晶圓激光切割機/SA-IR20WD（底相機對準）型，相比傳統(tǒng)機型，主要增加：底部相機、增加底部成像鏡頭、增加底部成像光源，可實現(xiàn)晶圓片底部對準，保留原有上相機更能，可實現(xiàn)正切和背切功能。

技術規(guī)格                            項目                                         單位                                      數(shù)值

對準方式                                                         底部對準，兼容頂部對準

加工尺寸                    承片臺                                      inch                                      4英寸

切割深度                    單晶硅                                       um                                       ≤150微米

                                        激光器功率                                 w                                         20瓦

                                        激光器波長                                 nm                                     1064nm紅外

激光器                              重復頻率                                    KHZ                                     20千-60微米

                                        切割速度                                    mm/s                                   150毫米每秒

切割參數(shù)                          切割線寬                                     um                                       40-60微米

工作臺承載方式                大理石                                        mm                                      厚度100毫米

                                        耗電量                                  Kw                                       2.0千瓦

                                        壓縮空氣供給壓力                        MPa                                    0.5-0.8兆帕

                                        排風量（工廠自備）                   m3/min                                 3立方每分鐘

                                        設備尺寸（W*D*H）                   mm                                      980*1270*1740毫米

其他規(guī)格                          設備重量                                       KG                                       660千克

                                        排風口口徑                                   mm                                     50毫米

1）紅外激光不能切割玻璃，玻璃會有裂紋；

2）紅外激光切割深度為80-90um，超過該深度裂片效果不佳，請在芯片工藝設計時，考慮片厚及溝槽深度，以決定所需要切割的硅總厚度。