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      產(chǎn)品|公司|采購|資訊

      英飛凌IGBT模塊FZ1800R17HE4_B9

      參考價 18888
      訂貨量 ≥1
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱北京京誠宏泰科技有限公司
      • 品       牌英飛凌/Infineon
      • 型       號FZ2400R17H
      • 所  在  地北京市
      • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
      • 更新時間2024/10/14 9:50:57
      • 訪問次數(shù)727
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      北京京誠宏泰科技有限公司是一家集代理、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。專業(yè)銷售代理國內(nèi)外電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要代理及經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron、瑞士ABB, IXYS艾賽斯、Mitsubishi三菱、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、Sanken三肯、因達(dá)NIEC,美國IR,NELL尼爾;yaskawa安川;英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、美國BHC電解電容以及美國CDE無感電容;CONCEPT IGBT驅(qū)動模塊、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動板,操作面板及延長電纜等配件以及富士制動單元

      銷售各大半導(dǎo)體功率器件工業(yè)備品配件:IGBT模塊;單管IGBT模塊;雙管半橋IGBT模塊;4單元H橋IGBT模塊;3單元IGBT模塊;6單元三相全橋IGBT模塊;
      三電平IGBT模塊;6500V高壓IGBT模塊;3300V高壓IGBT模塊;4500V高壓IGBT模塊;IPM模塊;PIM模塊;PLC模塊;GTR達(dá)林頓模塊 ;GTO晶閘管;普通晶閘管;
      快速晶閘管; 二極管;快恢復(fù)二極管;整流橋;剎車整流器;單相整流橋;三相整流橋;全控整流橋;半控整流橋;可控硅;雙向可控硅;反并聯(lián)可控硅;驅(qū)動板;
      IGBT驅(qū)動板;可控硅驅(qū)動板;可控硅觸發(fā)板;晶閘管觸發(fā)板; MOSFET管;場效應(yīng)模塊;電容;直流鋁電解電容;交流濾波電容;啟動電容器;無功補償電容器;
      快熔;延時慢熔;智能功率模塊;智能晶閘管模塊;工業(yè)觸摸屏;操作面板;工控機;變頻器整機及配件;軟啟動器整機及配件;電力調(diào)整器整機及配件;
      ABB變頻傳動備件;西門子變頻傳動/直流調(diào)速備件;風(fēng)電/煤礦/石油/鐵路/光伏/新能源汽車備件!

      主要銷售德國,歐洲、美國、日本等品牌模塊。公司一直本著“質(zhì)量*,價格合理, 交貨快捷,客戶至上”。公司經(jīng) 營的電力功率模塊,主要用于航天航空,機場設(shè)施,電機調(diào)速,礦山焊機,船舶艦艇,通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅(qū)動器 、UPS、變頻與傳動、電動汽車、電力系統(tǒng)無功補償裝置UPS逆變器/UPS/EPS、風(fēng)電變流器、變頻空調(diào)、光伏變流、機車主牽引變流器、電梯變頻器 、起重專用變頻器 、 感應(yīng)加熱、電源電鍍/電解電源 、有源濾波/無功補償、機車輔助逆變器、逆變焊機;京誠宏泰科技 在逆變焊機、不間斷電源UPS、Inverter變頻器、數(shù)控伺服、電動汽車、風(fēng)力太陽能發(fā)電等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!


      IGBT,IPM,可控硅,整流橋,二極管,晶閘管,變頻器配件,IGBT驅(qū)動,快熔,電容
      封裝 170IHV
      英飛凌IGBT模塊FZ1800R17HE4_B9
      北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
      1700V IGBT英飛凌FZ1800R17HE4_B9
      英飛凌IGBT模塊FZ1800R17HE4_B9 產(chǎn)品信息

      英飛凌IGBT模塊FZ1800R17HE4_B9

      北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊;半導(dǎo)體功率模塊,工控配件

      產(chǎn)品參數(shù):

       

      IHM B 1700 V 1800A 190 mm 單開關(guān) IGBT 模塊,配有第四代 溝槽柵/場終止 IGBT,是您的工業(yè)應(yīng)用的理想解決方案。預(yù)涂熱界面材料

      IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 單開關(guān) IGBT 模塊,具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關(guān)損耗和發(fā)射極控制二極管——適用于牽引和工業(yè)應(yīng)用的成熟解決方案

       

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      如何計算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj?

       

      ChatGPT是這樣說的:


      要計算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj,需要考慮以下幾個因素:

      1

      IGBT芯片的功率損耗。這個值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說,功率損耗越大,工作結(jié)溫就越高。

      2

      IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會影響散熱效率。一般來說,背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。

      3

      外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會影響工作結(jié)溫。散熱器的大小、材料以及通風(fēng)情況都會影響散熱效果。

       

      如果考慮了以上因素后,可以使用以下公式計算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj

      Tvj = Ta + Pd*Rthjc


      其中, Ta是環(huán)境溫度,Pd是IGBT芯片的功率損耗,Rthjc是芯片與散熱器結(jié)合部的熱阻。

       

      需要注意的是,這個公式只考慮了IGBT芯片本身的散熱情況,并沒有考慮整個系統(tǒng)的散熱能力。因此,在實際應(yīng)用中,還需要結(jié)合具體的系統(tǒng)情況來確定IGBT器件的工作結(jié)溫。

      1700V IGBT模塊型號:

       

      FZ1800R17KF4

      FZ1200R17KF6C_B2

      FZ1600R17KF6C_B2

      FZ2400R17KF6C_B2

      FZ1200R17KF4

      FZ1200R17HE4

       

       

      FZ1200R17HP4_B2
      FZ1600R17HP4_B2
      FZ1600R17HP4_B21
      FZ1800R17HP4_B29
      FZ2400R17HP4_B2
      FZ2400R17HP4_B28
      FZ2400R17HP4_B29
      FZ3600R17HP4_B2

       

      FZ1200R17HP4
      FZ1600R17HP4
      FZ1800R17HP4_B9
      FZ2400R17HP4
      FZ2400R17HP4_B9
      FZ3600R17HP4
      IGBT4 Fast (IHM B)
      1)
      FZ1200R17HE4
      FZ1800R17HE4_B9
      FZ2400R17HE4_B9
      FZ3600R17HE4

       


       

       

      特征描述

      • 高直流電壓穩(wěn)定性

      • 高短路能力

      • 自限制短路電流

      • 低開關(guān)損耗

      • 出色的堅固性

      • Tvj op = 150°C

      • 低 VCEsat,具有正溫度系數(shù)

      • 鋁碳化硅基板,用于提高熱循環(huán)能力

      • 封裝的 CTI > 600

      • 絕緣基板

       

       

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      產(chǎn)品規(guī)格:

      IGBT 類型:溝槽型場截止

      配置:半橋

      電壓 - 集射極擊穿:1700 V

      電流 - 集電極 (Ic):1800 A

      電流 - 集電極截止:100 µA

      不同 Vce 時輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

      輸入:標(biāo)準(zhǔn)

      NTC 熱敏電阻:無

      工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

      安裝類型:底座安裝

      封裝/外殼:模塊

      供應(yīng)商器件封裝:AG-62MM

      產(chǎn)品特征:

      高功率密度

      的 VCE,SAT

      Tvj op = 175°C 過載

      高爬電距離和電氣間隙

      符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

      4 kV AC 1 分鐘絕緣

      CTI > 400 的封裝

      通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認(rèn)證

      TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

      改進的EconoDUAL™ 3封裝

      225、750和900A,1700V半橋模塊

      的二極體,750A IGBT配1200A二極體(僅FF750R17ME7D_B11)

      在過載情況下工作結(jié)溫可達(dá)到175°C

      壓接式控制引腳

      英飛凌IGBT模塊FZ1800R17HE4_B9

      優(yōu)勢:

      具有高電流能力的現(xiàn)有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

      高功率密度

      避免 IGBT 模塊并聯(lián)

      通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

      靈活性

      高的可靠性

      產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:

      不間斷電源(UPS)

      儲能系統(tǒng)

      電機控制和驅(qū)動

      商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

      變頻器

      637743823772303523384.png

      北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。

      銷售國內(nèi)外品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

      SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

      Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達(dá)NIEC,美國IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼爾;yaskawa安川;

      英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊;日本富士(FUJI)、

      日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),

      Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON,法國湯姆遜TPC,日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;

      紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC,BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容;瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動板,電源板,通信板,接口板

      操作面板

      英飛凌IGBT模塊FZ1800R17HE4_B9

      IGBT是什么?

      IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      IGBT與MOSFET的對比

      MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

      優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

      缺點:擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司英飛凌IGBT模塊FZ1800R17HE4_B9

      IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

      特點:擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。

      IGBT的典型應(yīng)用

      電動機

      不間斷電源

      太陽能面板安裝

      電焊機

      電源轉(zhuǎn)換器與反相器

      電感充電器

      電磁爐

      637743823599565566542.png

      第七代IGBT型號:

       

      FF900R12ME7P_ B11

      FF450R12ME7_ B11

      FF900R12ME7W_ B11

      FF900R12ME7_ B11

      FF600R12ME7_ B11

      FF800R12KE7

      FF300R12ME7_ B11

      FF750R12ME7_ B11

      FF750R17ME7D_ B11

      FF225R17ME7_ B11

      FF1800R23IE7P

      FF1800R23IE7

       

      FF2400RB12IP7P

      FF2400RB12IP7

       

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