋；全控整流橋；半控整流橋；可控硅；雙向可控硅；反并聯(lián)可控硅；驅動板；
IGBT驅動板；可控硅驅動板；可控硅觸發(fā)板；晶閘管觸發(fā)板； MOSFET管；場效應模塊；電容；直流鋁電解電容；交流濾波電容；啟動電容器；無功補償電容器；
快熔；延時慢熔；智能功率模塊；智能晶閘管模塊；工業(yè)觸摸屏；操作面板；工控機；變頻器整機及配件；軟啟動器整機及配件；電力調整器整機及配件；
ABB變頻傳動備件；西門子變頻傳動/直流調速備件；風電/煤礦/石油/鐵路/光伏/新能源汽車備件！

主要銷售德國，歐洲、美國、日本等品牌模塊。公司一直本著“質量*，價格合理，交貨快捷，客戶至上”。公司經營的電力功率模塊，主要用于航天航空，機場設施，電機調速，礦山焊機，船舶艦艇，通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器、UPS、變頻與傳動、電動汽車、電力系統(tǒng)無功補償裝置UPS逆變器/UPS/EPS、風電變流器、變頻空調、光伏變流、機車主牽引變流器、電梯變頻器、起重專用變頻器、感應加熱、電源電鍍/電解電源、有源濾波/無功補償、機車輔助逆變器、逆變焊機；京誠宏泰科技在逆變焊機、不間斷電源UPS、Inverter變頻器、數(shù)控伺服、電動汽車、風力太陽能發(fā)電等領域與客戶戰(zhàn)略合作，全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！

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IGBT，IPM，可控硅，整流橋，二極管，晶閘管，變頻器配件，IGBT驅動，快熔，電容

產品簡介在線詢價

封裝	170IHV

日立IGBT模塊MBN1500E33C
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；晶閘管；二極管模塊；整流橋模塊；PLC模塊；電容；變頻器備件
3300V IGBT模塊MBN1500E33C

日立IGBT模塊MBN1500E33C 產品信息

MBN1500E33C

北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；電容；晶閘管；IPM模塊;半導體功率模塊;PLC模塊，風機，傳感器，驅動板，主控板，電源板，變頻器配件

地鐵機車變流器配件IGBT模塊MBN1500E33C

產品參數(shù)：

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿：3300 V

電流 - 集電極 (Ic)：1500 A

電流 - 集電極截止：100 µA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無

工作溫度：-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：AG-62MM

MBN1200D33A

MBN1200H45E2-H

MBN1500E33E3

MBN1200E25E

MBL800E33C

MBL400E33D

MBL1000E33E-B

MBL1000E33E2-B

MBN800E33D-P

MBN1200E33C

MBN1500E33C

IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制動模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

ACM(IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi MBL400E33D3EGM065727R0001

MBN1200D33A

MBN1200H45E2-H

MBN1500E33E3

MBN1200E25E

MBL800E33C

MBL400E33D

MBL1000E33E-B

MBL1000E33E2-B

MBN800E33D-P

MBN1200E33C

MBN1500E33C

MBN1200D33C

MBN1000GR12A

MBN1200E17D

MBN1200E33D

MBN1200E33E

MBN1500E33E

MBN1800D17C

MBN800E33D

MBN800E33E

MDM1200H45E2-H

MBN1200H45E2-H

MDM800E33D

MBN750H65E2

MDM750H65E2

3300V IGBT模塊型號：

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D

IGBT模塊的優(yōu)勢

IGBT模塊相較于其他功率器件具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢使得它們備受歡迎：

高功率承受能力：由于IGBT模塊內部集成了多個器件，因此它們能夠處理高功率負載，適用于要求大電流和高功率的應用。

高電壓能力：IGBT模塊的設計允許多個IGBT器件串聯(lián)工作，因此它們能夠承受高電壓，適用于需要高電壓控制的場合。

高效性能：IGBT模塊具有低導通電阻和低開關損耗，從而實現(xiàn)高效的能量轉換。這有助于減少能源浪費和熱量產生。

高開關速度：IGBT模塊具有快速的開關速度，能夠迅速響應控制信號，適用于高頻率應用。

集成驅動電路：IGBT模塊通常集成了驅動電路，簡化了系統(tǒng)設計，減少了外部元件的需求。

保護功能：IGBT模塊集成了多種保護功能，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

可靠性：IGBT模塊經過精密設計和制造，具有高度的可靠性，適用于惡劣的工作環(huán)境。

綜合上述優(yōu)勢，IGBT模塊已經成為能量轉換和電力控制領域的的組成部分，廣泛應用于電機驅動、電力傳輸、可再生能源、工業(yè)控制和醫(yī)療設備等領域。

1700V IGBT模塊型號：

FZ1800R17KF4

FZ1200R17KF6C_B2

FZ1600R17KF6C_B2

FZ2400R17KF6C_B2

FZ1200R17KF4

FZ1200R17HE4

FZ1200R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B21
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B28
FZ2400R17HP4_B29
FZ3600R17HP4_B2

FZ1200R17HP4
FZ1600R17HP4
FZ1800R17HP4_B9
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B9
FZ3600R17HP4
IGBT4 Fast (IHM B) 1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
FZ2400R17HE4_B9
FZ3600R17HE4

特征描述

高直流電壓穩(wěn)定性
高短路能力
自限制短路電流
低開關損耗
出色的堅固性
Tvj op = 150°C
低 VCEsat，具有正溫度系數(shù)
鋁碳化硅基板，用于提高熱循環(huán)能力
封裝的 CTI > 600
絕緣基板

產品規(guī)格：

產品特征：

高功率密度

的 VCE，SAT

Tvj op = 175°C 過載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標準

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A，1700V半橋模塊

的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）

在過載情況下工作結溫可達到175°C

壓接式控制引腳

日立IGBT模塊MBN1500E33C

優(yōu)勢：

具有高電流能力的現(xiàn)有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯(lián)

通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

靈活性

高的可靠性

產品應用領域：

不間斷電源（UPS）

儲能系統(tǒng)

電機控制和驅動

商用、建筑和農用車輛 (CAV)

變頻器

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產業(yè)鏈供應商。

銷售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板，電源板，通信板，接口板

操作面板

英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HL3_S2

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司日立IGBT模塊MBN1500E33C

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應用

電動機

不間斷電源

太陽能面板安裝

電焊機

電源轉換器與反相器