●成都漢普升科技有限公司，成立于2015年11月16日，致力于電真空、核級(jí)裝備、人工晶體材料及薄膜制備設(shè)備的技術(shù)提升，在服務(wù)領(lǐng)域深耕細(xì)作，具有較深的技術(shù)沉積。

公司成立以來(lái)，在自己所擅長(zhǎng)領(lǐng)域?yàn)榭蛻籼峁﹥?yōu)良的產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，公司注重產(chǎn)品和運(yùn)營(yíng)模式創(chuàng)新，我們堅(jiān)信：唯有創(chuàng)新方能給用戶增值，公司已與多家科研院所、高等院校及企事業(yè)單位進(jìn)行橫向合作，形成了科研級(jí)、工業(yè)級(jí)產(chǎn)品體系，已為客戶設(shè)計(jì)制造了多套專用設(shè)備和儀器，獲得了用戶廣泛贊譽(yù)。

●本裝置使用電阻蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)和離子源輔助清洗、輔助沉積和原位刻蝕進(jìn)行復(fù)合，用于制備特種薄膜，薄膜具有均勻性、附著力、抗損傷、低顆粒物污染等特點(diǎn)，是半導(dǎo)體制程中關(guān)鍵工序的核心裝備，其技術(shù)長(zhǎng)期被美國(guó)、日本等國(guó)所壟斷，屬于國(guó)內(nèi)卡脖子裝備，也是制約國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域自主可控的關(guān)鍵設(shè)備，該設(shè)備的技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有積極意義。