原子層沉積(atomiclayer deposition,ALD)技術,亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy,ALE)技術,是一種基于有序、表面自飽和反應的化學氣相薄膜沉積技術。所謂的原子層沉積技術,是指通過將氣相前驅體交替脈沖通入反應室并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學吸附反應形成薄膜的一種方法。
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