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| 設(shè)備性能及技術(shù)參數(shù)： 1.設(shè)備功能 實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)對(duì)碳化硅、單晶硅、多晶硅、鍺、砷化鎵、藍(lán)寶石、陶瓷板、手機(jī)面板玻璃、藍(lán)玻璃、石英晶體片材等各種 WAFER 平板材料厚度等幾何特征及電學(xué)參數(shù)的精確測(cè)量及記錄。
2.適用范圍
可用于測(cè)量工件尺寸為 Φ2---Φ8（INCH）直徑的圓形及方型晶片或其它任意材質(zhì)的平板。
3.測(cè)量精度及量程
厚度量程：100---1800um，測(cè)量精度與 WAFER 表面光潔度有些許聯(lián)系， 即：
測(cè)量重復(fù)精度（半導(dǎo)體類雙拋表面 WAFER）：±0.5um ;
測(cè)量重復(fù)精度（半導(dǎo)體類研磨表面 WAFER）: ±1um ; |
測(cè)量重復(fù)精度（藍(lán)寶石類單拋表面 WAFER）：±2um ; 4.工作模式選擇
本機(jī)共有五種測(cè)量模式以對(duì)應(yīng)用戶不同的需求。
4.1 標(biāo)準(zhǔn)一電測(cè)量：按照半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì) WAFER 中心點(diǎn)的厚度進(jìn)行測(cè)量。
4.2 標(biāo)準(zhǔn) 5 點(diǎn)測(cè)量：按照半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì) WAFER 的靠近邊沿的 4 點(diǎn)（左上、左下、右上及右下）及中心點(diǎn)的厚度進(jìn)行測(cè)量。
4.3 企業(yè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)一點(diǎn)測(cè)量：用戶自己定義的 WAFER 缺口附近的一個(gè)點(diǎn)的厚度進(jìn)行測(cè)量。
4.420 點(diǎn)以內(nèi)隨機(jī)點(diǎn)測(cè)：用戶自己根據(jù)生產(chǎn)需要可以在 20 個(gè)點(diǎn)以內(nèi)，用鼠標(biāo)在 WAFER 上選擇任意位置并對(duì)其厚度進(jìn)行測(cè)量。
4.5 連續(xù)點(diǎn)測(cè)量：在由兩個(gè)端點(diǎn)確定的一條直線路徑上可以進(jìn)行 100 點(diǎn)的連續(xù)厚度測(cè)量以檢查晶片的表面形態(tài)。
5.分選速度
為了保證不造成對(duì) WAFER 表面造成損傷，研究人員建議的安全分選速度為：
>單點(diǎn)或中心測(cè)量模式速度: ≥130 片/小時(shí)
>標(biāo)準(zhǔn) 5 點(diǎn)測(cè)量速度：≥110 片/小時(shí)
