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      SENTECH-電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積 - (SI 500 D)

      參考價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱上海德竹芯源科技有限公司
      • 品       牌
      • 型       號(hào)SI500D
      • 所  在  地上海
      • 廠商性質(zhì)其他
      • 更新時(shí)間2024/5/15 9:24:56
      • 訪問(wèn)次數(shù)105
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      上海德竹芯源科技有限公司是一家專注于功率器件、光電器件、射頻器件、量子器件、MEMS傳感器領(lǐng)域的設(shè)備銷售、系統(tǒng)集成、設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的公司。主要為高校、研究所、中試量產(chǎn)線及晶圓FAB廠提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備、封裝設(shè)備、測(cè)試設(shè)備。目前公司已成為國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家專業(yè)提供半導(dǎo)體工藝、檢測(cè)、封裝、測(cè)試整體解決方案的企業(yè)。公司主要成員為復(fù)旦大學(xué)、上海微系統(tǒng)所等半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)博士,擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)過(guò)硬的團(tuán)隊(duì)。能夠出色地完成售前售中、售后的服務(wù)。目前公司已與眾多國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系(如:EVG、SAWNATEC、SENTECH、PICOSUN、SYSKEY、 Mavemn Panalyrical、PHL-CHINA、TEMPRESS,ROHDE&SCHWARZ、MPI等),致力于根據(jù)用戶的科研方向和量產(chǎn)的器件類別提供相應(yīng)的全套設(shè)備選型和工藝整體解決方案。
      無(wú)線電綜合測(cè)試儀
      SI 500 D 是基于平行板三螺旋天線(PTSA)設(shè)計(jì)的平行板電極式電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積(ICP-CVD)設(shè)備,PTSA射頻等離子體源可有效地提高等離子體的密度,達(dá)到低功率,高密度,低溫,低損傷的工藝效果。
      SENTECH-電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積 - (SI 500 D) 產(chǎn)品信息

      電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積

      Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition - ICPCVD


      SI 500 D ICP-CVD 使用平行板三螺旋天線(PTSA)設(shè)計(jì),兼具平行板CCP和ICP兩種射頻源的特點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)低溫低損傷低應(yīng)力介質(zhì)薄膜沉積。

      平行板三螺旋天線(PTSA)設(shè)計(jì)ICP-CVD

      主要技術(shù)特點(diǎn)

      高密度等離子體:具有優(yōu)異的等離子體特性,如高密度,低離子能量和低壓等離子體。

      低功率耦合:SENTECH 的平行板三螺旋天線 (PTSA) 等離子體源技術(shù),實(shí)現(xiàn)低功率耦合。

      低溫等離子體刻蝕速率、高擊穿電壓、低應(yīng)力、不損傷襯底,以及在低于 100°C 的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。

      動(dòng)態(tài)溫度控制:動(dòng)態(tài)溫度控制結(jié)合氦氣背冷的襯底電極,襯底溫度控制:室溫到 +350°C 。


      主要配置特點(diǎn)

      SI 500 D ICP-CVD可沉積各種常見(jiàn)薄膜,如介質(zhì)膜、α-Si、SiC 和其他材料。平行板三螺旋天線(PTSA)等離子體設(shè)計(jì),獨(dú)立的反應(yīng)氣體控制、動(dòng)態(tài)溫度控制襯底電極、全自動(dòng)控制的高真空系統(tǒng)、采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)的 SENTECH 控制系統(tǒng),以及用戶友好的軟件界面。

      SI 500 D ICP-CVD兼容各種各樣的襯底,從直徑 200 mm(8英寸) 的晶片到裝載在載片器上的碎片。單晶片預(yù)真空室保證了穩(wěn)定的工藝條件和人員的安全,并實(shí)現(xiàn)了不同工藝之間的快速便捷切換。

      SI 500 D ICP-CVD可實(shí)現(xiàn)從室溫到 350℃ 的溫度范圍內(nèi)沉積 SiO2、SiNx、SiONx 和 α-Si 薄膜??杉嫒菀簯B(tài)或氣態(tài)前驅(qū)體,可提供 TEOS, SiC 和其它特殊材料和前驅(qū)體的薄膜沉積提供全套解決方案。特別適用于在有機(jī)材料上低溫沉積保護(hù)層和在既定的溫度下無(wú)損傷地沉積鈍化膜。

      SENTECH 提供不同級(jí)別的自動(dòng)化程度,從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室或六個(gè)工藝模塊端口,具有很高的升級(jí)靈活性或高產(chǎn)能拓展可能性。該系統(tǒng)可用作多腔系統(tǒng)中的一個(gè)工藝模塊,直接集成于其中。


      應(yīng)用展示

      低溫沉積,高臺(tái)階覆蓋性,高致密度沉積

      低溫沉積Si薄膜拉曼譜

      用戶友好界面控制軟件

      SI 500 D 配置選擇

      ICP-CVD 主機(jī)

      單片預(yù)真空室

      多片預(yù)真空室

      適用于 200 mm(8英寸) 的晶圓

      襯底溫度從室溫到 350?°C

      激光終點(diǎn)檢測(cè)

      備選電極偏置

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