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      高壓自動介電常數(shù)-介質(zhì)損耗試驗儀

      參考價 120000
      訂貨量 ≥1
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      • 公司名稱北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司
      • 品       牌ZHIDECHUANGXIN
      • 型       號
      • 所  在  地北京市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時間2023/4/11 15:44:14
      • 訪問次數(shù)541
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      北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司成立十年來一直專注于電學(xué),燃燒,力學(xué),熱學(xué)、機械等儀器的研究與生產(chǎn)。服務(wù)行業(yè)包括:石油/化工、航空航天、科研院校、汽車/零部件、光伏/發(fā)電、電線電纜、電子/電器、涂料等。公司注冊資金 6000 萬,是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高科技企業(yè)。是以中國航空航天研究院、中科院為重要依托。聯(lián)合清華大學(xué)、北京航空航天大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)精儀系專家作為公司技術(shù)團隊。公司總部坐落于美麗富饒的政治經(jīng)濟文化交流中心—北京市,物華天寶,人杰地靈。

      北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司自創(chuàng)建以來,一直保持著健康穩(wěn)定的發(fā)展態(tài)勢,并以超過30%的年均增長速度快速持續(xù)發(fā)展,完善的客戶服務(wù)體系,確保了中航時代產(chǎn)品的設(shè)計*,質(zhì)量穩(wěn)定,供貨及時和服務(wù)周到。公司擁有一批專業(yè)從事設(shè)計、制造、安裝、調(diào)試及售后服務(wù)的員工隊伍。在工程設(shè)計和技術(shù)研發(fā)上,公司擁有部級高級工程師的專家團隊、勇于創(chuàng)新的中青年專業(yè)技術(shù)人員和項目人員。

      企業(yè)愿景:

      經(jīng)營宗旨

      員工滿意

      客戶滿意

      股東滿意

      社會責(zé)任

      智德創(chuàng)新的使命

      提供質(zhì)優(yōu)儀器設(shè)備

      服務(wù)超出客戶期望

      經(jīng)營理念

      忠誠才有信任

      敬業(yè)才有尊重

      投入才有回報

      主動才有創(chuàng)新

      智德創(chuàng)新的價值觀

      平等地尊重每一位員工

      永遠都把真相告訴公眾

      誠實守信是基本的準則

      企業(yè)文化:

      成為員工自豪的企業(yè)          

      成為客戶信賴的企業(yè)

      成為社會尊重的企業(yè)  



      電壓擊穿試驗儀,介電常數(shù)測試儀,體積表面電阻率測定儀,塑料摩擦磨損試驗機
      高壓自動介電常數(shù)-介質(zhì)損耗試驗儀可直讀介電常數(shù)及介質(zhì)損耗結(jié)果,免去人工計算的繁瑣。經(jīng)過新升級可通過上位機軟件查看測試曲線,北京智德創(chuàng)新檢測儀器是代替進口設(shè)備的北京智德創(chuàng)新儀器產(chǎn)品。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。產(chǎn)地北京房山。
      高壓自動介電常數(shù)-介質(zhì)損耗試驗儀 產(chǎn)品信息

      高壓自動介電常數(shù)-介質(zhì)損耗試驗儀符合標準:

      GB/T1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法;
      GB/T1693-2007
      硫化橡膠介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測定方法;
      ASTM D150-11
      實心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率(介電常數(shù))的標準試驗方法;
      GBT5594.4-2015
      電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法;

      主要參數(shù):

      準確度:    Cx:     ±(讀數(shù)×0.5%+0.5pF);

      tgδ:   ±(讀數(shù)×0.5%+0.00005);

      電容量范圍:    內(nèi)施高壓:  3pF60000pF/10kV   60pF1μF/0.5kV

      外施高壓:  3pF1.5μF/10kV        60pF30μF/0.5kV;

      分辨率        最高0.001pF4位有效數(shù)字;

      在測試絕緣材料時可以直接顯示相對介電常數(shù)ε;

      tgδ范圍:  不限,分辨率0.000001,電容、電感、電阻三種試品自動識別;

      試驗電流范圍5μA5A;

      內(nèi)施高壓:  設(shè)定電壓范圍:0.510kV ;

      最大輸出電流:200mA;

      升降壓方式:電壓隨意設(shè)置。比如5123V

      試驗頻率: 40-70Hz單頻隨意設(shè)置。比如48.7Hz.

      50±0.1Hz50±10Hz自動雙變頻隨意設(shè)置。

      60±0.1Hz60±10Hz自動雙變頻隨意設(shè)置。

      頻率精度:  ±0.01Hz

      外施高壓:  接線時最大試驗電流5A,工頻或變頻40-70Hz

                 外接線路時可以連接量程擴展器,電流可達幾千安培。

      測量時間:  40s,與測量方式有關(guān)

      輸入電源:  180V270VAC,50Hz±1%,市電或發(fā)電機供電

      計算機接口:標準RS232接口,U盤插口(自動U盤存儲數(shù)據(jù))

      打印機:微型熱敏打印機   環(huán)境溫度:-10℃~50   相對濕度: <90%

      外形尺寸:430*330*350mm   儀器重量:28kg

          號:ZJD-87

      高壓自動介電常數(shù)-介質(zhì)損耗試驗儀(介電性能測試儀)

        •損耗的形式 

        •介質(zhì)損耗的表示方法

        •介質(zhì)損耗和頻率、溫度的關(guān)系

        •無機介質(zhì)的損耗

        介質(zhì)損耗定義:

        電介質(zhì)在單位時間內(nèi)消耗的能量稱為電介質(zhì)損耗功率,簡稱電介質(zhì)損耗。或:電場作用下的能量損耗,由電能轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌问降哪?,如熱能、光能等,統(tǒng)稱為介質(zhì)損耗。它是導(dǎo)致電介質(zhì)發(fā)生熱擊穿的根源。 

        損耗的形式:

        電導(dǎo)損耗:在電場作用下,介質(zhì)中會有泄漏電流流過,引起電導(dǎo)損耗。 實質(zhì)是相當(dāng)于交流、直流電流流過電阻做功,故在這兩種 條件下都有電導(dǎo)損耗。絕緣好時,液、固電介質(zhì)在工作電 壓下的電導(dǎo)損耗是很小的,

        極化損耗:只有緩慢極化過程才會引起能量損耗,如偶極子 的極化損耗。 

        游離損耗:氣體間隙中的電暈損耗和液、固絕緣體中局部放 電引起的功率損耗稱為游離損耗。

        介質(zhì)損耗的表示:

        當(dāng)容量為C0=e0S/d的平板電容器上 加一交變電壓U=U0eiwt。則:

      1、電容器極板間為真空介質(zhì)時, 電容上的電流為:

      2、電容器極板間為非極性絕緣材料時,電容上的電流為: 

      圖片5.png

      3、電容器極板間為弱導(dǎo)電性或極性,電容上的電流為: 

      圖片6.png

      G是由自由電荷產(chǎn)生的純電導(dǎo),G=sS/d, C=eS/d 

        如果電荷的運動是自由的, G實際上與外電壓額率無關(guān);如果這些電荷是被 符號相反的電荷所束縛, 如振動偶極子的情況,G 為頻率的函數(shù)。

      介質(zhì)弛豫和德拜方程: 

        1)介質(zhì)弛豫:在外電場施加或移去后,系統(tǒng)逐漸達到平衡狀 態(tài)的過程叫介質(zhì)弛豫。 介質(zhì)在交變電場中通常發(fā)生弛豫現(xiàn)象,極化的弛豫。在介質(zhì)上加一電場,由于極化過程不是瞬時的,極化包括兩項:

        P(t) = P0 + P1(t)

      P0代表瞬時建立的極化(位移極化), P1代表松弛極化P1(t)漸漸達到一穩(wěn)定值。這一滯后 通常是由偶極子極化和空間電荷極 化所致。 當(dāng)時間足夠長時, P1(t) P 1   而總極化P(t)  P 。

      2)德拜(Debye)方程: 

        頻率對在電介質(zhì)中不同的馳豫現(xiàn)象有關(guān)鍵性的影響。 設(shè)低頻或靜態(tài)時的相對介電常數(shù)為ε(0),稱為靜態(tài)相對介電常數(shù);當(dāng)頻率ω→∞時,相對介電常數(shù)εr’ →ε∞( ε∞代表光頻 相對介電常數(shù))。則復(fù)介電常數(shù)為:

      影響介質(zhì)損耗的因素:
       1、頻率的影響 

        ω→0時,此時不存在極化損 ,主要由電導(dǎo)損耗引起。 tgδ=δ/ωε,則當(dāng)ω→0時, tgδ→∞。隨著ω升高,tgδ↓。

        隨ω↑,松弛極化在某一頻率開始跟不上外電場的變化, 松弛極化對介電常數(shù)的貢獻 逐漸減小,因而εr隨ω↑而↓。 在這一頻率范圍內(nèi),由于ωτ <<1,故tgδ隨ω↑而↑。

        當(dāng)ω很高時,εr→ε∞,介電常數(shù)僅 由位移極化決定,εr趨于最小值。 由于ωτ >>1,此時tgδ隨ω↑而↓。 ω→∞時,tgδ→0。
       

      tgδ達最大值時ωm的值由下式求出:

        tgδ的最大值主要由松弛過程決定。如果介質(zhì)電導(dǎo)顯著變大,則tgδ的最大值變得平坦, 最后在很大的電導(dǎo)下,tgδ無最大值,主要表現(xiàn)為電導(dǎo)損耗特征:tgδ與ω成反。
       

      2、溫度的影響

        當(dāng)溫度很低時,τ較大,由德拜關(guān)系式可知,εr較小,tgδ也較小。此時,由于ω2τ2>>1,由德拜可得:

      隨溫度↑,τ↓,所以εr、tgδ↑

        當(dāng)溫度較高時,τ較小,此時ω2τ2<<1

      隨溫度↑,τ↓,所以tgδ ↓。這時電導(dǎo)上升并不明顯,主要決定于極化過程:

        當(dāng)溫度繼續(xù)升高,達到很大值時, 離子熱運動能量很大,離子在電場作用下的定向遷移受到熱運動的阻礙,因而極化減弱,εr↓。此時電導(dǎo)損耗劇烈↑,tgδ也隨溫度 ↑而急劇上升↑。 

      3.濕度的影響 

        • 介質(zhì)吸潮后,介電常數(shù)會增加,但比電導(dǎo)的增加要慢,由于電導(dǎo)損耗增大以及松馳極化損耗增加,而使tgδ增大。

        • 對于極性電介質(zhì)或多孔材料來說,這種影響特別突出,如,紙內(nèi)水分含量從4%增加到10%時,其tgδ可增加100倍。

        降低材料的介質(zhì)損耗的方法

        (1)選擇合適的主晶相:盡量選擇結(jié)構(gòu)緊密的晶體作為主晶相。

        (2)改善主晶相性能時,盡量避免產(chǎn)生缺位固溶體或填隙固溶體,最好形成連續(xù)固溶體。這樣弱聯(lián)系離子少,可避免損耗顯著增大。

        (3)盡量減少玻璃相。有較多玻璃相時,應(yīng)采用“中和效應(yīng)"和“壓抑效應(yīng)",以降低玻璃相的損耗。 (4)防止產(chǎn)生多晶轉(zhuǎn)變,多晶轉(zhuǎn)變時晶格缺陷多,電性能下降,損耗增加 

        (5)注意焙燒氣氛。含鈦陶瓷不宜在還原氣氛中焙燒。燒成過程中升溫速度要合適,防止產(chǎn)品急冷急熱。

        (6)控制好最終燒結(jié)溫度,使產(chǎn)品“正燒",防止“生燒"和“過燒"以減少氣孔率。此外,在工藝過程中應(yīng)防止雜質(zhì)的混入,坯體要致密。

       

       


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