正比探測(cè)器、閃爍探測(cè)器
使用時(shí)需要配置單色器,有效去掉Kβ線(xiàn)。
線(xiàn)性計(jì)數(shù):≥5×105CPS
能譜分辨率:正比≤25%、閃爍≤50%。 SDD硅漂移探測(cè)器
使用時(shí)不需要配置單色器,線(xiàn)性計(jì)數(shù):≥1.5×105CPS、能譜分辨率≤200eV,較線(xiàn)性探測(cè)器,樣品測(cè)量速度提高4倍以上,可實(shí)現(xiàn)高分辨率X射線(xiàn)衍射測(cè)量。 高速一維陣列探測(cè)器
由640個(gè)探測(cè)器組成的一維半導(dǎo)體陳列探測(cè)器,相比傳統(tǒng)的閃爍或正比探測(cè)器可以提高衍射強(qiáng)度120倍以上,在較短時(shí)間內(nèi),獲取高靈敏度、高分辨率完整的衍射譜圖,并且還有非常好的去熒光能力,即使是測(cè)量強(qiáng)熒光的樣品,一維半導(dǎo)體陳列探測(cè)器提供的數(shù)據(jù)也展示出非常好的信噪比。
線(xiàn)性計(jì)數(shù):≥9×109CPS,能譜分辨率:≤25%;有高計(jì)數(shù)模式及去除熒光背景兩種工作模式。 半導(dǎo)體線(xiàn)陣探測(cè)器
探測(cè)器型號(hào)是: MiniPIX 60K 由捷克航空實(shí)驗(yàn)室制作,有效面積14×14mm、像素尺寸55µm、像素?cái)?shù)量256×256、每個(gè)像素計(jì)數(shù)率大于3×106cps。樣品測(cè)量速度較常規(guī)的正比探測(cè)器+單色器提高35倍以上。
半導(dǎo)體陣列探測(cè)器Si樣品衍射譜圖