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      產(chǎn)品|公司|采購|資訊

      英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

      參考價 1888
      訂貨量 ≥1
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱北京京誠宏泰科技有限公司
      • 品       牌英飛凌/Infineon
      • 型       號FF800R12KE
      • 所  在  地北京市
      • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
      • 更新時間2024/10/14 11:14:41
      • 訪問次數(shù)1590
      在線詢價收藏產(chǎn)品 進(jìn)入展商展臺

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      北京京誠宏泰科技有限公司是一家集代理、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。專業(yè)銷售代理國內(nèi)外電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要代理及經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron、瑞士ABB, IXYS艾賽斯、Mitsubishi三菱、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、Sanken三肯、因達(dá)NIEC,美國IR,NELL尼爾;yaskawa安川;英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、美國BHC電解電容以及美國CDE無感電容;CONCEPT IGBT驅(qū)動模塊、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動板,操作面板及延長電纜等配件以及富士制動單元

      銷售各大半導(dǎo)體功率器件工業(yè)備品配件:IGBT模塊;單管IGBT模塊;雙管半橋IGBT模塊;4單元H橋IGBT模塊;3單元IGBT模塊;6單元三相全橋IGBT模塊;
      三電平IGBT模塊;6500V高壓IGBT模塊;3300V高壓IGBT模塊;4500V高壓IGBT模塊;IPM模塊;PIM模塊;PLC模塊;GTR達(dá)林頓模塊 ;GTO晶閘管;普通晶閘管;
      快速晶閘管; 二極管;快恢復(fù)二極管;整流橋;剎車整流器;單相整流橋;三相整流橋;全控整流橋;半控整流橋;可控硅;雙向可控硅;反并聯(lián)可控硅;驅(qū)動板;
      IGBT驅(qū)動板;可控硅驅(qū)動板;可控硅觸發(fā)板;晶閘管觸發(fā)板; MOSFET管;場效應(yīng)模塊;電容;直流鋁電解電容;交流濾波電容;啟動電容器;無功補(bǔ)償電容器;
      快熔;延時慢熔;智能功率模塊;智能晶閘管模塊;工業(yè)觸摸屏;操作面板;工控機(jī);變頻器整機(jī)及配件;軟啟動器整機(jī)及配件;電力調(diào)整器整機(jī)及配件;
      ABB變頻傳動備件;西門子變頻傳動/直流調(diào)速備件;風(fēng)電/煤礦/石油/鐵路/光伏/新能源汽車備件!

      主要銷售德國,歐洲、美國、日本等品牌模塊。公司一直本著“質(zhì)量*,價格合理, 交貨快捷,客戶至上”。公司經(jīng) 營的電力功率模塊,主要用于航天航空,機(jī)場設(shè)施,電機(jī)調(diào)速,礦山焊機(jī),船舶艦艇,通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅(qū)動器 、UPS、變頻與傳動、電動汽車、電力系統(tǒng)無功補(bǔ)償裝置UPS逆變器/UPS/EPS、風(fēng)電變流器、變頻空調(diào)、光伏變流、機(jī)車主牽引變流器、電梯變頻器 、起重專用變頻器 、 感應(yīng)加熱、電源電鍍/電解電源 、有源濾波/無功補(bǔ)償、機(jī)車輔助逆變器、逆變焊機(jī);京誠宏泰科技 在逆變焊機(jī)、不間斷電源UPS、Inverter變頻器、數(shù)控伺服、電動汽車、風(fēng)力太陽能發(fā)電等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!


      IGBT,IPM,可控硅,整流橋,二極管,晶閘管,變頻器配件,IGBT驅(qū)動,快熔,電容
      封裝 AG-62MMHB
      英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7
      北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
      第七代IGBT英飛凌FF600R12KE7
      英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7 產(chǎn)品信息

      英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

      北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊

      產(chǎn)品參數(shù):

       

      FF800R12KE7  IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM 雙低飽和和快速溝槽 IGBT 模塊,

      帶有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和發(fā)射極控制的 7 二極管。

      62 mm 1200 V, 800 A 低飽和壓降的Fast trench IGBT半橋模塊,采用TRENCHSTOP™ IGBT7和發(fā)射極控制第7代二極管。也可提供預(yù)涂導(dǎo)熱介質(zhì)版本。

      638192379783877030282.jpg

      產(chǎn)品規(guī)格:

      IGBT 類型:溝槽型場截止

      配置:半橋

      電壓 - 集射極擊穿:1200 V

      電流 - 集電極 (Ic):800 A

      電流 - 集電極截止:100 µA

      不同 Vce 時輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

      輸入:標(biāo)準(zhǔn)

      NTC 熱敏電阻:無

      工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

      安裝類型:底座安裝

      封裝/外殼:模塊

      供應(yīng)商器件封裝:AG-62MM

      產(chǎn)品特征:

      高功率密度

      的 VCE,SAT

      Tvj op = 175°C 過載

      高爬電距離和電氣間隙

      符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

      4 kV AC 1 分鐘絕緣

      CTI > 400 的封裝

      通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認(rèn)證

      優(yōu)勢:北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

      具有更高電流能力的現(xiàn)有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

      高功率密度

      避免 IGBT 模塊并聯(lián)

      通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

      靈活性

      高的可靠性

      產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:

      不間斷電源(UPS)

      儲能系統(tǒng)

      電機(jī)控制和驅(qū)動

      商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

      變頻器

      637743823772303523384.png

       

      IGBT是什么?

      IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      IGBT與MOSFET的對比

      MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

      優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

      缺點:擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

      IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

      特點:擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。

      IGBT的典型應(yīng)用

      電動機(jī)

      不間斷電源

      太陽能面板安裝

      電焊機(jī)

      電源轉(zhuǎn)換器與反相器

      電感充電器

      電磁爐

      637743823599565566542.png

      第七代IGBT型號:

       

      FF900R12ME7P_ B11

      FF450R12ME7_ B11

      FF900R12ME7W_ _B11

      FF900R12ME7_ B11

      FF600R12ME7_ B11

      FF800R12KE7

      FF300R12ME7_ B11

      FF750R12ME7_ _B11

      FF750R17ME7D_ B11

      FF225R17ME7_ _B11

      FF1800R23IE7P

      FF1800R23IE7

       

      FF2400RB12IP7P

      FF2400RB12IP7

      F3L400R10W3S7F_ B11

      F3L600R10W4S7F_ C22

      FS3L200R10W3S7F_ B94

      F3L 400R10W3S7_ _B11

      FS3L200R10W3S7F_ B11

      FP15R12W1T7_ B3

      FP15R12W1T7

      FP15R12W1T7P_ B11

      FP25R12W2T7

      FP50R12W2T7_ B11

      FP25R12W1T7

      FP50R12W2T7

      FP35R12W2T7_ B11

      FP10R12W1T7_ B11

      FP35R12W2T7

      FP25R12W1T7_ B11

      FP25R12W2T7_ B11

      FP15R12W1T7_ _B11

      FP10R12W1T7_ B3 .

      FP15R12W1T7P

      FP100R12W3T7 B11

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