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      10us浪涌電流測(cè)試儀

      參考價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱(chēng)深圳市華科智源科技有限公司
      • 品       牌其他品牌
      • 型       號(hào)HUSTEC-IFS
      • 所  在  地深圳市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間2024/3/21 15:35:31
      • 訪問(wèn)次數(shù)167
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         深圳市華科智源科技有限公司,是一家專(zhuān)業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*,坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;
          華夏神州,科技興國(guó),智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長(zhǎng);華科智源公司 核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專(zhuān)家等技術(shù)人才組建,致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
          深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商,2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來(lái)料選型。

      首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng),SMT智能首件檢測(cè)儀,首樣檢測(cè),首板確認(rèn)
      10us浪涌電流測(cè)試儀,可測(cè)試二極管,MOS,IGBT,以及SIC器件浪涌電流能力,可輸出底寬10ms,8.3ms,1ms,10us等正弦半波或方波,浪涌電流根據(jù)具體需求可選擇800A,1200A,3000A以及定制8000A以上,電流可達(dá)50kA;
      10us浪涌電流測(cè)試儀 產(chǎn)品信息



      華科智源-二極管浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過(guò)載電流。

      半導(dǎo)體器件在工作時(shí),有時(shí)要承受較大的沖擊電流,器件的用途不同,要求器件能承受浪涌電流的能力也不同,為了檢測(cè)器件承受浪涌電流的能力,可產(chǎn)生一個(gè)大的浪涌電流施加于被測(cè)器件上,從而檢測(cè)被測(cè)器件是否能承受大浪涌電流的沖擊。


      華科智源浪涌電流試驗(yàn)儀的測(cè)試方法符合jb/t7626-2013中的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。浪涌電流試驗(yàn)臺(tái),是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備,該設(shè)備具有如下特點(diǎn):

      1、該試驗(yàn)臺(tái)是一套大電流、高電壓的測(cè)試設(shè)備,對(duì)設(shè)備的電氣性能要求高。

      2、該試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試控制采用自動(dòng)控制,測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

      3、該試驗(yàn)臺(tái)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為excel文件進(jìn)行處理。

      4、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成:

      a、浪涌測(cè)試單元

      b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元

      c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

      二、技術(shù)條件

      2.1 環(huán)境要求:

      1、環(huán)境溫度:1540

      2相對(duì)濕度:存放濕度不大于80%

      3、壓力:86kpa—106kpa

      4、海拔高度:1000米以下

      5、電網(wǎng)電壓:ac220v±10%無(wú)諧波

      6電網(wǎng)頻率:50hz±1hz

      7、電源功率:小于1.5kw

      8、供電電網(wǎng)功率因數(shù):>0.9

      2.2主要技術(shù)指標(biāo):

      1、浪涌電流itsm/ifsm測(cè)試范圍:301200a;選配3000a,8000a,20ka,50ka等

      2、浪涌電流itsm/ifsm精度要求:顯示分辨率1a精度±3%

        浪涌電流itsm/ifsm波形:近似正弦半波;

      3、浪涌電流底寬:8.310ms;選配1ms,10us等

      4、測(cè)試頻率:?jiǎn)未?;重?fù)

      5、反向電壓vrrm測(cè)試范圍:2002000v;

      6、反向電壓vrrm顯示分辨率10v,精度±3%

      7、反向電壓頻率:dc直流

      8、各種模塊均手動(dòng)連接,并以單管形式測(cè)試。

      9、采用計(jì)算機(jī)控制、采樣及顯示;

      關(guān)鍵詞:控制系統(tǒng)
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