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      硅鍺SiGe低噪聲低溫放大器 噪聲溫度≤4k 功耗27mW

      參考價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司
      • 品       牌
      • 型       號(hào)CITLF3
      • 所  在  地上海市
      • 廠商性質(zhì)其他
      • 更新時(shí)間2024/6/8 12:29:13
      • 訪問次數(shù)108
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      公司簡介筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司是一家業(yè)的光學(xué)服務(wù)公司,業(yè)務(wù)涵蓋設(shè)備代理以及項(xiàng)目合作研發(fā),公司位于上海CBD商圈繁華地段,擁有600多m2的辦公區(qū)域,建有的AOL(Advanced Optical Labs)光學(xué)實(shí)驗(yàn)室,為國內(nèi)外客戶提供業(yè)技術(shù)支持服務(wù)。公司主要經(jīng)營光學(xué)元件、激光光學(xué)測試設(shè)備、以及光學(xué)系統(tǒng)集成業(yè)務(wù)??偛孔溆谀Ф忌虾?,并在北京、香港、溫哥華設(shè)立分公司。依托業(yè)、強(qiáng)大的技術(shù)支持,以及良好的商務(wù)支持團(tuán)隊(duì),筱曉的業(yè)務(wù)范圍正在逐年增長。目業(yè)務(wù)覆蓋國內(nèi)外各高校、頂科研機(jī)構(gòu)及相關(guān)域等諸多企事業(yè)單位。筱曉擁有一支核心的管理團(tuán)隊(duì)以及業(yè)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室,奠定了我們在設(shè)備的拓展應(yīng)用及自主研發(fā)域堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。公司自成立以來,始終遵循行業(yè)先、誠信發(fā)展、探索創(chuàng)新、務(wù)實(shí)致遠(yuǎn)、以質(zhì)取勝的服務(wù)理念,并在產(chǎn)品開發(fā)和銷售中貫徹到底。公司自始至終秉承著標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量安全保障。。我們將不斷完善管理機(jī)制和技術(shù)水平,為客戶提供更安全環(huán)保的產(chǎn)品以及更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。主要經(jīng)營激光器/光源半導(dǎo)體激光器(DFB激光器、SLD激光器、量子聯(lián)激光器、FP激光器、VCSEL激光器)氣體激光器(HENE激光器、氬離子激光器、氦鎘激光器)光纖激光器(連續(xù)激光器、超短脈沖激光器)光學(xué)元件光纖光柵濾波器、光纖放大器、光學(xué)晶體、光纖隔離器/環(huán)形器、脈沖驅(qū)動(dòng)板、光纖耦合器、氣體吸收池、光纖準(zhǔn)直器、光接收組件、激光控制驅(qū)動(dòng)器等各種無源器件激光分析設(shè)備高精度光譜分析儀、自相關(guān)儀、偏振分析儀,激光波長計(jì)、紅外相機(jī)、光束質(zhì)量分析儀、紅外觀察鏡等光纖處理設(shè)備光纖拉錐機(jī)、裸光纖研磨機(jī)光學(xué)實(shí)驗(yàn)室近紅外實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目組:半導(dǎo)體激光器光譜分析,功率測試,光束質(zhì)量測試,線寬測試,各種光無源器件的測試,光纖放大器等等近紅外產(chǎn)品的測試。目我們在半導(dǎo)體測試,TDLAS激光法氣體分析檢測,DTS高溫傳感等項(xiàng)目研究開發(fā)域有著深厚的積累,能夠?yàn)榭蛻籼峁└泳珳?zhǔn)的器件方案支持。中紅外實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目組:負(fù)責(zé)公司中紅外波段的相關(guān)產(chǎn)品。其中包括:中紅外激光半導(dǎo)體器件測試,中紅外QCL激光器的性能研發(fā)改進(jìn),中紅外技術(shù)學(xué)習(xí)與推廣應(yīng)用,目我們已成熟具備QCL激光器對TDLAS氣體測量技術(shù),并提供整套系統(tǒng)器件,還具有的光譜儀AQ6377、波長計(jì)等測量設(shè)備,可以為客戶提供實(shí)驗(yàn)服務(wù),解答各類中紅外產(chǎn)品售后問題。超快太赫茲微納實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目:承擔(dān)超快、太赫茲及微納交叉應(yīng)用,整合相關(guān)技術(shù)到安全測試、生物傳感等新型應(yīng)用域。太赫茲設(shè)備正在積籌備中,依托超快激光器研發(fā)能力,擁有健全的核心元器件供應(yīng)鏈;具備微納光纖生產(chǎn)制備測試能力其產(chǎn)品可廣泛用于生物、溫度、壓力、氣體傳感等域。
      干涉儀
      筱曉光子硅鍺(SiGe)低噪聲低溫放大器總覽CITLF3是一種硅鍺(SiGe)低噪聲低溫放大器,用于射電天文學(xué)和量子物理應(yīng)用
      硅鍺SiGe低噪聲低溫放大器 噪聲溫度≤4k 功耗27mW 產(chǎn)品信息
       

      筱曉光子 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器




      總覽

      CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器,用于射電天文學(xué)和量子物理應(yīng)用。當(dāng)冷卻至 12K 或更低時(shí),該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。100 MHz 時(shí)的低噪聲溫度為 2.5K。典型增益為 33dB,輸入/輸出回波損耗小于 -10dB。放大器是無條件穩(wěn)定的。雖然放大器適合 0.01 GHz 至 4 GHz 的頻率范圍,但該放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。 該放大器由單個(gè)正直流電源供電,佳電壓為 2.0 V。此偏置下的功耗為 27 mW。然而,在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪聲溫度。低功耗非常適合以 4K 運(yùn)行的多放大器陣列。 放大器為 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm,不包括連接器。輸入和輸出母頭 SMA 連接器。

      通用參數(shù)

      主要特點(diǎn)

      非常低的噪聲,在 10 MHz 至 4 GHz 范圍內(nèi)平均為 4K。

      由單個(gè)正直流電源供電。

      以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪聲。

      2 針 Winchester DC 連接器。

      可選的直流偏置三通。

      可選輸入保護(hù)二管。

      尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。

       

      性能特點(diǎn)@12K

      射頻頻率 0.01 至 4.0GHz

      獲得

      35dB±3dB

      噪音溫度<4K

      噪聲系數(shù)<0.06dB

      佳直流電源

      Vd=2.0V

      ID=13.6mA

       

       

      12 K時(shí)的電氣規(guī)格

      Description

      Typical

      Minimum

      Maximum

      RF Frequency

      射頻頻率

      .03-5 GHz

      0.01 GHz

      4 GHz

      Gain

      33 dB

      33 dB ± 3 dB

      Noise Temperature

      噪聲溫度

      < 4 K

      2.5 K

      4 K

      IRL (-20log|S11|)

      -12 dB

      < -10 dB

      ORL (-20log|S22|)

      -15 dB

      < -10 dB

      DC Voltage

      直流電壓

      2.0 V

      1.2 V

      3 V

      DC Current

      13.6 mA

      2.7 mA

      27.4 mA

       

      300 K時(shí)的電氣規(guī)格

      Description

      Typical

      Minimum

      Maximum

      RF Frequency

      .03-5 GHz

      0.01 GHz

      4 GHz

      Gain

      30 dB

      30 dB ± 5 dB

      Noise Temperature

      < 60K

      40 K

      74 K

      IRL (-20log|S11|)

      -10 dB

      < -10 dB

      ORL (-20log|S22|)

      -15 dB

      < -10 dB

      DC Voltage

      2.0 V

      1.2 V

      3 V

      DC Current

      14.6 mA

      5.4 mA

      27 mA

       

       

      典型測試結(jié)果–12 K時(shí)的佳直流偏壓

       

       

       

       

       

       

      典型測試結(jié)果–12 K時(shí)的直流偏壓掃描

       

       

       

       

       

       

      典型測試結(jié)果–12 K時(shí)的低頻噪聲

       

       

       

      典型測試結(jié)果–12 K時(shí)的低頻S參數(shù)

       

       

       

      典型測試結(jié)果–12 K時(shí)的直流偏壓掃描

       

       

       

       

      CAD外殼圖紙

       

      更新時(shí)間:2023/5/24 17:35:26

      關(guān)鍵詞:連接器
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