- 用途:用濺鍍方式在樣品表面沉積數(shù)微米以下的薄膜,可制備包括各種金屬、半導(dǎo)體、鐵磁材料,以及絕緣的氧化物、陶瓷等物質(zhì)。
- 主要規(guī)格:可依序進(jìn)行6個(gè)靶材的濺鍍;同時(shí)進(jìn)行2個(gè)靶材的濺鍍;可濺鍍范圍4英寸以內(nèi);真空度8×10 -8torr,厚度均勻性誤差<>
- 適用晶片尺寸:樣品尺寸不能大于6英寸;
- 可濺鍍的材料:金屬類Al、Cu、Gr、Co、Fe、Ni、Pt、Ag、Ti、Ta;合金類NiFe、CoFe、CoFeB、NiMn、FeMn、TbFeCo;氧化物類MgO等。
用濺鍍方式在樣品表面沉積數(shù)微米以下的薄膜,可制備包括各種金屬、半導(dǎo)體、鐵磁材料,以及絕緣的氧化物、陶瓷等物質(zhì)。
濺鍍膜厚測(cè)試