晶閘管通態(tài)峰值電壓測(cè)試臺(tái)庫(kù)存D284680
晶閘管通態(tài)峰值電壓測(cè)試臺(tái)庫(kù)存D284680
型號(hào):RH8-DF-012T
晶閘管測(cè)試儀
用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅、可控硅模塊的通態(tài)峰值電流
ITM 和峰值壓降 VTM。
主要技術(shù)要求:
通態(tài)峰值電流 ITM 測(cè)試范圍: 30-3000A,測(cè)量范圍 0~20A 誤差≤+5%。
通態(tài)峰值壓降 VTM 測(cè)試范圍:0-7V,測(cè)量范圍 0~5V 誤差≤+5%。
4.工作環(huán)境: 海拔不過(guò)2000米
環(huán)境溫度:0~40℃
相對(duì)濕度:<85%
無(wú)導(dǎo)電及性塵埃
無(wú)腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽
無(wú)劇烈振動(dòng)和沖擊
5.測(cè)量精度: ±5%
6.整機(jī)電源功耗: AC220V ±10% 50Hz,小于1000VA
7.整機(jī)外形尺寸: 約800×800×1500mm
8.整機(jī)重量: 約150Kg
晶閘管測(cè)試儀
用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅、可控硅模塊的通態(tài)峰值電流
ITM 和峰值壓降 VTM。
主要技術(shù)要求:
通態(tài)峰值電流 ITM 測(cè)試范圍: 30-3000A,測(cè)量范圍 0~20A 誤差≤+5%。
通態(tài)峰值壓降 VTM 測(cè)試范圍:0-7V,測(cè)量范圍 0~5V 誤差≤+5%。
4.工作環(huán)境: 海拔不過(guò)2000米
環(huán)境溫度:0~40℃
相對(duì)濕度:<85%
無(wú)導(dǎo)電及性塵埃
無(wú)腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽
無(wú)劇烈振動(dòng)和沖擊
5.測(cè)量精度: ±5%
6.整機(jī)電源功耗: AC220V ±10% 50Hz,小于1000VA
7.整機(jī)外形尺寸: 約800×800×1500mm
8.整機(jī)重量: 約150Kg