NOR 閃存是兩種非易失性存儲技術(shù)之一。 NAND是另一個。 非易失性存儲器不需要電源來保存數(shù)據(jù)。 NOR 和 NAND 在每個存儲單元中使用不同的邏輯門（數(shù)字電路的基本構(gòu)建塊）來映射數(shù)據(jù)。 兩種類型的閃存都是東芝發(fā)明的，但商用 NOR 閃存是英特爾于 1988 年推出的。NAND 閃存是東芝于 1989 年推出的。NAND 存儲設(shè)備是串行訪問的，使用相同的八個引腳來傳輸控制、地址和數(shù)據(jù)信息。 NAND 可以寫入單個內(nèi)存地址，每次寫入八位（一個字節(jié)）。

在功耗方面，NOR Flash在上電時需要比NAND更高的電源電流。 但是，一旦上電，NOR 的待機功率要求遠低于 NAND。 因此，NOR 通常更適合從內(nèi)存中隨機讀取，而 NAND 在寫入、擦除和順序讀取方面效率更高。 NOR Flash于手機、科學儀器和醫(yī)療設(shè)備。 NAND 在經(jīng)常上傳和替換大文件的設(shè)備中找到了市場，例如 MP3 播放器、數(shù)碼相機和 USB(通用串行總線) 閃存驅(qū)動器。