產(chǎn)品詳情:
1、產(chǎn)品特點(diǎn):
EIGER2 R CdTe X射線探測(cè)器將混合像素光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的發(fā)展和碲化鎘感光器件的高量子效率集合在一起。對(duì)于使用高能量 X 射線源或需要雙閾值設(shè)置時(shí), EIGER2 R CdTe是的選擇。
DECTRIS 公司的即時(shí)觸發(fā)技術(shù)使他們具有的高計(jì)數(shù)率能力,可以更精確地測(cè)量實(shí)驗(yàn)室X射線源所能達(dá)到的強(qiáng)度。EIGER2 R CdTe探測(cè)器具有兩個(gè)能量閾值,所以與上一代探測(cè)器相比,它在環(huán)境背景下?lián)碛懈偷陌惦娏骱捅尘霸胍?。這大大提高了弱信號(hào)和長時(shí)間曝光的信噪比,使得它在更短的測(cè)量時(shí)間下能獲得更好的數(shù)據(jù)質(zhì)量。單光子計(jì)數(shù)與計(jì)數(shù)器連續(xù)讀/寫技術(shù)相結(jié)合,克服了傳統(tǒng)積分探測(cè)器容易飽和以及動(dòng)態(tài)范圍有限的問題。此外,感光像素直接將X射線轉(zhuǎn)化為電信號(hào),配合 75μm的小像素尺寸使得探測(cè)器具有更高的空間和角度分辨率。
2、核心優(yōu)勢(shì):
– 針對(duì)高能射線有的量子效率、更短的測(cè)試時(shí)間和更高質(zhì)量的數(shù)據(jù)
– 即時(shí)觸發(fā)技術(shù)使得計(jì)數(shù)率大幅度提高
– 雙能閾值,可用于低背景和高背景的抑制
– 無讀出噪音和暗電流,確保了的信噪比
– 計(jì)數(shù)器具有同時(shí)讀/寫功能,確保了高動(dòng)態(tài)范圍和無飽和的圖像
3、應(yīng)用領(lǐng)域:
- 大分子晶體學(xué)(MX);
- 化學(xué)結(jié)晶學(xué);
- 小角X射線散射和廣角X射線散射(SAXS/WAXS);
- μCT;
- 高壓晶體學(xué);
型號(hào) | EIGER2 R CdTe 4M | EIGER2 R CdTe 1M | EIGER2 R CdTe 500K | EIGER2 R CdTe 2M-W | EIGER2 R CdTe 1M-W |
有效面積(寬 x 高) | 155.1 x 162.2 | 77.1 x 79.7 | 77.1 x 38.4 | 311.1 x 38.4 | 155.1 x 38.4 |
總像素?cái)?shù)量(寬 x 高) | 2,068 x 2,162 | 1,028 x 1,062 | 1,028 x 512 | 4,148 x 512 | 2,068 x 512 |
像素大?。▽挦?span>m2) | 75 x 75 | ||||
能量范圍 | 8-25 | ||||
能量閾值數(shù) | 2 | ||||
閾值范圍 | 4-30 | ||||
計(jì)數(shù)速率(值) | 5.5 x 106 | ||||
幀速率() | 20 | 100 | 100 | 50 | 100 |
傳感器材料 | CdTe | ||||
傳感器厚度 | 750 | 750 | 750 | 750 | 750 |
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) (pixel) | 1 | ||||
尺寸(WHD) | 235 x 237 x 372 | 114 x 133 x 242 | 114 x 92 x 242 | 348 x 92 x 277 | 192 x 92 x 277 |
重量 | 15 | 4.7 | 3.7 | 9.7 | 5.8 |




