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      日立球差校正掃描透射電子顯微鏡HD-2700

      參考價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      • 公司名稱云能國際科學儀器(北京)有限公司
      • 品       牌
      • 型       號
      • 所  在  地
      • 廠商性質(zhì)其他
      • 更新時間2023/8/8 9:12:33
      • 訪問次數(shù)337
      產(chǎn)品標簽:

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      天美集團從事表面科學、分析儀器、生命科學設(shè)備及實驗室儀器的設(shè)計、開發(fā)和制造及分銷;為科研、教育、檢測及生產(chǎn)提供完整可靠的解決方案。近年來天美集團積極拓展國際市場,先后在新加坡、印度、印尼、泰國、越南、美國、英國、法國、德國、瑞士等多個國家設(shè)立分支機構(gòu)。公司亦先后收購了法國Froilabo公司、瑞士Precisa公司、美國IXRF公司、英國Edinburgh Instruments公司等多家海外生產(chǎn)企業(yè)和布魯克公司Scion氣相和氣質(zhì)產(chǎn)品生產(chǎn)線,以及上海精科公司天平產(chǎn)品線, 三科等國內(nèi)制造企業(yè)、加強了公司產(chǎn)品的多樣化。
      色譜儀
      產(chǎn)品介紹:HD-2700是一款200kV的場發(fā)射球差校正掃描透射電鏡。相比于普通的透射電鏡,HD-2700采用球差校正技術(shù),大大減小了透鏡球差對分辨率的影響,從而可以實現(xiàn)超高分辨率的觀察。同時,HD
      日立球差校正掃描透射電子顯微鏡HD-2700 產(chǎn)品信息

      主要特點:

      高分辨觀察

      利用金顆粒保證0.144nm分辨率DF-STEM像(標準型)。

      大束流分析

      約為非校正的STEM探針電流的10倍,可以進行高速、高靈敏度能譜分析,可以在更短的時間內(nèi)獲得元素的面分布圖,使得檢測微量元素成為可能。
      簡化的操作

      提供了專用的GUI自動調(diào)節(jié)球差校正器

      整體的解決方案

      樣品桿與日立FIB兼容,提供了納米尺度的整體解決方案,從制樣到數(shù)據(jù)獲得和最終分析

      多種評價和分析功能可選
      可同時獲得和顯示SE&BF、SE&DF、BF&DF、DF/EDX和DF/EELS像;可以配備ELV-2000型實時元素Mapping系統(tǒng)(DF-STEM像可以同時獲得);可以同時觀察DF-STEM像和衍射像;可以配備超微柱頭樣品桿進行三維分析(360度旋轉(zhuǎn))等。

      項目

      主要參數(shù)

      電子槍

      冷場或熱場發(fā)射電子槍

      加速電壓

      200kV120kV*

       

      線分辨率

      0.144nm(標準型,配有球差、冷場或熱場)

      0.136nm(高分辨型,配有球差、冷場)

      0.204nm(標準型,配有熱場,無球差)

      放大倍率

      200x - 10,000,000x

      圖像模式

      BF-STEM相襯度像(TE)DF-STEM原子序數(shù)襯度像(ZC)、二次電子像(SE)、電子衍射花樣(可選)、特征X射線像(可選:EDX)EELS(可選:ELV-2000)

      電子光學

      電子槍:冷場或熱場發(fā)射電子槍,內(nèi)置陽極加熱器

      透鏡系統(tǒng):兩級聚光鏡、物鏡、投影鏡

      球差校正器:六極/傳輸 雙重(標準型和高分辨型)

      掃描線圈:兩級電磁線圈

      電位移:±1μm

      樣品桿

      側(cè)插式,X=Y=±1mm,Z=±0.4mm ,T=±30°(單傾樣品桿)


      應用領(lǐng)域:

      HD-2700作為一款場發(fā)射球差校正的掃描透射電鏡,不僅具有高分辨率的圖像觀察能力,同樣具有高空間分辨率的分析能力,配合EELS和EDS可以實現(xiàn)原子級元素的分析。HD-2700具有多種成像模式,可以滿足大部分樣品的觀察需求,其中日立的SE成像模式可以獲得透射電鏡無法獲得的樣品表面的信息,同時又比普通掃描電鏡具有更高的分辨率,可以實現(xiàn)對樣品表面的高分辨觀察。      

       

      應用文章:

      [1] Ciston1, J., Brown2, H. G., D`Alfonso2, A. J., Koirala3, P., Ophus1, C., Lin3, Y., Suzuki4, Y., Inada5, H., Zhu6, Y. & Marks3, L. D. Surface determination through atomically resolved secondary electron imaging.Nature Communications,2005,6, 7358-7365.

      [2] Zhu1*, Y., Inada2, H., Nakamura2, K. & Wall1, J. Imaging single atoms using secondary electrons with an aberration-corrected electron microscope.Nature Materials,2009,8, 808-812.



      關(guān)鍵詞:電位移
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