RSM065060W
產(chǎn)品描述
RSM065060W 是瑞森采用碳化硅MOS技術(shù)制造的N-溝道SiC MOSFET,該產(chǎn)品擁有較強的抗沖擊能力,優(yōu)良的溫度特性和開關(guān)特性。能使應(yīng)用效率得到提升,及節(jié)省空間、減輕重量及減少零件數(shù)量,并增強系統(tǒng)可靠性。廣泛應(yīng)用于車載充電器/PFC、輔助逆變器和不間斷電源(UPS)等各種工業(yè)和汽車領(lǐng)域。
VDS =650V,ID =29A
RDS(ON)<79mΩ@ VGS =20V
抗沖擊能力強
良好的溫度特性
良好的開關(guān)特性
產(chǎn)品優(yōu)勢:
基于國家軍標生產(chǎn)線研制生產(chǎn),工藝穩(wěn)定,質(zhì)量可靠。
產(chǎn)品特性:
高頻率、高功率、高效率、低導(dǎo)通電阻。
產(chǎn)品應(yīng)用:
太陽能逆變器,高壓DC/DC變換器,電機驅(qū)動,UPS電源,開關(guān)電源,充電樁等。