NOR 閃存是兩種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)之一。 NAND是另一個(gè)。 非易失性存儲(chǔ)器不需要電源來(lái)保存數(shù)據(jù)。 NOR 和 NAND 在每個(gè)存儲(chǔ)單元中使用不同的邏輯門(mén)（數(shù)字電路的基本構(gòu)建塊）來(lái)映射數(shù)據(jù)。 兩種類(lèi)型的閃存都是東芝發(fā)明的，但商用 NOR 閃存是英特爾于 1988 年推出的。NAND 閃存是東芝于 1989 年推出的。NAND 存儲(chǔ)設(shè)備是串行訪問(wèn)的，使用相同的八個(gè)引腳來(lái)傳輸控制、地址和數(shù)據(jù)信息。 NAND 可以寫(xiě)入單個(gè)內(nèi)存地址，每次寫(xiě)入八位（一個(gè)字節(jié)）。

在功耗方面，NOR Flash在上電時(shí)需要比NAND更高的電源電流。 但是，一旦上電，NOR 的待機(jī)功率要求遠(yuǎn)低于 NAND。 因此，NOR 通常更適合從內(nèi)存中隨機(jī)讀取，而 NAND 在寫(xiě)入、擦除和順序讀取方面效率更高。 NOR Flash于手機(jī)、科學(xué)儀器和醫(yī)療設(shè)備。 NAND 在經(jīng)常上傳和替換大文件的設(shè)備中找到了市場(chǎng)，例如 MP3 播放器、數(shù)碼相機(jī)和 USB(通用串行總線) 閃存驅(qū)動(dòng)器。