RS7N65F
產(chǎn)品描述
RS7N65F 是瑞森采用平面MOS技術(shù)制造的N-溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,通過(guò)優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu),使該產(chǎn)品擁有較強(qiáng)的抗沖擊能力,同時(shí)具有較低的導(dǎo)通內(nèi)阻和的柵極電荷,能較大地降低產(chǎn)品EMI和開(kāi)關(guān)損耗。廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源,電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
VDS =650V,ID =,7A
RDS(ON)<1.4mΩ@ VGS =10V
抗沖擊能力強(qiáng)
較低的導(dǎo)通電阻
通過(guò)UIS測(cè)試
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):
新型的橫向變摻雜技術(shù),專有的功率MOS結(jié)構(gòu),高溫特性優(yōu)良。
產(chǎn)品特性:
超小內(nèi)阻,結(jié)電容適中,散熱性能好,高溫漏電小,高溫電壓跌落小。
產(chǎn)品應(yīng)用:
LED驅(qū)動(dòng),小家電,適配器,工業(yè)開(kāi)關(guān)電源等。