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      日本DNK科研曝光機MX-1201光刻機

      參考價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱塔瑪薩崎電子(蘇州)有限公司
      • 品       牌
      • 型       號
      • 所  在  地
      • 廠商性質(zhì)其他
      • 更新時間2023/7/21 8:07:11
      • 訪問次數(shù)283
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      經(jīng)營理念 堅持以人為本,與員工共進步,與客戶共攜手,與社會共生存,以實現(xiàn)“共存”為**目標(biāo)。 服務(wù)理念:熱情、專注 社長致詞 玉崎株式會社創(chuàng)立于平成15年,專業(yè)從事光學(xué)設(shè)備銷售,經(jīng)過幾年發(fā)展,項目也在不斷增加,公司開始進駐海外市場,深圳市京都玉崎電子有限公司,是玉崎株式會社全資設(shè)立的中國子公司,專業(yè)從事國內(nèi)貿(mào)易/國際貿(mào)易業(yè)務(wù),主要經(jīng)營光學(xué)設(shè)備、電子計測儀器、科學(xué)儀器、機械加工設(shè)備、環(huán)境試驗設(shè)備、PC周邊用品、作業(yè)工具用品、電源、化學(xué)用品、FA自動化類上萬種產(chǎn)品的銷售。公司憑借雄厚的總公司資本實力,熟練的運營能力,完善的供應(yīng)鏈及電子商務(wù)的銷售模式,為客戶搭建一個產(chǎn)品上等、種類齊全、價格實惠的銷售平臺。 公司擁有專業(yè)的銷售團隊、技術(shù)團隊、開發(fā)團隊、**的管理團隊,通過全員上下不懈地努力,憑借在工業(yè)品領(lǐng)域的專業(yè)水平和成熟技術(shù),公司在消費電子、半導(dǎo)體、汽車行業(yè)迅速崛起,目前已在深圳、北京、上海、蘇州、重慶、成都等地設(shè)立了6家分公司。中國其他省市的分公司已在積極籌建之中。 目前已與海外廠商建立了長期穩(wěn)定的合作關(guān)系,已獲取認(rèn)證的品牌有代理日本品牌:OTSUKA大塚電子(薄膜測厚儀、偏光片檢測、納米粒度分析儀、ZATA電位儀、相位差膜·光學(xué)材料檢查設(shè)備、液晶層間隙量測設(shè)備等)、東機產(chǎn)業(yè)(粘度計)、CCS(視檢查光源)、Aitec(視檢查光源)、REVOX萊寶克斯(視檢查光源)、EYE巖崎(UV汞燈)、索尼克(風(fēng)速計、流量計等)、坂口電熱(加熱器、制冷片)、NEWKON新光(針孔機)、富士端子(各種形狀端子,料多可定制)、NS精密科學(xué)(柱塞泵、高壓耐腐蝕防爆泵)。憑借專業(yè)銷售代理的經(jīng)驗,成熟的產(chǎn)品,贏得了廣大客戶的信任。并將的信息技術(shù)、高科技產(chǎn)品,快速、高效的供應(yīng)給客戶,為中國各地企業(yè)、工廠、以及個人用戶提供上等的產(chǎn)品和上等的服務(wù)。 京都玉崎公司恪守“誠信、品質(zhì)、快速、貼心”的服務(wù)宗旨,建立了完善的運營管理體系和*的IT基礎(chǔ)設(shè)施,在滿足不斷增長的服務(wù)需求的同時,通過減少中間環(huán)節(jié),并提供便利的配送服務(wù),將實惠和安心送到每個客戶手中。
      簡單介紹: 主要特長能夠用于研究開發(fā)、試作、小批量生產(chǎn)等的直描曝光。能夠?qū)?yīng)半導(dǎo)體、電子零件、優(yōu)異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工藝中不需要掩膜,因而可以*大限度地降低開發(fā)成本和縮短市場供應(yīng)時間。此外,還可以根據(jù)客戶需求,提供相應(yīng)的裝置構(gòu)造。
      日本DNK科研曝光機MX-1201光刻機 產(chǎn)品信息
      詳情介紹:

      光刻機介紹

      曝光裝置  MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ~ ?6″ 

      光源 超高壓水銀燈 :500W or 1kW

      曝光裝置 MA-1400  基板追大尺寸400 x 400mm

      光源 超高壓水銀燈 :2kW or 3.5kW

      LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2~4″或者?4~6″

      光源 超高壓汞燈:500W 或 1kW

      ?200mm/?150 mm 對應(yīng)曝光裝置MA-4301M   材料SI 玻璃, 對齊精度自動對齊:+/- 1 μm(
      峰值搜索)

      ?300mm對應(yīng)曝光裝置MA-5301ML  光源超高壓汞燈:3.5kW  ?200mm規(guī)格也可對應(yīng)

      マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s  有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量(※3)245/70/245+70
      マスクレス露光裝置MX-1201E  曝光掃描速度22.5mm/s  有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量(※3)460/70135

      マスクレス露光裝置MX-1205  曝光掃描速度9/4.5mm/s  有效曝光區(qū)域100 x 100 追大曝光量(※3)100/50

      主要規(guī)格

      型式 MX-1201 MX-1201E MX-1205
      *小線幅 (※1) [μm] 5 3 2 1
      數(shù)據(jù)分辨率 [μm] 0.488 0.25 0.1 0.05
      *大基板尺寸 [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
      有效曝光范圍 [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
      激光主波長 [nm] 405 375 405 + 375 405 375 375
      曝光掃描速度 [mm/s] 43.94 22.5 9 4.5
      節(jié)拍時間 [s,min] 180 [s] 320 [s] 16 [min] 27 [min]
      *大曝光量 [mJ/c㎡] 245 70 245 + 70 460 135 50 100

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