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      產(chǎn)品|公司|采購(gòu)|資訊

      四探針電阻率測(cè)試儀(單電)

      參考價(jià) 20000
      訂貨量 ≥1臺(tái)
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱(chēng)北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
      • 品       牌其他品牌
      • 型       號(hào)BEST-300C
      • 所  在  地北京市
      • 廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)廠(chǎng)家
      • 更新時(shí)間2024/11/25 15:11:56
      • 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)1570
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      北廣精儀公司是一家從事檢測(cè)儀器,自動(dòng)化設(shè)備生產(chǎn)的企業(yè)公司,“精細(xì)其表,*于內(nèi)”是北廣精儀一慣秉承的原則。其先進(jìn)的設(shè)計(jì)風(fēng)格,制造技術(shù)和完善的服務(wù)體系,為科研機(jī)構(gòu)、大專(zhuān)院校,企業(yè)和質(zhì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)提供高品質(zhì)的產(chǎn)品和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。北廣精儀公司集軟件設(shè)計(jì)、機(jī)械、電學(xué)、汽壓、電子、電機(jī)以及研發(fā)、品保、生管、檢測(cè)等專(zhuān)業(yè)人才,獲取即時(shí)資訊,發(fā)展先進(jìn)的產(chǎn)品與服務(wù)。產(chǎn)品符合:ISO、AATCC、ASTM、DIN、EN、GB、BS、JIS、ANSI、UL、TAPPI、IEC、VDE等標(biāo)準(zhǔn),廣泛適用于:科研單位、質(zhì)檢機(jī)構(gòu)、大專(zhuān)院校以及絕緣材料、橡膠塑料、海綿泡沫材料、橡膠、塑料、航空等產(chǎn)業(yè),為材料開(kāi)發(fā)、物性試驗(yàn)、教學(xué)研究、品質(zhì)管理、檢驗(yàn)等提供精準(zhǔn)的數(shù)據(jù)。

      產(chǎn)品理念:用心制造,不斷升級(jí)!

      現(xiàn)公司總資產(chǎn)達(dá)數(shù)千萬(wàn)元。擁有現(xiàn)代化設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)技術(shù)和先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備。多種高性能檢測(cè)設(shè)備及非標(biāo)自動(dòng)化設(shè)備的生產(chǎn)和研制。

      無(wú)需和任何大學(xué)合作*有自主研發(fā)的能力并多次參加世界儀器展覽會(huì)與討論會(huì)聚結(jié)精華注于研發(fā)

      北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司,同時(shí)在香港、上海、廣東、福建、重慶、北京、長(zhǎng)沙等地為客戶(hù)提供實(shí)驗(yàn)室整體解決方案,包括實(shí)驗(yàn)室的設(shè)計(jì)規(guī)劃、儀器選型、安裝、培訓(xùn)、保養(yǎng)、校正、對(duì)比測(cè)試、管理體系、認(rèn)證等一站式技術(shù)服務(wù)。

      北廣公司保持以發(fā)展與中國(guó)測(cè)試產(chǎn)業(yè)相適應(yīng)的應(yīng)用技術(shù)為主線(xiàn),通過(guò)與產(chǎn)業(yè)界協(xié)調(diào)發(fā)展的方式提高本公司的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力和技術(shù)含量。

      與此同時(shí),本公司自成立以來(lái),堅(jiān)持走"研發(fā)生產(chǎn)"相結(jié)合的道路,借助國(guó)家工業(yè)研究院的理論知識(shí)和強(qiáng)勁的科研實(shí)力,在消化、吸收先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)的基礎(chǔ)上,大膽創(chuàng)新、銳意改革、努力創(chuàng)造,開(kāi)發(fā)出具有中國(guó)特色的新產(chǎn)品,為提高中國(guó)的科研及產(chǎn)品質(zhì)量作出了應(yīng)有的貢獻(xiàn)。

      經(jīng)營(yíng)理念:

      一、誠(chéng)信待戶(hù)顧客至上全心全意為顧客考慮,使顧客能切身感受到人性化的儀器。

      二、檢測(cè)保質(zhì)保量是我們的責(zé)任保質(zhì)保量是我們對(duì)客戶(hù)的鄭重承諾

      三、技術(shù)創(chuàng)新理念儲(chǔ)備的開(kāi)發(fā)人才,引進(jìn),采用設(shè)計(jì)理念,打造檢測(cè)儀器。

      北廣產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于國(guó)防、大專(zhuān)院校以及檢測(cè)所等行業(yè),本公司以技術(shù)的創(chuàng)新為企業(yè)的發(fā)展方向,以新型實(shí)用的產(chǎn)品引導(dǎo)客戶(hù)的需求

      北廣公司所供產(chǎn)品嚴(yán)格按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)制造,嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹圃飙h(huán)節(jié)確保每一臺(tái)出廠(chǎng)儀器質(zhì)量和性能=服務(wù)優(yōu)質(zhì),質(zhì)優(yōu)價(jià)廉確保您的放心!

      電壓擊穿試驗(yàn)儀,體積電阻率表面電阻率測(cè)試儀,介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀,海綿泡沫壓陷硬度試驗(yàn)儀,海綿泡沫塑料落球回彈試驗(yàn)儀,介電擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀
      四探針電阻率測(cè)試儀(單電)按照測(cè)試原理,可以分為四探針測(cè)試儀和分步四探針測(cè)試儀。四探針測(cè)試儀采用傳統(tǒng)四探針?lè)?,測(cè)量樣品電阻、方阻和電阻率等參數(shù)。分步四探針測(cè)試儀則采用改進(jìn)的四探針?lè)ǎㄟ^(guò)分步掃描的方式,在保持同樣精度的情況下,可以更快地測(cè)量大面積樣品的電阻、方阻和電阻率等參數(shù)。
      四探針電阻率測(cè)試儀(單電) 產(chǎn)品信息

      四探針電阻率測(cè)試儀(單電)半導(dǎo)體材料測(cè)試儀器主要用于測(cè)量半導(dǎo)體的電阻、方阻和電阻率等參數(shù),如硅片、化合物半導(dǎo)體等。陶瓷材料測(cè)試儀器則用于測(cè)量陶瓷材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù),如氧化鋁、氮化硅等。金屬材料測(cè)試儀器則用于測(cè)量金屬材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù),如銅、鋁等。四探針電阻率測(cè)試儀(單電)四探針測(cè)試儀測(cè)量半導(dǎo)體的電阻、方阻和電阻率等參數(shù),以確保半導(dǎo)體的質(zhì)量和性能符合要求。在陶瓷制造行業(yè)中,可以使用陶瓷材料測(cè)試儀器測(cè)量陶瓷材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù),以?xún)?yōu)化陶瓷材料的配方和生產(chǎn)工藝。

      13.jpg

      技術(shù)參數(shù):

      1.電阻率:10-5~2×106Ω-cm
      2.電   阻:10-5~2×106Ω

      3.電導(dǎo)率:5×10-6~105ms/cm

      4.分辨率: 小0.1μΩ測(cè)量誤差±(0.05%讀數(shù)±5字)

      5.測(cè)量電壓量程: 2mV   20mV  200mV 2V 測(cè)量精度±(0.1%讀數(shù))

      6.分辨率:  0.1uV  1uV  10uV  100uV

      7.電流輸出:直流電流 0~1000mA 連續(xù)可調(diào),由交流電源供電。
      量程:1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,1000mA, 誤差:±0.2%讀數(shù)±2字

      8.顯示方式:液晶顯示電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算

      9.傳感器壓力:200kg  (其他規(guī)格可以定制)

      10.粉末測(cè)量裝置 模具:內(nèi)徑10mm;高:25mm;

      加壓方式:手動(dòng)液壓加壓/自動(dòng)加壓方式(選購(gòu))

      11.電源:220±10% 50HZ/60HZ

      12.主機(jī)外形尺寸:330mm*350mm*120mm

      13.凈重量:約6kg

      導(dǎo)電電阻率測(cè)試儀功能介紹:本儀器采用四端測(cè)量法適用于碳素粉末廠(chǎng)、焦化廠(chǎng)、石化廠(chǎng)、粉末冶金廠(chǎng)、高等院校、科研部門(mén),是檢驗(yàn)和分析粉末樣品質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示,同時(shí)顯示電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算,配置不同的測(cè)試治具可以滿(mǎn)足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).使用薄膜按鍵開(kāi)關(guān)面板,操作簡(jiǎn)單,耐用,符合人體工學(xué)操作規(guī)范. 提供中文或英文兩種語(yǔ)言操作界面

      8.1.1對(duì)十組測(cè)量數(shù)據(jù)中的每一組,用式(2)計(jì)算探針間距S, ,S2,,Sy

      S = [(C, + D,)/2]-[(A, +B,)/2]

      S,=[(E, + Fj)/2]-[(C, +D,)/2]

      .....-(2)

      S,,=[(G, +H,)/2]-[(E; +F;)/2]

      式中:

      S,~S,,--探針間距,單位為厘米(cm);

      A~H一一探針壓痕的點(diǎn)位,見(jiàn)圖6所示,單位為厘米(cm);

      腳標(biāo)j一組數(shù),取1到10。

      8.1.2用式(2)得到的S,計(jì)算每一間距平均值S,如式(3):

      -(0)s

      ………--………(3)

      式中:i取 1,2,3.

      8.1.3將按式(3)計(jì)算得到的S,和按式(2)計(jì)算得到的S。,利用式(4)分別計(jì)算3個(gè)間距的試樣標(biāo)準(zhǔn)

      偏差a

      ?/÷[∑

      ....…...……(4)

      8.1.4計(jì)算平均探針間距S,如式(5):

      s=/(++)

      ...……………(5)

      8.1.5計(jì)算探針系數(shù)C和適用于圓片測(cè)量時(shí)的探針間距修正因子F„,分別如式(6)和式(7):

      C-

      2x

      …………----*(6)

      京+¯+s¯s+S

      1

      F,=1+1.082[1-(/)

      .......-.-*****……(7)

      8.2利用7.1.3~7.1.4測(cè)量的數(shù)據(jù)計(jì)算模擬電路測(cè)量的平均電阻r和標(biāo)準(zhǔn)偏差o。

      8.2.1如果采用直接測(cè)量電阻,用單個(gè)正向和反向電阻(無(wú)論是計(jì)算結(jié)果或是測(cè)量結(jié)果)均按式(8)計(jì)

      算平均電阻,否則按8.2.2計(jì)算模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,:

      …………---…(8)

      式中:

      r-10個(gè)模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,中的任意一個(gè)值.

      8.2.2根據(jù)測(cè)量值計(jì)算模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,如式(9):

      --中厚度修正系數(shù)F(W/S)表格范圍增加;

      一按中文格式分直排四探針?lè)ā⒅绷鲀商结樂(lè)ㄟM(jìn)行編排。

      本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)ā泛虶B/T 1552-1995《硅、鍺

      單品電阻率測(cè)定直排四探針?lè)ā贰?/p>

      本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995相比,主要有如下變化:

      一一刪除了鍺單晶測(cè)定的相關(guān)內(nèi)容;1范圍

      本方法規(guī)定了用直排四探針?lè)y(cè)量硅單晶電阻率的方法.

      本方法適用于測(cè)量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍

      的硅單晶體電阻率以及測(cè)量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。

      本方法可測(cè)定的硅單晶電阻率范圍為1X10-Ω?cm~3X10' Ω.cm.

      2環(huán)境要求

      環(huán)境溫度為23℃±1℃,相對(duì)濕度不大于65%。

      3干擾因素

      3.1光照可能?chē)?yán)重影響觀(guān)察電阻率,特別是近似本征材料。因此,所有測(cè)試應(yīng)在暗室進(jìn)行,除非是待測(cè)

      樣品對(duì)周?chē)墓獠幻舾小?/p>

      3.2當(dāng)儀器放置在高頻于擾源附近時(shí),測(cè)試回路中會(huì)引入虛假電流,因此儀器要有電磁屏蔽。

      21.jpg

      3.3試樣中電場(chǎng)強(qiáng)度不能過(guò)大,以避免少數(shù)載流子注入。如果使用的電流適當(dāng),則用該電流的兩倍或

      一半時(shí),引起電阻率的變化應(yīng)小于0.5%。

      3.4由于電阻率受溫度影響,一般測(cè)試適用溫度為23℃±1 ℃.

      3.5對(duì)于厚度對(duì)測(cè)試的影響,仲裁測(cè)量要求厚度按本方法的6.3規(guī)定測(cè)量,一般測(cè)量用戶(hù)可以根據(jù)實(shí)

      際需要確定厚度的要求偏差。

      3.6由于探針壓力對(duì)測(cè)量結(jié)果有影響,測(cè)量時(shí)應(yīng)選擇合適的探針壓力。

      3.7仲裁測(cè)量時(shí)選擇探針間距為1.59mm,非仲裁測(cè)量可選擇其他探針間距。

      4方法提要直排四探針測(cè)量示意圖

      5測(cè)量?jī)x器

      5.1探針裝置由以下幾部分組成。

      5.1.1探針用鎢,碳化鎢或高速鋼等金屬制成,針尖呈圓錐型,夾角為45°~150*初始標(biāo)稱(chēng)半徑為

      25 μm~50 μm。

      5.1.2探針壓力,每根探針壓力為1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分別用于硅單晶棒的電阻率測(cè)

      量,也可選擇其他合適的探針壓力。

      5.1.3絕緣性,一探針(包括連接彈簧和外部引線(xiàn))與任何其他探針或裝置任一部分之間絕緣電阻大于

      10’Ω.

      5.1.4探針排列和間距,四根探針的應(yīng)成等間距直線(xiàn)排列。仲裁測(cè)量時(shí),探針間距(相鄰探針之間

      的距離)標(biāo)稱(chēng)值應(yīng)為1.59mm。其他標(biāo)稱(chēng)間距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁測(cè)量,探針間距按7.2

      測(cè)定。

      5.1.5探針架,能在針尖幾乎無(wú)橫向移動(dòng)的情況下使探針下降到試樣表面.

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