普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專(zhuān)業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!
大電流電源3000A電流源優(yōu)勢(shì)
50~500us的脈沖寬度連續(xù)可調(diào);
同步測(cè)量電壓;
單臺(tái)較大可達(dá)1000A輸出;
可極性反轉(zhuǎn);
0.1%測(cè)試精度;
簡(jiǎn)述
高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓”掃描測(cè)試。
器件 | 測(cè)試項(xiàng) |
肖特基二極管,整流橋堆 | 瞬時(shí)前向電壓 |
IGBT器件 | IGBT導(dǎo)通壓降、鍵合線(xiàn)阻抗 |
IGBT模塊,IPM模塊 | IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時(shí)前向電壓、鍵合線(xiàn)阻抗 |
技術(shù)指標(biāo)
項(xiàng)目 | 參數(shù) |
電流脈寬 | 50μs~500μs |
脈沖電流上升沿時(shí)間 | 典型時(shí)間15μs |
輸出脈沖電流 | 5A~1000A量程,精度0.1%FS±1A |
輸出負(fù)載電壓要求 | <12V@1000A |
DUT電壓測(cè)量 | 2獨(dú)立通道 |
遠(yuǎn)端測(cè)量,峰值電壓測(cè)量(取樣點(diǎn)可配置) | |
0~0.3V量程,精度0.1%±0.3mV | |
0~3V量程,精度0.1%±3mV | |
0~18V量程,精度0.1%±8mV | |
電流脈沖輸出間隔時(shí)間 | 1秒 |
電流脈沖峰值功率 | <12kW |
多設(shè)備并聯(lián) | 支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流,如3000A |
輸出極性反轉(zhuǎn) | 支持 |
觸發(fā)信號(hào) | 支持trig in及trig out |
通訊接口 | RS232、LAN |
輸入電壓 | 90~264VAC、50/60Hz |
輸入功率 | <750W |
尺寸 | 長(zhǎng)516 x寬220 x高160mm |
大電流電源3000A電流源應(yīng)用領(lǐng)域
肖特基二極管
整流橋堆
IGBT器件
IGBT半橋模塊
IPM模塊