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鹵素燈RTP退火爐是一款6寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制**，溫度重復性高，客戶包括國際上許多半導體公司及科研團隊，是半導體制程退火工藝的理想選擇.
鹵素燈RTP退火爐技術特色：
? 真正的基片溫度測量，無需傳統(tǒng)的溫度補償
? 紅外鹵素管燈加熱
? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性
? 快速數(shù)字PID溫度控制
? 不銹鋼冷壁真空腔室
? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好
? 結構緊湊，小型桌面系統(tǒng)
? 帶觸摸屏的PC控制
? 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標準值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr
? *高3路氣體（MFC控制）
? 沒有交叉污染，沒有金屬污染
真實基底溫度測量技術介紹:
如上圖，由陣列式鹵素燈輻射出熱量經過石英窗口到達樣品表面，樣品被加熱，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進行測量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離，測量的不是基片真實的溫度，必須進行溫度補償。
鹵素燈RTP退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進行測溫，如上圖，接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置，陣列式鹵素燈輻射出熱量經過石英窗口到達樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時被加熱，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會進行熱量傳遞，并很快達到熱平衡，所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度，從而實現(xiàn)基片溫度的真實測量。
技術參數(shù)：
| 基片尺寸 | 6英寸 |
| 基片基座 | 石英針（可選配SiC涂層石墨基座） |
| 溫度范圍 | 150-1000℃ |
| 加熱速率 | 10-150℃/S |
| 溫度均勻性 | ≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
| 溫度控制精度 | ≤ ±3℃ |
| 溫度重復性 | ≤ ±3℃ |
| 真空度 | 5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
| 氣路供應 | 標準1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路） |
| 退火持續(xù)時間 | ≥35min@1250℃ |
| 溫度控制 | 快速數(shù)字PID控制 |
| 尺寸 | 870mm*650mm*620mm |
基片類型:
? Silicon wafers硅片
? Compound semiconductor wafers化合物半導體基片
? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍寶石基片
? Silicon carbide wafers碳化硅基片
? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片
? Glass substrates玻璃基片
? Metals金屬
? Polymers聚合物
? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座
鹵素燈RTP退火爐應用領域：
離子注入/接觸退火，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)，可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介電材料，晶體化，致密化，太陽能電池片鍵合等
