BJ2988A 晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測試儀

晶體管的極限參數(shù)

晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當(dāng)其超過額定值時，輕則影響晶體管的工作性能，嚴(yán)重時將使其損壞。以下介紹晶體管的主要極限參數(shù)。
1.集電極允許耗散功率Pcm
Pcm是指晶體管因溫度升高引起參數(shù)的變化不超過規(guī)定值時，集電極所消耗的功率。 晶體管在正常工作時，集電結(jié)加的是反向偏置電壓，集電結(jié)的反向電阻很高，這樣，集電極電流流過集電結(jié)時就要產(chǎn)生大量的熱量，結(jié)溫就會升高，若溫度過高，將導(dǎo)致晶體管不可逆轉(zhuǎn)的損壞。人們根據(jù)晶體管允許結(jié)溫定出允許耗散功率。為了降低結(jié)溫，對于大功率晶體管，人們往往要另設(shè)散熱片，散熱片表面積越大，散熱效果越好，晶體管的Pcm就可以適當(dāng)提高。
2.集電極允許電流Icm
集電極電流增大，會導(dǎo)致晶體管的電流放大倍數(shù)β下降，當(dāng)β降至低頻電流放大倍數(shù)βo的額定倍數(shù)（通常規(guī)定為二分之一或三分之一）時，此時的集電極電流稱為集電極允許電流Icm。因此，當(dāng)晶體管的集電極電流達(dá)到Icm時，晶體管雖不致?lián)p壞，但電流放大倍數(shù)已大幅度下降。
3.集電極--發(fā)射極擊穿電壓BVCEO
BVCEO是指晶體管基極開路時，加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的允許電壓。對于NPN型晶體管而言，集電極接電源的正極，發(fā)射極接電源的負(fù)極；對于PNP型晶體管而言，集電極接電源的負(fù)極，發(fā)射極接電源的正極。
當(dāng)加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的電壓大于BVCEO的值時，流過晶體管的電流會突然增大，導(dǎo)致晶體管性損壞，這種現(xiàn)象稱為擊穿。